Translation of "Electron mobility" in German
Electron
mobility
is
almost
always
specified
in
units
of
cm2/(V·s).
Gewöhnlich
wird
die
Mobilität
in
cm2/(V·s)
angegeben.
WikiMatrix v1
Compared
to
metal
elements,
graphene
has
the
advantageous
property
of
anisotropic
electron
mobility.
Graphen
hat
gegenüber
Metall-Elementen
die
vorteilhafte
Eigenschaft
einer
anisotropen
Elektronenbeweglichkeit.
EuroPat v2
This
also
results
in
a
significant
improvement
in
the
hole
and
electron
mobility.
Das
führt
auch
zu
einer
bedeutenden
Verbesserung
der
Loch-
und
Elektronenbeweglichkeit.
EuroPat v2
The
charge-carrier
mobility,
in
particular
the
electron
mobility,
is
inadequate.
Die
Ladungsträgermobilität,
insbesondere
die
Elektronenmobilität,
ist
nicht
ausreichend.
EuroPat v2
Furthermore,
the
material
has
a
low
electron
mobility
and
a
high
hole
mobility.
Weiterhin
verfügt
das
Material
über
eine
geringe
Elektronenmobilität
und
eine
hohe
Löchermobilität.
EuroPat v2
Electron
mobility
is
almost
always
specified
in
units
of
cm2
/(V
·s).
Gewöhnlich
wird
die
Mobilität
in
cm2
/(V·s)
angegeben.
ParaCrawl v7.1
A
chip
carrier
according
to
the
invention
is
particularly
suitable
for
a
HEMT
(High
electron
mobility
transistor)
component.
Ein
Chipträger
nach
der
Erfindung
ist
insbesondere
für
ein
HEMT(High
electron
mobility
transistor)-Bauelement
geeignet.
EuroPat v2
The
relatively
high
doping
level
leads
to
a
reduced
electron
mobility
and,
hence,
to
relatively
high
resistance
values.
Die
relativ
hohe
Dotierung
führt
zu
einer
erniedrigten
Elektronenbeweglichkeit
und
damit
zu
relativ
hohen
Widerstandswerten.
EuroPat v2
However,
the
present
invention
is
not
limited
to
the
materials
mentioned
in
the
embodiment
but
is
suitable
for
all
semiconductor
materials
which
permit
the
manufacture
of
an
HEMT
(high
electron
mobility
transistor).
Die
Erfindung
ist
jedoch
nicht
auf
die
im
Ausführungsbeispiel
angegebenen
Materialien
beschränkt,
sondern
für
alle
Halbleitermaterialien
geeignet,
die
die
Herstellung
eines
HEMT
(High
Electron
Mobility
Transistors)
ermöglichen.
EuroPat v2
The
layer
of
the
invention
exhibits
a
very
high
electron
mobility,
thereby
significantly
improving
the
stability
of
an
electroluminescence
device
constructed
with
said
layer
over
the
known
devices
of
this
type
since
the
degradation
processes
near
the
cathode
caused
by
local
temperature
effects
or
electromigration
processes
are
reduced
significantly.
Die
erfindungsgemäße
Schicht
weist
eine
sehr
hohe
Elektronenbeweglichkeit
auf,
wodurch
die
Stabilität
einer
mit
dieser
Schicht
aufgebauten
Elektrolumineszenzvorrichtung
gegenüber
den
bisher
bekannten
dieser
Art
signifikant
verbessert
werden
kann,
da
die
sonst
durch
lokale
Temperatureffekte
oder
Elektronenwanderungsprozesse
entstehenden
Degradationsprozesse
an
der
Kathode
stark
vermindert
werden
können.
EuroPat v2
A
charge
transport
layer
disposed
between
the
active
layer
and
the
anode
and
having
a
high
hole
mobility,
but
only
a
limited
electron
mobility,
is
called
a
hole
transport
layer
(HTL).
Eine
Ladungstransportschicht,
die
zwischen
der
aktiven
Schicht
und
der
Anode
angeordnet
ist
und
hohe
Löcher-
und
nur
eingeschränkte
Elektronenbeweglichkeit
besitzt,
wird
als
Löchertransportschicht
(HTL)
bezeichnet.
EuroPat v2
The
fluorinated
oligophenylenes
of
the
invention
represent
a
completely
new
class
of
materials
distinguished
by
an
especially
high
electron
mobility.
Die
erfindungsgemäß
fluorierten
Oligophenyle
stellen
eine
völlige
neue
Materialklasse
dar,
welche
sich
durch
eine
besonders
hohe
Elektronenbeweglichkeit
auszeichnet.
EuroPat v2
In
this
way,
it
is
possible
to
produce
different
lateral
tension
or
compression
stresses
in
the
semiconductor
layer
structure
of
a
superlattice
so
as
to
influence
electron
mobility.
Auf
diese
Art
und
Weise
ist
es
möglich,
in
der
Halbleiter-Schichtenfolge
eines
Supergitters
unterschiedliche
laterale
Zug-
oder
Druckspannungen
zu
erzeugen,
welche
die
Elektronenbeweglichkeit
beeinflussen.
EuroPat v2
Surprisingly,
it
has
been
noted
that
Sb
doping
in
only
the
Si0.55
Ge0.45
semiconductor
layers
results
in
a
significant
increase
in
electron
mobility
in
the
created
superlattice.
Überraschenderweise
wurde
festgestellt,
daß
eine
Sb-Dotierung
lediglich
in
den
Si
0.55
Ge
0.45
-Halbleiterschichten
zu
einer
erheblichen
Erhöhung
der
Elektronenbeweglichkeit
in
dem
entstandenen
Supergitter
führt.
EuroPat v2
The
converters
have
an
output
voltage
of
+6V
which
is
ideal
to
efficiently
switch
GaN
HEMTs
(High
Electron
Mobility
Tranistors)
without
causing
a
gate
dielectric
breakdown.
Die
Wandler
haben
eine
Ausgangsspannung
von
+6V.
Sie
ist
ideal,
um
GaN-HEMTs
(High
Electron
Mobility
Tranistors)
effizient
zu
schalten,
ohne
einen
dielektrischen
Durchschlag
zu
verursachen.
ParaCrawl v7.1
CGH40010
Transistor
-
Cree's
CGH40010
is
an
unmatched,
gallium
nitride
(GaN)
high
electron
mobility
transistor
(HEMT).
Transistor
CGH40010
-
Der
CGH40010
von
Cree
ist
ein
unübertroffener
GaN-HEMT
(Galliumnitrid-Transistor
mit
hoher
Elektronenbeweglichkeit,
High
Electron
Mobility
Transistor).
ParaCrawl v7.1
Said
conducting
channel
now
has
an
electron
mobility
corresponding
to
that
in
direct
bandgap
semiconductors.
Dieser
Leitungskanal
weist
nun
mehr
eine
Elektronenbeweglichkeit
auf,
die
der
Beweglichkeit
von
Elektronen
in
Halbleitern
mit
direkter
Bandlücke
entspricht.
EuroPat v2