Übersetzung für "Cut-off voltage" in Deutsch

The cut-off voltage, in turn, may be determined by the thickness of the insulating film 7.
Die Einsatzspannung wiederum läßt sich durch die Dicke der Isolierschicht 7 bestimmen.
EuroPat v2
Auto-off: after reaching the cut-off voltage (8.6 V)
Abschaltautomatik: nach erreichen der Abschaltspannung (8,6V)
ParaCrawl v7.1
In this mode charging is done with increased cut-off voltage for 60 minutes.
In diesem Modus wird für 60 Min. mit erhöhter Ladeschlussspannung geladen.
ParaCrawl v7.1
The diode D8 is cut-off by the voltage generated at the resistor R9 by the switching current.
Die Diode D8 ist durch die am Widerstand R9 durch den Schaltstrom erzeugte Spannung gesperrt.
EuroPat v2
It is basically true to say that the greater the cut-off voltage of the transistor is, the greater are the switching losses.
Grundsätzlich gilt: je größer die Sperrspannung des Transistors ist, desto größer sind die Schaltverluste.
EuroPat v2
At high temperatures the cut-off voltage will be reduced - overcharging and unnecessary gassing is prevented.
Bei hohen Temperaturen wird die Ladeschlussspannung herabgesetzt - eine Überladung und unnötige Gasung werden vermieden.
ParaCrawl v7.1
Should the permissible locking voltage be exceeded while the thyristor is cut off, the voltage detector circuit sees to it that the thyristor is switched into conduction and that a series-connected protection switch is simultaneously opened.
Sollte bei gesperrtem Thyristor die maximal zulässige Sperrspannung überschritten werden, so sorgt die Spannungsdetektorschaltung dafür, dass der Thyristor in den leitenden Zustand geschaltet wird und dass gleichzeitig ein vorgeschalteter Schutzschalter geöffnet wird.
EuroPat v2
Such switches are employed for switching voltages which are higher than the breakdown voltage i.e. higher than the maximum cut-off or reverse voltage of an individual MOS-FET.
Solche Schalter werden zum Schalten von Spannungen eingesetzt, die höher als die Durchbruchsspannung, also höher als die maximale Sperrspannung eines einzelnen MOS-FET sind.
EuroPat v2
If a positive voltage pulse UE of, for example, 5 V is applied to the input terminals 3 and 4, the first FET 1 is opened if the input capacitance 13 thereof is charged at least to the cut-off voltage.
Wird an die Eingangsklemmen 3, 4 ein positiver Spannungsimpuls U E von zum Beispiel 5 V angelegte so wird der erste FET 1 geöffnet, wenn seine Eingangskapazität 13 mindestens auf die Einsatzspannung aufgeladen ist.
EuroPat v2
If the voltage in the capacitance 13 exceeds the cut-off voltage of the FET 2, the latter also becomes conducting.
Überschreitet die Spannung in der Kapazität 13 die Einsatzspannung des FET 2, so wird dieser ebenfalls leitend.
EuroPat v2
Therefore, they are dissipated through a dissipation device, preferably a fly-back diode, which is arranged parallel to the series arrangement of the collector-emitter path of the bipolar transistor and the main current path of the field effect transistor and with such a polarity that it remains cut off for the voltage applied in the cut-off condition of the transistor between its collector and its emitter after switching transients have decayed.
Sie werden daher über eine Ableitanordnung, vorzugsweise eine Rückschlagdiode, abgeleitet, die parallel zur Reihenschaltung der Kollektor-Emitter-Strecke des bipolaren Transistors mit dem Hauptstromweg des Feldeffekttransistors derart gepolt angeordnet ist, daß sie für die im gesperrten Zustand des Transistors zwischen dessen Kollektor und Emitter nach Abklingen von Schaltvorgängen anliegende Spannung gesperrt bleibt.
EuroPat v2
However, these requirements may be dispensed with when using the circuit arrangement according to the invention so that simpler and essentially cheaper components having a lower cut-off voltage can be used.
Diese können jedoch bei Einsatz der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung entfallen, so daß einfachere und wesentlich preisgünstigere Bauelemente mit niedrigerer Sperrspannung Verwendung finden.
EuroPat v2
As is evident from the foregoing, a limitation of the capacitance variations is automatically achieved when the base-collector diode is driven into its cut-off region, because these variations become increasingly smaller as the cut-off voltage at this diode increases.
Wie aus dem Vorstehenden ersichtlich ist, ergibt sich bei der Aussteuerung der Basis-Kollektordiode in ihren Sperrbe­reich hinein automatisch eine Begrenzung ihrer Kapazitätsän­derungen, da mit zunehmender an ihr anliegender Sperrspannung diese Änderungen immer kleiner werden.
EuroPat v2
