Übersetzung für "Capping layer" in Deutsch
An
object
of
the
present
invention
is
to
provide
an
improved
thin-layer
capping
technology.
Der
Erfindung
liegt
daher
die
Aufgabe
zugrunde,
eine
verbesserte
Dünnschicht-Verkappungstechnologie
bereitzustellen.
EuroPat v2
However,
it
was
recommended
to
add
a
good
capping
layer
of
the
same
stone.
Es
wurde
jedoch
empfohlen,
eine
gute
Deckschicht
aus
dem
gleichen
Stein
zu
machen.
ParaCrawl v7.1
The
capacitance
of
the
capacitor
structure
is
determined
by
the
thickness
of
the
spacing
layer,
so
that
after
deposition
of
the
capping
layer,
variation
of
the
capacitance
is
no
longer
possible.
Dabei
wird
durch
die
Dicke
der
abstandshaltenden
Schicht
die
Kapazität
der
Kondensatoranordnung
eindeutig
festgelegt,
so
daß
eine
Variation
der
Kapazität
nach
Aufbringen
der
Abdeckschicht
nicht
mehr
möglich
ist.
EuroPat v2
The
distance
between
the
capacitor
electrodes
is
determined
by
a
capping
layer
which
is
partly
deposited
on
the
capacitor
electrodes
and
forms
a
dielectric
of
the
capacitor.
Der
Abstand
der
Kondensatorelektroden
voneinander
wird
durch
eine
teilweise
auf
den
Kondensatorelektroden
aufgebrachte
Abdeckschicht
bestimmt,
welche
ein
Dielektrikum
des
Kondensators
bildet.
EuroPat v2
A
disadvantage
of
this
capacitor
structure
is
that
it
requires
a
spacing
layer,
namely
the
capping
layer,
to
set
the
distance
between
the
capacitor
electrodes
and
hold
the
arrangement
at
this
distance.
Nachteilig
an
dieser
Kondensatoranordnung
ist,
daß
eine
abstandshaltende
Schicht,
nämlich
die
Abdeckschicht,
erforderlich
ist,
um
den
Abstand
zwischen
den
Kondensatorelektroden
einzustellen
und
die
Anordnung
auf
diesem
Abstand
zu
halten.
EuroPat v2
The
method
according
to
one
of
claim
4
or
5,
characterised
in
that,
on
the
side
of
the
semiconductor
system
orientated
away
from
the
substrate,
a
pn
transition
or
an
emitter
layer
is
produced,
in
that
the
recrystallisation
step
is
controlled
such
or
in
that
it
is
heated,
cooled
and
tempered
such
that
the
third
dopant
is
diffused
out
of
the
capping
layer
system
(4)
into
the
absorber
layer
(3)
while
the
latter
is
molten
and/or
while
the
latter
is
resolidifying
and/or
while
the
latter
has
solidified.
Herstellungsverfahren
nach
einem
der
beiden
vorhergehenden
Ansprüche,
dadurch
gekennzeichnet,
dass
auf
der
substratabgewandten
Seite
des
Halbleiterschichtsystems
ein
pn-Übergang
bzw.
eine
Emitterschicht
erzeugt
wird,
indem
der
Rekristallisationsschritt
so
gesteuert
wird
bzw.
indem
so
aufgeheizt,
abgekühlt
und
getempert
wird,
dass
dritter
Dotierstoff
aus
dem
Capping-Schichtsystem
(4)
in
die
Absorberschicht
(3)
eindiffundiert
während
diese
geschmolzen
ist
und/oder
während
diese
wieder
erstarrt
und/oder
während
diese
erstarrt
ist.
EuroPat v2
The
method
according
to
claim
4,
characterised
in
that
the
doping
of
the
absorber
layer
(3)
is
controlled
via
the
number,
the
thickness
and/or
the
dopant
content
of
the
individual
layers
of
the
capping
layer
system
(4)
and/or
of
the
intermediate
layer
system
(2).
Herstellungsverfahren
nach
einem
der
vorhergehenden
Ansprüche
und
nach
Anspruch
7,
dadurch
gekennzeichnet,
dass
die
Einstellung
über
einen
Temperaturgradienten
in
der
Absorberschicht
(3)
und/oder
in
dem
Capping-Schichtsystem
(4)
und/oder
zwischen
der
Absorberschicht
(3)
und
dem
Capping-Schichtsystem
(4)
erfolgt.
EuroPat v2
In
this
respect,
a
thin-layer
capping
(fill
poly)
technology
is
described
in
German
Patent
Application
No.
DE
100
06
035
A1,
in
which
the
Si
cap
layer
is
provided
with
a
perforation
composed
of
trenches
which
are
produced
using
a
conventional
deep-etching
process.
