Translation of "Switching loss" in German
The
result
is
significantly
reduced
switching
loss
compared
with
conventional
Si
IGBTs.
Das
Ergebnis
sind
signifikant
verringerte
Schaltverluste
im
Vergleich
zu
konventionellen
Si-IGBTs.
ParaCrawl v7.1
However,
the
switching
frequency
of
the
switches
is
generally
greater
in
the
"PDM
method"
than
in
the
"PSM
method",
which
in
the
past
resulted
in
a
noticeably
higher
switching
power
loss
and
thus
poorer
efficiency.
Jedoch
ist
die
Schalthäufigkeit
der
Schalter
beim
"PDM-Verfahren"
i.a.
höher
als
beim
"PSM-Verfahren",
was
in
der
Vergangenheit
eine
merklich
höhere
Schaltverlustleistung
und
damit
einen
schlechteren
Wirkungsgrad
zur
Folge
hatte.
EuroPat v2
Since
the
power
loss
during
the
switching
is
defined
by
the
product
of
current
and
voltage
within
this
period
of
time,
this
greatly
reduces
the
switching
power
loss.
Da
die
Verlustleistung
während
des
Schaltens
durch
das
Produkt
aus
Strom
und
Spannung
innerhalb
dieses
Zeitraums
definiert
ist,
wird
hierdurch
die
Schaltverlustleistung
stark
reduziert.
EuroPat v2
It
is
disadvantageous
here
that
when
the
load
is
switched
on
both
the
conducting
state
power
loss
and
the
switching
power
loss
occur
at
the
two
conducting
diodes
of
the
bridge
rectifier
and
additionally
at
the
switching
transistor,
and
the
maximum
switching
power
which
can
be
accommodated
in
a
small
volume
is
therefore
limited.
Nachteilig
ist
dabei,
dass
bei
eingeschaltetem
Verbraucher
sowohl
Durchlassverlustleistung
als
auch
Schaltverlustleistung
an
den
beiden
leitenden
Dioden
des
Brückengleichrichters
sowie
zusätzlich
am
Schalttransistor
entstehen
und
damit
die
maximal
in
einem
kleinen
Volumen
unterbringbare
Schaltleistung
begrenzt
ist.
EuroPat v2
The
voltage
ratio
is
thus
equal
to
1,
as
a
result
of
which
no-loss
switching
can
be
guaranteed
for
almost
the
entire
load
range.
Das
Spannungsverhältnis
ist
damit
gleich
1,
womit
das
verlustlose
Einschalten
für
nahezu
den
gesamten
Lastbereich
garantiert
werden
kann.
EuroPat v2
ROHM's
products
are
realized
low
Vce(sat)
and
Low
switching
loss
by
ROHM's
trench
gate
and
thin
wafer
technology.
Produkte
von
ROHM
weisen
dank
der
Trench-Gate-
und
Dünnwafer-Technologie
aus
Eigenentwicklung
ein
niedriges
Vce(sat)
und
geringe
Schaltverluste
auf.
ParaCrawl v7.1
Furthermore,
switching
loss
is
reduced
by
75%
(at
a
chip
temperature
of
150°C)
compared
with
conventional
IGBT
modules
with
similar
current
rating.
Im
Vergleich
zu
herkömmlichen
IGBT-Modulen
mit
ähnlichen
Stromstärken
reduziert
dieses
Modul
die
Schaltverluste
um
75
%
(bei
einer
Chiptemperatur
von
150
°C).
ParaCrawl v7.1
The
load
range
for
no-loss
switching
is
larger
in
comparison
to
conventional
DAB
DC-DC
converters,
even
for
voltage
transformation
ratios
that
do
not
equal
1.
Der
Lastbereich
für
ein
verlustloses
Einschalten
ist
im
Vergleich
zu
konventionellen
DAB-Gleichspannungswandlern
auch
für
Spannungsübersetzungsverhältnisse
ungleich
1
vergrößert.
EuroPat v2
In
one
arrangement
of
the
bidirectional
DC-DC
converter
having
a
3-level
NPC
converter
stage
with
two
clamping
diodes
and
a
2-level
H
bridge,
in
the
case
of
the
same
number
of
semiconductor
switches,
the
voltage
ratio
can
be
set
to
equal
1
by
adapting
the
voltage
amplitudes,
as
a
result
of
which
no-loss
switching
is
guaranteed
over
a
greater
load
range
in
comparison
to
conventional
DAB
DC-DC
converters.
In
einer
Anordnung
des
bidirektionalen
Gleichspannungsschalters
mit
einer
3-level
NPC
Umrichterstufe
mit
zwei
Clamping-Dioden
und
einer
2-level
H-Brücke
bei
gleicher
Anzahl
an
Halbleiterschaltern
kann
über
Anpassung
der
Spannungsamplituden
das
Spannungsverhältnis
gleich
1
gesetzt
werden,
wodurch
das
verlustlose
Einschalten
über
einen
im
Vergleich
zu
konventionellen
DAB-Gleichspannungswandlern
vergrößerten
Lastbereich
garantiert
wird.
EuroPat v2
Multiplied
by
the
number
of
switching-on
and
switching-off
operations
per
second,
the
so-called
switching
frequency,
the
mean
value
of
the
switching
power
loss
then
results.
Multipliziert
mit
der
Anzahl
der
Ein-
bzw.