If the field-effect transistor T is cut off, a voltage is present at the drain electrode D of the field-effect transistor T, which voltage is composed of the sum of the input voltage UE and a voltage present across the primary winding N1 which also exhibits an overvoltage peak generated by the stray inductance between the primary and secondary winding.
Ist der Feldeffekttransistor T gesperrt, so liegt an der Drain-Elektrode D des Feldeffekttransistors T eine Spannung, die sich aus der Summe der Eingangsspannung UE und einer an der Primärwicklung N1 anliegenden Spannung zusammensetzt, die auch eine durch die Streuinduktivität zwischen Primär- und Sekundärwicklung erzeugte Überspannungsspitze aufweist.
EuroPat v2
The breakdown voltage at the surface of the semiconductor body between the protective zone 10 and the planar zone 3 can be defined by the cut-off voltage of this MOSFET.
Die Durchbruchsspannung an der Oberfläche des Halbleiterkörpers zwischen der Schutzzone 10 und der Planarzone 3 läßt sich durch die Einsatzspannung dieses MOSFET definieren.
EuroPat v2
The increase in the charge carrier concentration at the surface due to the region 9 raises the cut-off voltage of the MOSFET and, thus, the breakdown strength.
Die Erhöhung der Ladungsträgerkonzentration an der Oberfläche durch den Bereich 9 erhöht die Einsatzspannung des MOSFET und damit die Durchbruchsfestigkeit.
EuroPat v2
The sawtooth cut-off voltage Us, which drops due to the sawtooth current ia in the flow phase from T1 to R1, now passes more or less divided to T4 and has the effect that at a specific value T4 becomes conductive, grounds the point c, interrupts the base drive voltage for T1 and thereby turns off T1.
Die durch den sägezahnförmigen Strom ia in der Flußphase von T1 an R1 abfallende sägezahnförmige Abschaltspannung Us gelangt dann mehr oder weniger geteilt auf T4 und bewirkt bei einem bestimmten Wert, daß T4 leitend wird, den Punkt c erdet, die Basisansteuerspannung für T1 unterbricht und dadurch T1 abschaltet.
EuroPat v2
Due to the presence of the just described control circuit for the gate of the first MOS-transistor T1 of the shift circuit according to the invention, the latter becomes practically insensitive to process related fluctuations of the cut-off voltage of the transistors.
Infolge der Anwesenheit der soeben beschriebenen Steuerschaltung für das Gate des ersten MOS-Transistors T1 der erfindungsgemäßen Nachschiebeschaltung wird diese gegen prozeßbedingte Schwankungen der Einsatzspannung der Transistoren praktisch unempfindlich.
EuroPat v2
This circuit arrangement operates as follows: The cut-off voltage of the mixer diodes 5 and 11 is not exceeded when the relevant RF oscillators 3 and 9, respectively, are switched off, that is to say, the mixer diodes are cut off and do not realize a through-connection of the relevant frequency band to the point 53 and hence to the IF circuit.
Die Wirkungsweise dieser Schaltung ist folgende: Die Sperrspannung der Mischdioden 5 bzw. 11 wird, wenn der jeweils vorgeschaltete HF-Oszillators 3 bzw. 9 ausgeschaltet ist, nicht überschritten, d. h. die Mischdioden sind gesperrt und schalten das jeweilige Frequenzband nicht zum Sternpunkt 53 und damit zum ZF-Kreis durch.
EuroPat v2
Since the second field effect transistor F2 is cut-off, a voltage is present between the gate and source electrodes of the first field effect transistor F1 coupled to the delay unit R1, C1, which voltage is so great that this transistor is conductive.
Da der zweite Feldeffekttransistor F2 gesperrt ist, liegt am Verzögerungsglied R1, C1 zwischen Gate- und Source-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors F1 eine Spannung, die so groß ist, daß dieser leitend ist.
EuroPat v2
The drain-source voltage of the depletion MOSFET thus increases and the power MOSFET 1 is activated when its cut-off voltage is reached.
Dabei nimmt die Drain-Sourcespannung des Depletion-FET zu und der Leistungs-MOSFET 1 wird leitend gesteuert, wenn seine Einsatzspannung erreicht wird.
EuroPat v2
However, effective stabilization of the operating voltages generated on the secondary side is achieved by PWM control in the case of normal operation at high power by controlled division of the cut-off voltage tapped from a shunt.
Durch die PWM-Regelung bei Normalbetrieb mit großer Leistung durch gesteuerte Teilung der vom Strommeßwiderstand abgenommen Abschaltspannung wird indessen eine wirkungsvolle Stabilisierung der sekundärseitig erzeugten Betriebsspannungen erreicht.
EuroPat v2

Ähnliche Begriffe

discharge cut-off voltage cuts down cut-off voltage cutting through
to be cutted cuts have been cut Cut
cut by cutting off