In
diesem
Zusammenhang
ist
aus
der
DE
100
06
035
A1
eine
Dünnschichtverkappung
(Füllpoly-Technologie)
bekannt,
bei
der
die
Si-Kappenschicht
mit
einer
Perforation
aus
Trenches
versehen
wird,
die
durch
ein
konventionelles
Tiefenätzverfahren
hergestellt
werden.
EuroPat v2
DE
10
2004
036
803
A1
discloses
an
etching
method
which
may
be
used
for
thin-layer
capping,
in
which
a
very
high
desired
selectivity
of
approximately
4000:1
with
respect
to
polysilicon
may
be
achieved
using
ClF
3
as
the
etchant
in
combination
with
a
(filling)
layer
composed
of
a
silicon-germanium
(Si
1-x
Ge
x)
alloy
which
is
to
be
removed.
Die
DE
10
2004
036
803
A1
offenbart
ein
zur
Dünnschichtverkappung
einsetzbares
Ätzverfahren,
bei
dem
mit
ClF
3
als
Ätzmedium
in
Kombination
mit
einer
zu
entfernenden
(Füll)schicht
aus
Silizium-Germanium
(Si
1-x
Ge
x)
-Legierung
eine
sehr
hohe,
erwünschte
Selektivität
gegenüber
Polysilizium
von
etwa
4000:1
erreichbar
ist.
EuroPat v2
The
basic
concept
is
the
provision
of
a
thin-layer
capping
technology
in
which,
despite
the
fact
that
sensor
structures
which
are
surrounded
by
an
SiGe
(sacrificial)
filling
layer
are
exposed
by
ClF
3
etching
through
small
pores
in
the
Si
capping,
and
despite
the
advantages
associated
with
this
operating
process,
an
etching
attack
on
the
Si
cap
is
prevented
in
a
manner
which
is
technically
not
very
complicated,
namely,
either
by
particularly
selective
(approximately
10,000:1
or
higher)
adjustment
of
the
etching
process
itself
or
by
using
the
finding
that
the
oxide
of
a
germanium-rich
layer
in
contrast
to
oxidized
porous
Si
is
not
stable
but
instead
may
be
easily
dissolved,
in
the
stated
manner
according
to
the
present
invention.
Die
Grundidee
ist
die
Bereitstellung
einer
Dünnschicht-Verkappungstechnologie,
bei
der
trotz
Freilegung
der
mit
einer
SiGe-(Opfer)Füllschicht
umgebenen
Sensorstrukturen
mittels
ClF
3
-Ätzen
durch
kleine
Poren
in
der
Si-Verkappung
hindurch
und
den
mit
dieser
Prozessführung
verbundenen
Vorteilen
ein
Ätzangriff
auf
die
Si-Kappe
auf
prozesstechnisch
wenig
aufwändige
Weise
verhindert
wird,
nämlich
entweder
durch
besonders
selektive
(etwa
10000:1
oder
höher)
Einstellung
des
Ätzprozesses
selbst
oder
dadurch,
die
Einsicht,
dass
das
Oxid
einer
Ge-Schicht
im
Gegensatz
zum
oxidierten
porösen
Si
nicht
stabil,
sondern
leicht
lösbar
ist,
in
der
angegebenen
Weise
in
den
erfindungsgemäßen
Zusammenhang
zu
stellen.
EuroPat v2
One
conventional
capping,
thin-layer
capping
technology,
omits
a
cap
wafer,
and
instead
provides
a
cavity
between
the
micromechanical
structures
to
be
exposed
and
a
silicon
layer
(cap
layer),
which
is
produced
using
a
customary
deposition
process.
Eine
seit
neuerem
bekannte
Verkappungstechnologie,
die
Dünnschicht-Verkappung,
verzichtet
auf
einen
Kappenwafer
und
bildet
stattdessen
einen
Hohlraum
zwischen
den
freizulegenden
mikromechanischen
Strukturen
und
einer
mit
einem
üblichen
Depositionsprozess
erzeugten
Siliziumschicht
(Kappenschicht)
aus.
EuroPat v2
A
device
according
to
claim
1,
wherein
the
capping
layer
(16)
comprises
at
least
one
of
TiO2,
ZnO,
diamond,
SiO2,
Si3N4,
and
TaO.
Vorrichtung
nach
Anspruch
1,
wobei
die
Deckschicht
(16)
wenigstens
eines
von
TiO2,
ZnO,
Diamant,
SiO2,
Si3N4
und
TaO
umfasst.
EuroPat v2
The
emitter-side
boundary
of
the
cap
layer
is
indicated
by
a
separation
line
in
the
emitter.