Ausschaltvorgänge
je
Sekunde,
der
sog.
Schaltfrequenz,
ergibt
sich
dann
der
Mittelwert
der
Schaltverlustleistung.
EuroPat v2
The
instantaneous
value
of
the
power
loss
as
a
product
of
current
and
voltage
thus
remains
small—and
therefore
also
the
values
of
the
switching-on
or
switching-off
energy
losses
and
the
mean
value
of
the
switching
power
loss—,
even
if
the
switching
frequency
has
very
high
values.
Damit
bleibt
der
Momentanwert
der
Verlustleistung
als
Produkt
aus
Strom
und
Spannung
klein
-
und
somit
auch
die
Werte
der
Ein-
bzw.
Ausschaltverlustenergien
und
des
Mittelwerts
der
Schaltverlustleistung
-,
selbst
wenn
die
Schaltfrequenz
sehr
hohe
Werte
aufweist.
EuroPat v2
The
instantaneous
value
of
the
power
loss
as
a
product
of
voltage
and
current
thus
has
only
small
values,
so
that
the
mean
value
of
the
switching
power
loss
also
remains
small.
Damit
weist
der
Momentanwert
der
Verlustleistung
als
Produkt
aus
Spannung
und
Strom
nur
geringe
Werte
auf,
so
dass
auch
der
Mittelwert
der
Schaltverlustleistung
klein
bleibt.
EuroPat v2
Thus,
the
fifth
semiconductor
element
48
with
the
second
characteristic
differs
with
respect
to
at
least
one
power
loss,
i.e.,
with
respect
to
the
switching
loss
and/or
the
conduction
loss,
from
the
other
two
semiconductor
elements
connected
in
parallel
46,
50
having
the
first
characteristic
and
thus
the
at
least
one
first
power
loss.
Somit
unterscheidet
sich
das
fünfte
Halbleiterelement
48
mit
der
zweiten
Charakteristik
hinsichtlich
mindestens
einer
Verlustleistung,
d.
h.
hinsichtlich
des
Schaltverlusts
und/oder
des
Durchlassverlusts,
von
den
beiden
anderen
dazu
parallel
geschalteten
Halbleiterelementen
46,
50,
die
die
erste
Charakteristik
und
somit
die
mindestens
eine
erste
Verlustleistung
aufweisen.
EuroPat v2
However,
it
is
also
possible
for
two
semiconductor
elements
40,
42,
44,
46,
48,
50
arranged
in
parallel
with
each
other,
such
as,
for
example,
in
the
case
of
the
second
circuit
arrangement
32,
to
have
the
same
architecture,
and
to
be
designed
here
as
IGBTs,
yet
to
differ
from
each
other
with
respect
to
at
least
one
power
loss,
i.e.,
with
respect
to
the
switching
loss
and/or
conduction
loss.
Es
ist
jedoch
auch
möglich,
dass
zwei
zueinander
parallel
angeordnete
Halbleiterelemente
40,
42,
44,
46,
48,
50,
wie
bspw.
im
Fall
der
zweiten
Schaltungsanordnung
32,
zwar
dieselbe
Architektur
aufweisen,
und
hier
jeweils
als
IGBTs
ausgebildet
sind,
sich
jedoch
hinsichtlich
mindestens
einer
Verlustleistung,
d.
h.
hinsichtlich
des
Schaltverlusts
und/oder
Durchlassverlusts
voneinander
unterscheiden.
EuroPat v2
This
is
already
the
case
when
the
two
semiconductor
elements
40,
42,
44,
46,
48,
50
arranged
in
parallel
with
each
other
differ
from
each
other
only
with
respect
to
one
power
loss,
i.e.,
only
with
respect
to
the
switching
loss
or
the
conduction
loss,
yet
have
a
second
power
loss
with
the
same
value
each
time.
Dies
ist
bereits
dann
der
Fall,
wenn
sich
die
beiden
zueinander
parallel
angeordneten
Halbleiterelemente
40,
42,
44,
46,
48,
50
lediglich
hinsichtlich
einer
Verlustleistung,
d.
h.
lediglich
hinsichtlich
des
Schaltverlusts
oder
des
Durchlassverlusts
voneinander
unterscheiden,
jedoch
eine
zweite
Verlustleistung
mit
jeweils
demselben
Wert
aufweisen.
EuroPat v2
The
two
characteristic
curves
104,
106,
also
known
as
trade-off
characteristic
curves,
show
a
particular
relationship
between
conduction
loss
and
switching
loss
of
a
particular
semiconductor
element.
Dabei
zeigen
die
beiden
Kennlinien
104,
106,
die
auch
als
Trade-Off-Kennlinien
bezeichnet
werden,
einen
jeweiligen
Zusammenhang
zwischen
Durchlassverlust
und
Schaltverlust
eines
jeweiligen
Halbleiterelements.
EuroPat v2
Since
the
two
characteristic
curves
104,
106
are
shifted
in
parallel
to
each
other,
the
two
semiconductor
elements
differ
here
from
each
other
with
respect
to
their
conduction
loss
and
their
switching
loss.
Da
die
beiden
Kennlinien
104,
106
zueinander
parallel
verschoben
sind,
unterscheiden
sich
die
beiden
Halbleiterelemente
hier
hinsichtlich
ihres
Durchlassverlusts
sowie
ihres
Schaltverlusts
voneinander.
EuroPat v2