Übersetzung für "Lattice mismatch" in Deutsch
In
a
corresponding
way,
the
force
produced
by
a
tensile
lattice
mismatch
can
be
partially
compensated
for.
In
entsprechender
Weise
kann
die
Kraft
einer
tensilen
Gitterfehlanpassung
teilweise
kompensiert
werden.
EuroPat v2
Tunnel
barrier
layers
with
an
aluminum
content
of
this
type
are
particularly
suitable
in
particular
with
regard
to
a
moderate
lattice
mismatch.
Insbesondere
im
Hinblick
auf
moderate
Gitterfehlanpassung
sind
Tunnel-Barriereschichten
mit
derartigem
Aluminiumgehalt
besonders
geeignet.
EuroPat v2
This
further
layer
5
is
then
stressed
by
the
corresponding
lattice
mismatch.
Diese
weitere
Schicht
5
ist
dann
bei
entsprechender
Gitterfehlanpassung
verspannt.
EuroPat v2
The
lattice
mismatch
causes
a
substantially
different
behavior
below
a
certain
critical
cluster
size.
Die
Gitterfehlanpassung
führt
zu
einem
grundlegend
anderen
Verhalten
unterhalb
einer
kritischen
Clustergröße.
ParaCrawl v7.1
The
higher
the
lattice
mismatch,
the
higher
the
surface
energy
of
the
HTS
layer
that
grows
will
be.
Je
größer
die
Gitterfehlanpassung
ist,
desto
größer
wird
die
Oberflächenenergie
der
aufwachsenden
HTSL-Schicht.
EuroPat v2
The
difference
in
lattice
constants
between
the
layer
and
the
substrate,
the
lattice
mismatch,
was
determined
by
X-ray
measurements
at
0028
reflex.
Der
Unterschied
der
Gitterkonstanten
von
Schicht
und
Substrat,
die
Fehlanpassung,
wird
röntgenografisch
beim
0028
Reflex
gemessen.
EuroPat v2
The
intermediate
layer
of
SiC
thereby
serves
to
diminish
(compensate
for)
the
prevailing
lattice
mismatch
of
approximately
52%
or
approximately
58%
between
the
growth
substrate
on
the
one
hand,
whose
lattice
constant
is
approximately
5.43
Å
(Si)
or
5.65
Å
(GaAs),
and
the
applied
diamond
layer
on
the
other
hand
with
a
lattice
constant
of
approximately
3.57
Å,
with
respect
to
the
lattice
constant
of
the
diamond
layer,
in
order
to
thereby
facilitate
an
acceptable
growth
of
the
diamond
layer
on
such
growth
substrates.
Die
Zwischenschicht
aus
SiC
dient
hierbei
dazu,
die
zwischen
dem
Wachstum-Subtrat,
deren
Gitterkonstante
etwa
5,43
Å
(Si)
bzw.
5,65
Å
(GaAs)
einerseits
und
der
aufzubringenden
Diamantschicht
mit
eine
Gitterkonstanten
von
etwa
3,57
Å
andererseits
herrschende
Gitterfehlanpassung,
bezogen
auf
die
Gitterkonstante
der
Diamantschicht
von
etwa
52%
bzw.
etwa
58%
abzubauen,
um
dadurch
ein
akzeptables
Wachstum
der
Diamantschicht
auf
derartigen
Wachstum-Substraten
zu
ermöglichen.
EuroPat v2
Since
SiC
has
a
lattice
constant
of
approximately
4.36
Å,
its
lattice
mismatch
with
respect
to
the
lattice
constant
of
the
growth
substrate
amounts
to
approximately
25%
(Si)
or
30%
(GaAs),
and
with
respect
to
the
diamond
layer
22%,
in
which
case
the
difference
is
with
respect
to
the
lattice
constant
of
the
diamond
layer.
Da
SiC
eine
Gitterkonstante
von
etwa
4,36
Å
hat,
beträgt
dessen
Gitterfehlanpassung,
bezogen
auf
die
Gitterkonstante
des
Wachstum-Substrats
etwa
25
%
(Si)
bzw.
30
%
(GaAs),
und
hinsichtlich
der
Diamantschicht
22%,
wobei
hier
die
Differenz
auf
die
Gitterkonstante
der
Diamantschicht
bezogen
ist.
EuroPat v2
By
means
of
the
bridging
of
the
crystalline
SiC-layer,
the
effects
of
the
existing
lattice
mismatch
on
the
quality
of
the
deposited
diamond
layer
are
minimized.
