Übersetzung für "Body diode" in Deutsch
The
inherently
present
body
diode
of
the
MOSFET
1
is
indicated
at
2
.
Die
inhärent
vorhandene
Body-Diode
des
MOSFET
1
ist
mit
2
bezeichnet.
EuroPat v2
By
contrast,
the
switching
element
in
the
second
conduction
path
has
a
body
diode.
Das
Schaltelement
in
dem
zweiten
Leitungspfad
weist
hingegen
eine
Bodydiode
auf.
EuroPat v2
The
voltage
limitation
in
this
instance
occurs
with
the
aid
of
the
built-in
body
diode.
Die
Spannungsbegrenzung
erfolgt
dabei
mit
Hilfe
der
eingebauten
Bodydiode.
EuroPat v2
The
diode
illustrates
the
so-called
body
diode.
Die
Diode
veranschaulicht
die
sogenannte
Body-Diode.
EuroPat v2
The
body
diode
is
an
integral
component
of
the
respective
MOSFET.
Die
Bodydiode
ist
integraler
Bestandteil
des
jeweiligen
MOSFETs.
EuroPat v2
This
diode
prevents
undesired
influences
of
the
body
diode
via
the
second
winding.
Diese
Diode
verhindert
ungewünschte
Einflüsse
der
Body-Diode
über
die
zweite
Wicklung.
EuroPat v2
Finally,
the
rugged
body
diode
protects
the
device
during
hard
commutation
events
in
LLC
circuits.
Schließlich
schützt
die
robuste
Body-Diode
das
Gerät
bei
harter
Kommutierung
in
LLC-Schaltungen.
ParaCrawl v7.1
This
characteristic
leads
to
smooth
body
diode
behavior
and
minimizes
voltage
overshoot.
Diese
Charakteristik
sorgt
für
ein
sanftes
Verhalten
der
Body-Diode
und
minimiert
die
Spannungs-Überschwinger.
ParaCrawl v7.1
The
semiconductor
body
12
of
diode
2
is
then
connected
on
the
anode
side
with
the
support
plate
13.
Der
Halbleiterkörper
12
der
Diode
2
ist
dann
anodenseitig
mit
der
Trägerplatte
13
verbunden.
EuroPat v2
As
soon
as
the
drain-source
voltage
of
the
start-up
cell
falls
below
this
potential,
the
body
diode
injects
holes.
Sobald
die
Drain-Source-Spannung
der
Startup-Zelle
unter
dieses
Potential
sinkt,
injiziert
die
Body-Diode
Löcher.
EuroPat v2
The
detection
element
is
preferably
a
semiconductor
component,
particularly
the
bulk
diode
or
body
diode
of
an
FET.
Das
Detektionselement
ist
beispielsweise
ein
Halbleiterbauelement,
insbesondere
die
Bulkdiode
bzw.
Bodydiode
eines
FETs.
EuroPat v2
The
body
diode
of
the
neutral
point
FETs
is
used
for
closing
the
circuit
of
the
generated
motor
voltage.
Dabei
wird
zum
Schließen
des
Stromkreises
der
generierten
Motorspannung
die
Body-Diode
der
Sternpunkt-FETs
genutzt.
EuroPat v2
As
a
consequence
of
the
reduced
absorption,
the
heating
in
the
region
of
the
front-end
surface
of
a
resonator
mirror
41
of
the
body
of
the
diode
1
is
lower
than
would
be
the
case
if
the
dimension
L
were
equal
to
the
full
length
of
th
body
of
the
diode
1.
Aufgrund
der
verringerten
Absorption
ist
die
Erwärmung
im
Bereich
der
in
Fig.l
stirnseitigen
Fläche
41
des
Körpers
der
Diode
1
geringer
als
dies
der
Fall
wäre,
wenn
die
Abmessung
L
gleich
der
Gesamtlänge
des
Körpers
der
Diode
1
wäre.
EuroPat v2
The
heat
of
the
front
semi-conductor
body
(IRED
diode)
is
to
be
distributed
to
the
housing
surfaces
of
the
front
section
washed
by
the
coolant
(cooling
air).
Die
Wärme
des
vorderen
Halbleiterkörpers
(IRED-Di-.
ode)
ist
großflächig
auf
vom
Kühlmedium
(Kühlluft)
umspülte
Gehäuseoberflächen
des
vorderen
Abschnittes
zu
verteilen.
EuroPat v2
The
heat
flux
from
the
back
section
of
the
housing
to
the
front
section
of
the
housing
is
to
be
throttled
such
that
the
heat
of
the
back
semi-conductor
body
(driver
loadable
up
to
12520
with
1
W
dissipated
power)
is
not
able
to
heat
the
front
semi-conductor
body
(IRED
diode
loadable
up
to
80°
C.
having
200
mW
dissipated
power).
