Übersetzung für "Schottky barrier" in Deutsch
An
analogous
problem
exists
with
respect
to
Schottky
barrier
region
15
(FIG.
Ein
analoges
Problem
existiert
im
Hinblick
auf
die
Schottky-Sperrschicht
15
(Fig.
EuroPat v2
The
primary
advantage
of
Schottky
Barrier
diodes
over
other
diodes
has
been
their
relatively
low
forward
barrier
characteristics.
Der
wesentliche
Vorteil
der
Schottky-Sperrschichtdiode
gegenüber
anderen
Dioden
liegt
in
ihrem
relativ
niedrigen
Durchlaßwiderstand.
EuroPat v2
Also
coupled
to
respective
one
of
the
nodes
52
and
53
are
Schottky
barrier
diodes
58
and
59.
An
den
Knotenpunkten
52
und
53
sind
außerdem
noch
Schottky-Sperrschichtdioden
58
bzw.
59
angekoppelt.
EuroPat v2
In
one
configuration,
the
Schottky
barrier
between
the
silicide
and
the
substrate
is
kept
as
small
as
possible.
Bei
einer
Ausgestaltung
wird
die
Schottkybarriere
zwischen
dem
Silizid
und
dem
Substrat
möglichst
klein
gehalten.
EuroPat v2
The
Schottky
barrier
is
0.9
eV
when
the
fourth
layer
comprises
essentially
palladium.
Die
Schottky-Barriere
beträgt
0.9
eV,
wenn
die
vierte
Schicht
im
Wesentlichen
Palladium
enthält.
EuroPat v2
The
higher
the
electrical
field
strength
at
the
Schottky
contact,
the
lower
is
the
Schottky
barrier.
Je
höher
die
elektrische
Feldstärke
am
Schottkykontakt
ist,
desto
geringer
ist
die
Schottkybarriere.
EuroPat v2
The
Schottky
barrier
here
is
between
metal
layer
4
as
the
anode
and
n-layer
2
as
the
cathode.
Die
Schottky-Barriere
liegt
dabei
zwischen
der
Metallschicht
4
als
Anode
und
der
n-Schicht
2
als
Kathode.
EuroPat v2
Instead
of
this
p-conducting
zone
22,
it
is
also
possible
to
provide
a
weak
injector,
for
example
a
Schottky
barrier
layer.
Anstelle
dieser
p-leitenden
Zone
22
kann
auch
ein
schwacher
Injektor,
beispielsweise
eine
Schottky-Sperrschicht
vorgesehen
werden.
EuroPat v2
The
PNP
device
is
composed
of
Schottky
Barrier
collector
74,
base
region
76,
N+
base
contact
78,
base
electrode
80,
emitter
region
82,
emitter
reach-through
84
and
emitter
electrode
86.
Der
PNP-Transistor
setzt
sich
aus
einem
Schottkykollektor
74,
einer
Basis
76,
einer
N
+
-dotierten
Basisanschlußzone
78,
einem
Basisanschluß
80,
einem
Emitter
82,
einer
Emitteransschlußzone
84
und
einem
Emitteranschluß
86
zusammen.
EuroPat v2
Oberlin
et
al
utilizes
a
double-diffused
NPN
transistor
and
a
PNP
transistor
with
vertical
structure
which
includes
a
diffused
emitter,
an
epitaxial
base
and
Schottky
Barrier
collector.
Dort
wird
ein
doppcltdiffundierter
NPN-Transistor
und
ein
PNP-Transistor
in
vertikaler
Struktur
angewendet,
der
einen
diffundierten
Emitter,
eine
epitaktische
Basis
und
einen
Schottkykollektor
aufweist.
EuroPat v2
DESCRIPTION
Technical
Field
This
invention
relates
to
the
selective
etching
of
platinum
in
the
presence
of
platinum
silicide,
and
more
particularly,
to
the
use
of
this
technique
for
the
fabrication
of
platinum
silicide
contacts
for
formation
of
Schottky
Barrier
Diodes.
Die
Erfindung
betrifft
ein
Verfahren
zum
Herstellen
einer
Platinsilicid-Schottky-Sperrschichtdiode
durch
selektives
Ätzen
von
Platin
in
Anwesenheit
von
Platinsilicid,
und
insbesondere
die
Anwendung
dieses
Verfahrens
bei
der
Herstellung
von
Platinsilicid-Kontakten
bei
der
Fertigung
von
Schottky-Sperrschichtdioden.
EuroPat v2
1C,
that
portion
of
silicon
dioxide
layer
9
which
is
disposed
in
window
13
is
removed
by
standard
wet
or
dry
etching
techniques
to
expose
that
portion
of
the
substrate
which
is
to
constitute
the
anode
of
the
low-barrier-height
Schottky
barrier
diode
(SBD).
1C
wird
der
in
der
Öffnung
13
liegende
Teil
der
Siliciumdioxid-Schicht
9
durch
ein
nasses
oder
trockenes
Ätzverfahren
entfernt,
wodurch
dieser
Teil
des
Substrats
freigelegt
wird,
welcher
dann
die
Anode
einer
Schottky-Sperrschichtdiode
mit
niedriger
Potentialschwelle
bilden
soll.
EuroPat v2