Translation of "Junction surface" in German
The
solar
cell
contains
only
one
pn
junction
on
one
surface
side
of
the
semiconductor
body.
Die
Solarzelle
enthält
nur
einen
pn-Übergang
an
einer
Oberflächenseite
des
Halbleiterkörpers.
EuroPat v2
Without
the
diffusion,
the
line
of
the
intersection
between
the
p-n
junction
and
the
surface
of
the
component
would
lie
at
31.
Ohne
die
genannte
Diffusion
würde
die
Grenzlinie
zwischen
dem
pn-Übergang
und
der
Oberfläche
des
Halbleiterbauteil
bei
31
liegen.
EuroPat v2
The
factor
G
is
a
geometry
factor
that
is
dependent
on
the
distance
D
of
the
pn-junction
from
the
surface
12
of
the
semiconductor
body
10,
on
the
width
B
of
the
annular
strip
214
of
the
electrode
14
lying
on
the
semiconductor
surface
12
and
on
the
conductivity
of
the
semiconductor
material.
Der
Faktor
G
ist
ein
Geometriefaktor,
der
vom
Abstand
D
des
pn-Übergangs
von
der
Oberfläche
12
des
Halbleiterkörpers
10,
von
der
Breite
B
des
auf
der
Halbleiteroberfläche
12
aufliegenden
Ringstreifens
214
der
Elektrode
14
und
von
der
Leitfähigkeit
des
Halbleitermaterials
abhängt.
EuroPat v2
This
was
followed
by
concentration
in
a
centrifuge
with
full
casing
and
with
a
slenderness
ratio
of
about
3,
a
conical
part
with
an
angle
of
10°,
a
dry
section
of
115
mm
caused
by
difference
of
20
mm
between
the
overflow
and
sediment
discharge
diameters),
a
suspension
feed
approximately
at
the
cylindrical/conical
junction
and
a
surface
loading
of0.8
l/(m2
·h).
Anschließend
erfolgte
die
Aufkonzentrierung
in
einer
Vollmantelzentrifuge
mit
einem
Schlankheitsgrad
von
ca.
3,
einem
Konuswinkel
von
10°,
einer
Trockenstrecke
von
115
mm
(bedingt
durch
eine
Differenz
von
20
mm
zwischen
Überlauf-
und
Schlammabwurfdurchmesser),
einem
Suspensionszulauf
etwa
am
Übergang
Zylinder/Konus
und
einer
Klärflächenbelastung
von
0,8
l/(m²
·
h).
EuroPat v2
The
disadvantages
which
result
from
such
a
discontinuity
in
the
profile
of
the
finger
period
at
the
junction
between
two
surface
acoustic
wave
structures
(in
this
case
two
transducers)
have
already
been
explained
in
the
introduction.
Die
Nachteile,
die
aus
einem
solchen
unstetigen
Verlauf
der
Fingerperiode
am
Übergang
zwischen
zwei
Oberflächenwellenstrukturen
(hier
zwei
Wandlern)
entstehen,
wurden
eingangs
bereits
erläutert.
EuroPat v2
It
is
possible
that
peaks
which
may
be
conductive
and
which
result
in
field
distortions
may
be
present
at
the
surface
at
the
junction
between
the
surface
and
the
adhesive
layer.
Es
ist
möglich,
dass
am
Übergang
zwischen
der
Oberfläche
und
der
Haftschicht
eventuell
leitende
Spitzen
an
der
Oberfläche
vorhanden
sind,
die
zu
Feldverzerrungen
führen.
EuroPat v2
In
the
course
of
the
process
of
implanting
impurities
of
the
conductivity
type
of
the
base
region,
for
example,
boron
in
the
case
of
an
integrated
NPN
planar
transistor,
at
least
the
area
of
the
N-channel
field-effect
transistor
should
be
protected
with
the
aid
of
photoresist
mask
in
cases
where
the
possible
formation
of
a
disturbing
PN
junction
on
the
surface
of
the
n-doped
regions
25
is
feared.
Bei
dem
Implantationsprozeß
von
Verunreinigungen
des
Leistungstyps
der
Basiszone,
beispielsweise
Bor
im
Falle
eines
integrierten
NPN-Planartransistors,
sollte
zumindest
der
Bereich
des
N-Kanal-Feldeffekttransistors
mittels
einer
Photolackmaske
geschützt
werden,
wenn
die
Ausbildung
eines
störenden
PN-Übergangs
an
der
Oberfläche
der
n-dotierten
Zonen
25
zu
befürchten
ist.