Durch
eine
Verspannung
der
die
kristallinen
SiC-Schicht
wird
die
Auswirkungen
der
vorliegende
Gitterfehlanpassung
auf
die
Qualität
der
abgeschiedenen
Diamantschicht
verringert.
EuroPat v2
In
this
way
the
lattice
mismatch
existing
between
the
silicon
growth
substrate
1
and
the
diamond
layer
2,
which
amounts
to
more
than
50%
with
reference
to
the
lattice
constant
aD
of
the
diamond
layer
2
and
which
leads
to
diamond
layers
2
of
inferior
quality,
is
substantially
diminished.
Dadurch
ist
die
zwischen
dem
Wachstum-Substrat
1
aus
Silizium
und
der
Diamantschicht
2
bestehende
Gitterfehlanpassung,
die,
bezogen
auf
die
Gitterkonstante
a
D
der
Diamantschicht
2
mehr
als
50%
beträgt,
und
zu
qualitativ
minderwertigen
Diamantschichten
2
führt,
weitgehend
abgebaut.
EuroPat v2
The
difference
in
lattice
constants
betweeen
the
layer
and
the
substrate,
the
lattice
mismatch,
was
determined
by
X-ray
measurements
at
0028
reflex.
Der
Unterschied
der
Gitterkonstanten
von
Schicht
und
Substrat,
die
Fehlanpassung,
wird
röntgenografisch
beim
0028
Reflex
gemessen.
EuroPat v2
The
formation
of
buffer
layers
in
the
fabrication
of
GaN-based
semiconductor
bodies
is
a
standard
way
of
compensating
for
a
lattice
mismatch
between
the
epitaxy
substrate
and
the
epitaxy
layers
that
follow
the
buffer
layer.
Die
Ausbildung
von
Pufferschichten
bei
der
Herstellung
von
GaN-basierenden
Halbleiterkörpern
ist
üblich,
um
eine
Gitterfehlanpassung
zwischen
Epitaxiesubstrat
und
den
auf
die
Pufferschicht
folgenden
Epitaxieschichten
auszugleichen.
EuroPat v2
Two
major
challenges
however
have
to
be
met:
due
to
the
strong
lattice
mismatch
between
GaN
and
foreign
substrates,
GaN
has
to
be
grown
in
a
special
process.
Dabei
stellen
sich
zwei
wesentliche
Herausforderungen:
Aufgrund
der
hohen
Gitterfehlanpassung
zwischen
GaN
und
Fremdsubstraten
erfordert
die
Abscheidung
von
GaN
einen
speziellen
Herstellungsprozess.
ParaCrawl v7.1
Since
the
nanorods
in
particular
are
not
densely
packed,
the
nanorods
may
bend
and
thus
compensate
thermal
strain
due
to
lattice
mismatch
even
over
relatively
large
areas.
Da
die
Nanostäbe
insbesondere
nicht
dicht
gepackt
vorliegen,
können
die
Nanostäbe
sich
verbiegen
und
somit
thermische
Verspannungen
aufgrund
einer
Gitterfehlanpassung
auch
über
größere
Flächen
hinweg
ausgleichen.
EuroPat v2
This
lattice
mismatch
results
in
islands
of
the
material
of
the
nanorods
on
the
substrate
top,
which
form
the
nuclei.
Durch
diese
Gitterfehlanpassung
entstehen
Inseln
des
Materials
der
Nanostäbe
auf
der
Substratoberseite,
die
die
Nukleationskeime
bilden.
EuroPat v2
Such
a
nanorod
length
ensures
that
the
nanorods
have
sufficiently
high
flexibility
to
be
able
to
compensate
strain
of
mechanical
and/or
structural
origin
resulting
from
a
lattice
mismatch
between
substrate
and
semiconductor
layer
sequence.
Durch
eine
solche
Länge
der
Nanostäbe
ist
gewährleistet,
dass
diese
eine
ausreichend
hohe
Flexibilität
aufweisen,
um
mechanisch
und/oder
strukturell
bedingte
Verspannungen
aufgrund
einer
Gitterfehlanpassung
zwischen
Substrat
und
Halbleiterschichtenfolge
ausgleichen
zu
können.
EuroPat v2
Such
nanorods
ensure
that,
on
growth
of
the
semiconductor
layer
sequence
on
the
nanorods,
particularly
low
mechanical
strain
arises
as
the
result
of
a
lattice
mismatch.
Durch
solche
Nanostäbe
ist
gewährleistet,
dass
beim
Aufwachsen
der
Halbleiterschichtenfolge
auf
den
Nanostäben
besonders
geringe
mechanische
Verspannungen
aufgrund
einer
Gitterfehlanpassung
auftreten.
