Translation of "Sputter target" in German
Therefore
in
the
case
of
these
conventional
high-speed
sputter
sources
the
target
is
cooled.
Daher
wird
bei
diesen
herkömmlichen
Hochratesputterquellen
das
Target
gekühlt.
EuroPat v2
A
sputter
target
2
is
arranged
in
the
sputter
reactor
1.
In
dem
Sputterreaktor
1
ist
ein
Sputtertarget
2
angeordnet.
EuroPat v2
The
collimator
4
is
arranged
between
the
sputter
target
2
and
the
substrate
wafer
3.
Zwischen
dem
Sputtertarget
2
und
der
Substratscheibe
3
ist
ein
Kollimator
4
angeordnet.
EuroPat v2
Directly
beneath
the
sputter
target
accordingly
the
influence
is
greatest.
Direkt
unter
dem
Sputtertarget
ist
demnach
der
Einfluß
am
größten.
EuroPat v2
The
sputter
target
as
so
produced
has
excellent
mechanical
strength
and
high
thermal
shock
resistance.
Die
erfindungsgemäß
hergestellten
Sputter-Targets
weisen
eine
hervorragende
mechanische
Festigkeit
und
eine
hohe
thermische
Belastbarkeit
auf.
EuroPat v2
It
can
comprise
a
fluid
or
particle
source,
e.g.,
a
sputter
target,
an
electron
source
or
the
like.
Er
kann
eine
Fluid-
oder
Partikelquelle
aufweisen,
etwa
ein
Sputtertarget,
eine
Elektronenquelle
oder
ähnliches.
EuroPat v2
A
process
for
producing
a
sputter
target
according
to
claim
1,
wherein
the
composite
body
is
comprised
of
one
or
more
of
carbides
selected
from
the
group
consisting
of
tungsten
carbide,
titanium
carbide,
tantalum
carbide,
niobium
carbide,
zirconium
carbide,
chromium
carbide,
and
molybdenum
carbide
and
wherein
said
binding
agent
is
comprised
of
one
or
more
metals
of
the
iron
group
of
the
periodic
table.
Verfahren
zur
Herstellung
eines
Sputter-Targets
nach
Anspruch
1,
dadurch
gekennzeichnet,
daß
der
Verbundkörper
aus
einem
oder
mehreren
der
Karbide
aus
der
Gruppe
Wolframkarbid,
Titankarbid,
Tantalkarbid,
Niobkarbid,
Zirkonkarbid,
Chromkarbid,
Molybdänkarbid,
mit
einem
Bindemittel
aus
einem
oder
mehreren
Metallen
der
Eisengruppe
hergestellt
wird.
EuroPat v2
A
process
for
producing
a
sputter
target
according
to
claim
1,
wherein
the
composite
body
is
comprised
of
one
or
more
of
the
nitrides
selected
from
the
group
consisting
of
tungsten
nitride,
titanium
nitride,
tantalum
nitride,
niobium
nitride,
zirconium
nitride,
chromium
nitride,
and
molybdenum
nitride,
and
wherein
said
binding
agent
is
comprised
of
one
or
more
metals
of
the
iron
group
of
the
periodic
table.
Verfahren
zur
Herstellung
eines
Sputter-Targets
nach
Anspruch
1,
dadurch
gekennzeichnet,
daß
der
Verbundkörper
aus
einem
oder
mehreren
der
Nitride
aus
der
Gruppe
Wolframnitrid,
Titannitrid,
Tantalnitrid,
Niobnitrid,
Zirkonnitrid,
Chromnitrid,
Molybdännitrid,
mit
einem
Bindemittel
aus
einem
oder
mehreren
Metallen
der
Eisengruppe
hergestellt
wird.
EuroPat v2
In
the
known
sputter
methods
the
target
is
for
example
the
one
electrode
and
the
substrate
the
other
electrode
which
is
connected
electrically
to
both
outputs
of
an
electric
power
supply
device.
Bei
den
bekannten
Sputterverfahren
stellt
z.B.
das
Target
die
eine
Elektrode
und
das
Substrat
eine
zweite
Elektrode
dar,
welche
mit
den
beiden
Ausgängen
einer
Stromversorgungseinrichtung
elektrisch
verbunden
ist.
EuroPat v2
According
to
the
invention,
the
object
is
accomplished
by
a
method
of
this
kind
as
mentioned
in
the
introduction
in
that
electric
power
is
applied
to
the
plasma
charge
acting
upon
the
sputter
target
to
be
evaporated
by
means
of
at
least
two
electrodes
arranged
in
the
vicinity
of
each
other
in
the
plasma
reaction
space,
and
where
electric
power
is
selected
such
that
oxide
layers
to
be
precipitated
on
the
substrate
to
be
coated
are
deposited
at
a
coating
rate
of
>4
nm/s,
whereby
during
the
coating
process
the
substrate
to
be
coated
is
arranged
stationary
in
relation
to
the
target
material
to
be
evaporated.
Erfindungsgemäß
wird
diese
Aufgabe
bei
einem
gattungsgemäßen
verfahren
der
eingangs
genannten
Art
gemäß
Anspruch
1
dadurch
gelöst,
daß
der
auf
das
zu
zerstäubende
Sputtertarget
einwirkenden
Plasmaladung
mittels
mindestens
zwei
benachbart
zueinander
im
Plasmareaktionsraum
angeordneter
Elektroden
eine
elektrische
Leistung
zugeführt
wird,
die
derartig
bemessen
wird,
daß
die
auf
dem
zu
beschichtenden
Substrat
abzuscheidenden
Oxydschichten
mit
einer
Schichtwachstumsrate
von
>
4
m/s
abgeschieden
werden,
wobei
während
des
Beschichtungsprozesses
das
zu
beschichtende
Substrat
in
bezug
zum
zu
zerstäubenden
Targetmaterial
stationär
angeordnet
ist.