EuroPat v2
In
power
semiconductors,
which
usually
have
to
satisfy
high
requirements
in
relation
to
the
reverse
voltage,
it
is
therefore
necessary
to
reduce
the
electrical
field
at
the
P-N
junction
on
the
surface,
which
is
synonymous
with
a
widening
of
the
space
charge
zone
associated
with
the
P-N
junction.
Bei
Leistungshalbleitern,
die
bezüglich
der
Sperrspannung
üblicherweise
hohen
Anforderungen
genügen
müssen,
ist
es
daher
notwendig,
das
elektrische
Feld
am
P-N-Uebergang
auf
der
Oberfläche
zu
reduzieren,
was
gleichbedeutend
ist
mit
einer
Verbreiterung
der
zum
P-N-Uebergang
gehörenden
Raumladungszone.
EuroPat v2
The
essence
of
the
invention
is
to
provide,
in
the
edge
region
of
the
semiconductor
component
in
which
the
P-N
junction
formed
by
a
thin
upper
doping
region
and
the
substrate
situated
below
it
emerges
at
the
surface,
an
oppositely
doped
lower
doping
region,
which
limits
the
charge
carriers
available
in
the
bulk
of
the
substrate
and
thus
reduces
the
maximum
field
strength
where
the
P-N
junction
intersects
the
surface,
in
the
bulk
of
the
substrate
below
the
P-N
junction.
Der
Kern
der
Erfindung
besteht
darin,
im
Randbereich
des
Halbleiterbauelements,
in
dem
der
durch
eine
dünne
obere
Dotierungszone
und
das
darunterliegende
Substrat
gebildete
P-N-Uebergang
an
die
Oberfläche
tritt,
unterhalb
des
P-N-Uebergang
im
Volumen
des
Substrats
eine
entgegengesetzt
dotierte
untere
Dotierungszone
vorzusehen,
die
im
Volumen
des
Substrats
die
verfügbaren
Ladungsträger
begrenzt
und
so
die
maximale
Feldstärke
im
Bereich
des
Oberflächendurchtritts
des
P-N-Uebergangs
herabsetzt.
EuroPat v2
The
apparatus
of
claim
1,
further
comprising
a
layer
of
silicide
material
on
the
surface
of
the
first
junction
region,
the
surface
of
the
second
junction
region,
and
the
gate
electrode
(132),
wherein
the
layer
of
silicide
material
comprises
one
of
nickel
silicide
(NiSi),
titanium
silicide
(TiSi2),
and
cobalt
silicide
(CoSi2).
Vorrichtung
gemäß
Anspruch
1,
ferner
umfassend
eine
Schicht
von
Silicidmaterial
auf
der
Oberfläche
des
ersten
Übergangsbereichs,
der
Oberfläche
des
zweiten
Übergangsbereichs
und
der
Gate-Elektrode
(132),
wobei
die
Schicht
von
Silicidmaterial
eines
von
Nickelsilicid
(NiSi),
Titansilicid
(TiSi2)
und
Cobaltsilicid
(CoSi2)
umfasst.
EuroPat v2
Therefore,
if
the
passivating
layer
is
undercut
beneath
the
mask
opening,
the
layer
will
not
properly
overlap
the
implanted
emitter/base
junction
at
the
surface
of
the
substrate
and
device
yields
are
reduced.
This
undercutting
occurs
when
etching
through
composite
layers
of
silicon
nitride
and
silicon
oxide
to
open
the
emitter
area
where
a
difference
in
the
thickness
of
the
oxide
layer
between
collector
and
emitter
requires
an
overetch
of
the
emitter
opening
in
order
to
remove
a
thicker
oxide
layer
portion
over,
for
example,
a
collector
or
Schottky
barrier
diode
contact
region.
Durch
die
Unterätzung
der
passivierenden
Maske
wird
der
Emitter-Basis-Übergang
an
der
Oberfläche
des
Halbleitersubstrats
nicht
abgedeckt,
so
daß
sich
ein
Ausbeuteverlust
einstellt.