Der
Wärmefluß
vom
hinteren
Abschnitt
des
Gehäuses
zum
vorderen
Abschnitt
des
Gehäuses
ist
so
zu
drosseln,
daß
die
Wärme
des
hinteren
Halbleiterkörpers
(bis
125
0
C
belastbarer
Treiber
mit
1
W
Verlustleistung)
nicht
mehr
den
vorderen
Halbleiterkörper
(bis
zu
80°C
belastbare
IRED-Diode
mit
200
mW
Verlustleistung)
aufheizen
kann.
EuroPat v2
The
conduction
state
of
a
MOS-FET,
which
contains
an
inherent
body
diode,
comprises,
on
the
one
hand,
the
phase
which
can
be
recognized
in
the
lowest
curve,
in
which
the
gate
voltage
is
below
the
threshold
voltage
UTHR
of
the
MOS-FET
and,
on
the
other
hand,
the
phase
above
the
threshold
voltage
UTHR,
in
which
the
transistor
is
turned
on.
Der
Leitungszustand
eines
MOS-FETs,
der
eine
inhärente
Bodydiode
enthält,
besteht
zum
einen
aus
dem
in
der
untersten
Kurve
zu
erkennenden
Zeitabschnitt,
in
dem
die
Gatespannung
unterhalb
der
Schwellenspannung
U
THR
des
MOS-FETs
liegt
und
zum
anderen
aus
der
Zeit,
in
der
die
Gatespannung
oberhalb
der
Schwellenspannung
U
THR
liegt
und
der
der
Transistor
leitend
wird.
EuroPat v2
The
potential
of
the
bridge
centre
point
drops,
to
be
precise,
below
the
reference
potential
of
the
negative
supply
branch,
specifically
because
of
the
forward
voltage
of
the
body
diode
of
the
MOSFET
T
1,
which
diode
must
conduct
the
now
considerable
current
flow
from
the
lamp
reactor
L
2
.
Das
Potential
des
Brückenmittelpunktes
fällt
nämlich
unter
das
Bezugspotential
des
negativen
Versorgungszweiges,
und
zwar
wegen
der
Flußspannung
der
Body-Diode
des
MOSFETs
T1,
die
den
nun
erheblichen
Stromfluß
aus
der
Lampendrossel
L2
führen
muß.
EuroPat v2
In
other
words,
the
second
semiconductor
region
has
at
this
current
a
voltage
drop
such
that
its
body
diode
is
still
de-energized.
Der
zweite
Halbleiterbereich
weist
also
bei
diesem
Strom
einen
solchen
Spannungsabfall
auf,
daß
seine
Bodydiode
noch
stromlos
ist.
EuroPat v2
In
the
case
of
silicon
carbide,
for
example,
the
voltage
drop
in
the
forward
direction
caused
by
RON
is
distinctly
lower
than
the
threshold
voltage
of
the
body
diode.
Beispielsweise
ist
bei
Siliciumcarbid
der
durch
R
ON
verursachte
Spannungsfall
in
Durchlaßrichtung
deutlich
niedriger
als
die
Schwellspannung
der
Bodydiode.
EuroPat v2
If
the
gate-source
voltage
for
the
respective
semiconductor
region,
in
the
inverse
region,
is
set
only
to
be
large
enough
for
the
body
diode
of
the
relevant
semiconductor
region
to
remain
de-energized,
separate
freewheeling
diodes
are
not
required
to
lower
the
dynamic
losses,
since
essentially
they
do
not
occur
at
all.
Wenn
jeweils
am
Halbleiterbereich
im
Inversbereich
die
Gate-Source-Spannung
nur
so
groß
eingestellt
wird,
daß
die
Bodydiode
des
betreffenden
Halbleiterbereichs
noch
stromlos
ist,
benötigt
man
keine
gesonderten
Freilaufdioden,
um
die
dynamischen
Verluste
zu
senken,
da
sie
im
wesentlichen
gar
nicht
auftreten.
EuroPat v2
With
an
antiserial
connection
of
FETs,
for
the
case
of
alternating
voltage,
a
symmetrical
mode
of
operation
is
achieved
between
the
first
quadrant
and
third
quadrant,
the
characteristic
curve
33
of
the
body
diode
no
longer
having
any
effect.
Bei
antiserieller
Schaltung
von
FETs
im
Falle
von
Wechselspannung
wird
eine
symmetrische
Arbeitsweise
zwischen
dem
ersten
und
dritten
Quadranten
erzielt,
wobei
die
Kennlinie
33
der
Body-Diode
nicht
mehr
zum
Tragen
kommt.
EuroPat v2