Die
emitterseitige
Grenze
der
Cap-Schicht
ist
durch
eine
Trennlinie
im
Emitter
angedeutet.
EuroPat v2
This
is
followed
by
structuring
of
the
cap
layer
19
by
trenching.
Daraufhin
folgt
eine
Strukturierung
der
Kappenschicht
19
durch
Trenchen.
EuroPat v2
This
thin
film
and
the
remaining
portions
of
the
cap
layer
3
are
then
removed.
Dieser
dünne
Film
und
die
verbliebenen
Teile
der
Deckschicht
3
werden
nachfolgend
entfernt.
EuroPat v2
The
remaining
portions
of
the
cap
layer
3
thus
form
a
reflector.
Somit
bilden
die
verbleibenden
Teile
der
Deckschicht
3
einen
Reflektor.
EuroPat v2
According
to
the
method,
a
cap
layer
is
applied
to
at
least
one
main
surface
of
the
base
body.
Bei
dem
Verfahren
wird
auf
zumindest
eine
Hauptfläche
des
Grundkörpers
eine
Deckschicht
aufgebracht.
EuroPat v2
According
to
a
particularly
preferred
embodiment,
the
cap
layer
comprises
a
photostructurable
material.
Die
Deckschicht
weist
gemäß
einer
erfindungsgemäßen
Ausführungsform
ein
photostrukturierbares
Material
auf.
EuroPat v2
After
the
application
of
the
luminescence
conversion
material,
the
cap
layer
is
advantageously
removed
completely.
Nach
dem
Aufbringen
des
Lumineszenzkonversionsmaterials
wird
die
Deckschicht
mit
Vorteil
vollständig
entfernt.
EuroPat v2
The
cap
layer
itself
can
thus
advantageously
function
as
a
luminescence
conversion
element.
Damit
kann
die
Deckschicht
selbst
mit
Vorteil
als
ein
Lumineszenzkonversionselement
fungieren.
EuroPat v2
The
cover
layer
130
d
is
also
referred
to
as
the
cap
layer.
Die
Deckelschicht
130d
wird
auch
als
Cap-Schicht
bezeichnet.
EuroPat v2
In
one
embodiment,
the
base
stack
consists
of
a
buffer
layer,
a
base
layer
and
a
cap
layer.
Der
Basisstapel
besteht
in
einer
Ausführungsform
aus
einer
Pufferschicht,
einer
Basisschicht
sowie
einer
Deckschicht.
EuroPat v2
The
moment
after
wet
chemical
exposure
of
the
surface
of
cap
layer
408
is
shown
in
FIG.
Der
Moment
nach
der
nasschemischen
Freilegung
der
Oberfläche
der
Cap-Schicht
408
ist
in
Fig.
EuroPat v2
In
a
subsequent
method
step,
a
cap
layer
19
composed
of
silicon
is
grown
onto
the
start
layer
18
.
Auf
die
Startschicht
18
wird
in
einem
darauffolgenden
Verfahrensschritt
eine
Kappenschicht
19
aus
Silizium
aufgewachsen.
EuroPat v2
In
a
subsequent
step,
the
surface
20
of
the
cap
layer
is
planarized,
for
example
by
means
of
a
CMP
method.
In
einem
darauffolgenden
Schritt
wird
die
Oberfläche
20
der
Kappenschicht,
beispielsweise
mittels
eines
CMP-Verfahrens
planarisiert.
EuroPat v2
Of
course,
portions
of
the
cap
layer
are
also
covered
with
a
thin
film
of
luminescence
conversion
material
2
.
Allerdings
sind
auch
die
Teile
der
Deckschicht
mit
einem
dünnen
Film
von
Lumineszenzkonversionsmaterial
2
bedeckt.
EuroPat v2
The
removal
of
the
cap
layer
or
portions
of
the
cap
layer
is
preferably
effected
substantially
mechanically.
Das
Entfernen
der
Deckschicht
oder
von
Teilen
der
Deckschicht
erfolgt
bevorzugt
im
wesentlichen
mechanisch.
EuroPat v2
Preferably
at
least
one
cavity
is
introduced
into
the
cap
layer,
in
an
operation
that
particularly
includes
photostructuring.
Bevorzugt
wird
mindestens
eine
Kavität
in
die
Deckschicht
eingebracht,
was
insbesondere
Photostrukturieren
umfasst.
EuroPat v2
An
SiGe
base
12
and
subsequently
a
cap
layer
13
were
deposited
over
a
monocrystal
collector
zone
11
.
Über
einkristallinem
Kollektorgebiet
11
wurde
epitaktisch
eine
SiGe-Basis
12
und
anschließend
die
Cap-Schicht
13
abgeschieden.
EuroPat v2