EuroPat v2
Preferably,
the
deposition
methods
used
are
those
which
result
in
a
best
possible
homogeneity
of
the
heterolayer
structure
in
all
spatial
directions
with
respect
to
composition
and
lattice
mismatch
of
the
individual
layers.
Vorzugsweise
kommen
solche
Abscheideverfahren
zur
Anwendung,
die
eine
möglichst
gute
Homogenität
der
Heteroschichtstruktur
in
allen
Raumrichtungen
bezüglich
Zusammensetzung
und
Gitterfehlanpassung
der
individuellen
Schichten
ermöglichen.
EuroPat v2
In
this
case,
with
an
indium
content
of
at
least
15%,
a
lattice
mismatch
f
of
at
least
2%
may
arise.
Hierbei
kann
bei
einem
Indiumgehalt
von
mindestens
15%
eine
Gitterfehlanpassung
f
von
mindestens
2%
auftreten.
EuroPat v2
In
this
case,
with
an
indium
content
of
at
least
15%,
a
lattice
mismatch
f
of
at
most
2%
may
arise.
Hierbei
kann
bei
einem
Indiumgehalt
von
mindestens
15%
eine
Gitterfehlanpassung
f
von
höchstens
2%
auftreten.
EuroPat v2
By
means
of
the
growth
layer
described
here,
which
comprises
structure
elements
at
the
growth
surface,
it
is
advantageously
possible
to
counteract
troublesome
crystal
defects,
which
would
be
caused
by
the
lattice
mismatch
f
in
the
absence
of
a
structured
growth
layer.
Mittels
der
vorliegend
beschriebenen
Aufwachsschicht,
die
an
der
Aufwachsoberfläche
Strukturelemente
aufweist,
ist
es
vorteilhafterweise
möglich,
störenden
Kristalldefekten
entgegen
zu
wirken,
die
ohne
strukturierte
Aufwachsschicht
durch
die
Gitterfehlanpassung
f
hervorgerufen
würden.
EuroPat v2
The
greater
is
the
lattice
mismatch
f
between
substrate
and
active
zone,
the
greater
should
be
the
density
of
the
structure
elements
and
the
smaller
the
width
thereof.
Je
größer
die
Gitterfehlanpassung
f
zwischen
Substrat
und
aktiver
Zone
ist,
desto
größer
sollte
die
Dichte
der
Strukturelemente
und
desto
kleiner
deren
Breite
gewählt
werden.
EuroPat v2
If
the
lattice
mismatch
f
between
substrate
and
active
zone
is
less
than
2%,
such
as
for
example
when
InGaN
template
substrates
or
ZnO
substrates
are
used,
the
density
of
the
structure
elements
may
be
reduced
and
their
width
enlarged.
Ist
die
Gitterfehlanpassung
f
zwischen
Substrat
und
aktiver
Zone
kleiner
als
2%,
wie
zum
Beispiel
bei
der
Verwendung
von
InGaN-Template-Substraten
oder
ZnO-Substraten,
kann
die
Dichte
der
Strukturelemente
reduziert
und
deren
Breite
vergrößert
werden.
EuroPat v2
In
an
extreme
case,
if
the
lattice
mismatch
f
between
substrate
and
active
zone
is
less
than
0.5%,
the
structure
elements
may
be
made
so
wide
that
the
growth
surface
is
nearly
planar.
Im
Extremfall,
wenn
die
Gitterfehlanpassung
f
zwischen
Substrat
und
aktiver
Zone
kleiner
als
0,5%
wird,
können
die
Strukturelmente
so
breit
ausgebildet
werden,
dass
die
Aufwachsoberfläche
annähernd
planar
ist.
EuroPat v2
Preferably,
substrates
are
used
here
in
which
the
lattice
mismatch
f
between
substrate
and
active
zone
amounts
to
at
least
0.5%.
Vorzugsweise
werden
vorliegend
Substrate
verwendet,
bei
welchen
die
Gitterfehlanpassung
f
zwischen
Substrat
und
aktiver
Zone
mindestens
0.5%
beträgt.
EuroPat v2
This
weakens
the
stresses
in
the
diode
laser
12
including
contact
layer
caused
by
the
lattice
mismatch
with
respect
to
the
substrate
1
.
Dadurch
wird
die
Verspannung
in
dem
Diodenlaser
12
einschließlich
Kontaktschicht
aufgrund
der
Gitterfehlanpassung
auf
das
Substrat
1
abgeschwächt.
EuroPat v2