Die
genannte
Unterätzung
tritt
dann
auf,
wenn
die
Maske
aus
einer
Doppelschicht
von
beispielsweise
Siliciumnitrid
und
Siliciumoxid
besteht.
Es
zeigt
sich
nämlich,
daß
beim
Aufbringen
der
Siliciumoxidschicht
diese
im
Bereich
über
der
Kollektorzone
schneller
wächst
als
über
dem
Bereich
der
die
Emitterzone
aufnehmenden
Basiszone.
EuroPat v2
The
present
invention
relates
to
a
process
for
mounting
components
with
surface
junctions,
in
particular
flat,
film-shaped
components,
to
printed-circuit
boards,
wherein
the
junctions
are
connected
by
soldering
to
the
printed-circuit
board.
Die
vorliegende
Erfindung
bezieht
sich
auf
ein
Verfahren
zum
Befestigen
von
Bauelementen
mit
flächigen
Anschlußkontakten,
insbesonders
von
flachen,
filmartigen
Bauelementen,
auf
Leiterplatten,
bei
dem
die
Anschlußkontakte
durch
Löten
mit
der
Leiterplatte
verbunden
werden.
EuroPat v2
It
is
furthermore
known
to
control
the
temperature
at
the
surface
of
a
printed-circuit
board
by
means
of
a
heating
plate
or
radiators
in
such
manner
that
the
soldering
temperature
is
achieved
at
the
desired
connection
sites
of
the
conductors
on
the
printed-circuit
board
and
the
surface
junctions
of
the
components.
Es
ist
weiterhin
bekannt,
mittels
einer
Wärmeplatte
oder
Strahlern
die
Temperatur
auf
der
Oberfläche
einer
Leiterplatte
so
zu
steuern,
daß
an
den
gewünschten
Verbindungsstellen
von
Leiterbahnen
auf
der
Leiterplatte
und
den
flächigen
Anschlußkontakten
der
Bauelemente
die
Löttemperatur
erreicht
wird.
EuroPat v2
This
process
offers
the
feasibility
to
mount
a
plurality
of
components
with
surface
junctions
to
the
printed-circuit
board
in
one
operational
step.
Dieses
Verfahren
bietet
die
Möglichkeit,
eine
Vielzahl
von
Bauelementen
mit
flächigen
Anschlußkontakten
in
einem
Arbeitsvorgang
auf
der
Leiterplatte
zu
befestigen.
EuroPat v2
In
order
to
mount
for
instance
component
10,
the
template
is
so
placed
that
the
recess
26
points
upward,
and
a
component
10
is
so
placed
into
the
recess
26
with
the
surface
junctions
12,13
pointing
upward
(that
is,
downward
in
FIG.
Zum
Befestigen
beispielsweise
des
Bauelements
10
wird
die
Schablone
so
gelegt,
daß
die
Aussparung
26
nach
oben
weist,
und
ein
Bauelement
10
wird
so
in
die
Aussparung
26
eingelegt,
daß
die
flächigen
Anschlußkontakte
12,13
nach
oben,
(d.h.
in
Fig.
EuroPat v2
In
principle
all
components
with
surface
junctions
can
be
soldered
to
a
printed-circuit
board
by
the
process
of
the
invention.
Grundsätzlich
können
nach
dem
erfindungsgemäßen
Verfahren
sämtliche
mit
flächigen
Anschlußkontakten
versehene
Bauelemente
auf
einer
Leiterplatte
verlötet
werden.
EuroPat v2
A
component
edge
is
produced
by
the
separation
at
which
pn-junction
barrier
surfaces
come
to
the
surface
and
thereby
come
into
contact
with
the
atmosphere
surrounding
the
component.
Durch
das
Trennen
entsteht
ein
Bauelementenrand,
an
dem
sperrende
pn-Ubergangsflächen
an
die
Oberfläche
treten
und
dadurch
mit
der
das
Bauelement
umgebenden
Atmosphäre
in
Kontakt
kommen.
EuroPat v2
A
passivation
layer
13
covers
those
parts
of
this
main
surface
at
which
p-n
junctions
meet
the
surface.
Eine
Passivierungsschicht
13
deckt
diejenigen
Teile
der
genannten
Hauptoberfläche
ab,
an
denen
pn-Übergänge
an
die
Oberfläche
treten.
EuroPat v2