EuroPat v2
A
coating
rate
of
>40
nm
m/min
is
proposed
for
substrates
which
during
the
coating
process
are
to
be
moved
in
front
of
the
sputter
target
as
in
so-called
continuous
systems.
Für
Substrate,
welche
während
des
Beschichtungsprozesses
vor
dem
Sputtertarget
entlang
zu
verfahren
sind,
wie
bei
Anwendung
in
sogenannten
Durchlaudanlagen,
wird,
wie
in
Anspruch
2
vorgeschlagen,
eine
Schichtwachstumsrate
von
>
40
nm
m/min
vorgeschlagen.
EuroPat v2
In
particular,
the
objective
is
achieved
in
that
a
sputtering
device
is
equipped
with
a
filter
that
is
positioned
between
the
sputter
target
and
the
substrate
in
such
a
way
that
the
sputter
particle
flux
is
passed
through
it
and
focused.
Insbesondere
wird
die
Aufgabe
dadurch
gelöst,
dass
eine
Sputtervorrichtung
mit
einem
Filter
ausgestattet
wird,
der
so
zwischen
Sputtertarget
und
Substrat
eingebracht
ist,
dass
der
Sputterteilchenfluss
durch
ihn
hindurchgeleitet
und
fokussiert
wird.
EuroPat v2
A
voltage
drop
occurs
in
front
of
the
cathode
and
this
accelerates
the
positively
charged
particles
of
the
plasma
so
that
these
particles
strike
a
sputter
target
22
that
is
located
in
front
of
the
cathode.
Vor
der
Kathode
bildet
sich
ein
Spannungsabfall
aus,
der
die
positiv
geladenen
Teilchen
des
Plasmas
beschleunigt,
so
dass
diese
auf
ein
Sputtertarget
22
treffen,
das
sich
vor
der
Kathode
befindet.
EuroPat v2
The
filter
is
placed
between
at
least
one
sputtering
cathode
with
a
sputter
target
and
the
substrate
that
is
to
be
coated,
so
that
the
flux
of
the
sputtered
off
particles
is
passed
through
the
filter
structure.
Der
Filter
wird
dabei
zwischen
wenigstens
einer
Zerstäubungskathode
mit
Sputtertarget
und
dem
zu
beschichtenden
Substrat
eingebracht,
so
dass
der
Fluss
der
abgesputterten
Teilchen
durch
die
Filterstruktur
geleitet
wird.
EuroPat v2
On
the
other
hand
intensive
cooling,
such
as
described
above,
has
to
be
provided
at
the
chamber
wall
and
at
the
sputter
target,
which
leads
to
high
consumption
of
cooling
water.
Andererseits
muß
an
der
Kammerwand
und
dem
Sputtertarget
eine
intensive
Kühlung,
wie
oben
beschrieben,
vorgesehen
werden,
was
zu
einem
hohen
Kühlwasserverbrauch
führt.
EuroPat v2
In
order
to
achieve
a
certain
application
direction
during
the
sputtering
process,
an
especially
preferred
embodiment
of
the
invention
proposes
that
the
sputtering
cathode
with
the
sputter
target
and
the
filter
structure
located
behind
it
in
the
sputtering
direction
be
positioned
at
an
angle
relative
to
the
substrate.
Um
eine
bestimmte
Auftragsrichtung
beim
Sputtervorgang
zu
realisieren,
sieht
ein
besonders
bevorzugtes
Ausführungsbeispiel
der
Erfindung
vor,
die
Zerstäubungskathode
mit
Sputtertarget
und
die
sich
in
Sputterrichtung
dahinter
befindende
Filterstruktur
unter
einem
Winkel
zum
Substrat
anzubringen.
EuroPat v2
The
invention
pertains
to
a
sputter
target
for
cathodic
atomization
to
produce
transparent,
electrically
conductive
layers,
the
target
being
produced
from
partially
reduced
indium
oxide-tin
oxide
powder
mixtures
or
partially
reduced
co-precipitated
indium
oxide-tin
oxide
powders,
and
to
a
process
for
the
production
of
these
targets.
Die
Erfindung
betrifft
ein
Sputtertarget
für
die
Kathodenzerstäubung
zur
Herstellung
transparenter,
elektrisch
leitfähiger
Schichten,
hergestellt
aus
teilweise
reduzierten
Indiumoxid-Zinnoxid-Pulvergemischen
oder
teilweise
reduzierten
kogefällten
Indiumoxid-Zinnoxid-Pulvern,
und
ein
Verfahren
zur
Herstellung
dieser
Targets.
EuroPat v2
A
substrate
wafer
3
is
arranged
opposite
the
sputter
target
2
such
that
the
center
of
the
wafer
coincides
with
the
center
of
the
sputter
reactor
1.
Dem
Sputtertarget
2
gegenüber
ist
eine
Substratscheibe
3
so
angeordnet,
daß
der
Scheibenmittelpunkt
mit
dem
Mittelpunkt
des
Sputterreaktors
1
zusammenfällt.
EuroPat v2
The
high-temperature-stable
nickel
base
alloy
Haynes
230,
used
for
power
units
and
housings,
is
preferably
used
as
a
sputter
target
in
order
to
use
this
material
as
a
sputtered
thin
film
for
this
micro-system-related
use.
Die
für
Triebwerke
und
Gehäuse
verwendete
hochtemperaturstabile
Nickelbasislegierung
Haynes
230
wird
bevorzugt
als
Sputtertarget
verwendet,
um
dieses
Material
als
gesputterte
Dünnschicht
für
diese
mikrosystemtechnische
Anwendung
zu
verwenden.
EuroPat v2