Translation of "Carrier mobility" in German
The
membrane
contains
a
proton
carrier
of
high
mobility.
Die
Membran
enthält
einen
Protonencarrier
von
hoher
Mobilität.
EuroPat v2
The
impairment
of
the
charge
carrier
mobility
in
the
channel
becomes
particularly
apparent
in
p-channel
MOS
transistors.
Die
Verschlechterung
der
Ladungsträgerbeweglichkeit
im
Kanal
macht
sich
besonders
bei
p-Kanal-MOS-Transistoren
bemerkbar.
EuroPat v2
However,
sodium
exhibits
the
highest
charge
carrier
mobility.
Allerdings
weist
Natrium
die
höchste
Ladungsträgerbeweglichkeit
auf.
EuroPat v2
A
crane
mounted
on
a
truck
carrier
provides
the
mobility
for
this
type
of
crane.
Ein
Kran
auf
einem
LKW-Träger
bietet
die
Mobilität
für
diesen
Krantyp.
ParaCrawl v7.1
In
this
way,
particularly
high
levels
of
charge
carrier
mobility
can
be
achieved.
Auf
diese
Weise
können
besonders
hohe
Ladungsträgerbeweglichkeiten
erzielt
werden.
EuroPat v2
In
this
way,
regions
having
high
charge
carrier
concentration
and
charge
carrier
mobility
can
be
produced
in
a
targeted
manner.
Auf
diese
Weise
lassen
sich
gezielt
Bereiche
mit
hoher
Ladungsträgerkonzentration
und
Ladungsträgerbeweglichkeit
erzeugen.
EuroPat v2
However,
specific
limits
are
encountered
in
this
case
on
account
of
a
limited
charge
carrier
mobility
in
semiconductor
materials.
Hierbei
stößt
man
jedoch
aufgrund
einer
begrenzten
Ladungsträgerbeweglichkeit
in
Halbleitermaterialien
an
bestimmte
Grenzen.
EuroPat v2
Rubrene
holds
the
distinction
of
being
the
organic
semiconductor
with
the
highest
carrier
mobility,
reaching
40
cm2/(V·s)
for
holes.
Rubren
weist
mit
40
cm2/(V·s)
die
höchste
Ladungsträgerbeweglichkeit
für
Defektelektronen
unter
den
organischen
Halbleitern
auf.
Wikipedia v1.0
Preferably,
the
high-frequency
preamplifiers
and
the
switchable
high-frequency
amplifying
arrangements
are
formed
by
transistors
which
have
a
high
charge
carrier
mobility.
Vorzugsweise
sind
die
Hochfrequenz-Vorverstärker
und
die
schaltbaren
Hochfrequenz-Verstärkeranordnungen
mit
Transistoren
mit
hoher
Ladungsträgerbeweglichkeit
ausgebildet.
EuroPat v2
However,
certain
limits
are
being
reached
on
account
of
limited
charge
carrier
mobility
in
semiconductor
materials.
Hierbei
stößt
man
jedoch
auch
auf
Grund
einer
begrenzten
Ladungsträgerbeweglichkeit
in
Halbleitermaterialien
an
bestimmte
Grenzen.
EuroPat v2
The
advantageous
properties
of
a
high
charge
carrier
mobility
on
account
of
the
strained
semiconductor
material
continue
to
be
utilized
in
this
case.
Die
vorteilhaften
Eigenschaften
einer
hohen
Ladungsträgerbeweglichkeit
aufgrund
des
verspannten
Halbleitermaterials
werden
dabei
weiterhin
ausgenutzt.
EuroPat v2
Advantageously,
the
carrier
is
a
cation
carrier
of
high
mobility
and
specific,
especially
for
protons,
such
as
preferably
tri-n-dodecyl-amine.
Bevorzugt
ist
der
Carrier
ein
Kationencarrier
von
hoher
Mobilität
und
Spezifität,
besonders
für
Protonen,
bevorzugt
Tri-n-dodecylamin.
EuroPat v2
In
addition,
semiconductors
such
as
InSb
which
have
a
high
charge
carrier
mobility
exhibit
an
increase
in
their
resistance
in
high
magnetic
fields
in
excess
of
the
reduction
in
mobility.
Auch
Halbleiter
wie
z.
B.
InSb
mit
hoher
Beweglichkeit
der
Ladungssträger
zeigen
in
starken
Magnetfeldern
über
die
Verkleinerung
der
Beweglichkeit
eine
Zunahme
ihres
Widerstandes.
EuroPat v2
In
this
material,
where
clearly
fewer
than
68%
of
the
carbon
atoms
exhibit
diamond-like,
tetrahedral
bonds
(sp3
-hybridization)
and
clearly
more
than
30%
exhibit
graphitic,
trigonal
bonds
(sp2
-hybridization),
which
has
a
hydrogen
contents
of
10
to
30
atomic
percentage,
the
requirement
for
a
high
charge
carrier
mobility
is
specifically
fulfilled
through
a
fixed
concentration
of
the
n
and
p
charge
carriers
and
a
fixed
specific
electrical
resistance,
to
be
precise
up
to
an
optimum.
Bei
diesem
Material,
bei
dem
deutlich
weniger
als
68
%
der
Kohlenstoffatome
diamantgleiche
tetraedrische
Bindungen
(sp³-Hybridisierung)
und
deutlich
mehr
als
30
%
graphitische
trigonale
Bindungen
(sp²-Hybridisierung)
aufweisen
und
das
einen
Wasserstoffgehalt
von
10
bis
30
Atom-%
besitzt,
wird
die
Forderung
nach
einer
hohen
Ladungsträgerbeweglichkeit
über
eine
bestimmte
Konzentration
der
n-
und
p-Ladungsträger
und
einen
bestimmten
spezifischen
elektrischen
Widerstand
gezielt
erfüllt,
und
zwar
bis
zu
einem
Optimum.
EuroPat v2
Although
these
effects
can
be
compensated
for,
in
part,
by
an
increased
doping
of
the
substrate,
such
a
high
doping
of
the
substrate
leads,
inter
alia,
to
impairment
of
the
charge
carrier
mobility
in
the
channel.
Diese
können
zwar
teilweise
durch
eine
erhöhte
Dotierung
des
Substrats
ausgeglichen
werden,
eine
derartige
hohe
Dotierung
des
Substrats
führt
jedoch
unter
anderem
zu
einer
Verschlechterung
der
Ladungsträgerbeweglichkeit
im
Kanal.
EuroPat v2
For
these
types
of
applications,
perovskite
electrode
materials
are
known
which,
however,
by
modification
of
their
oxygen
stoichiometry,
have
a
considerable
charge
carrier
mobility.
Es
sind
für
derartige
Anwendungen
perowskitische
Elektrodenmaterialien
bekannt,
die
jedoch
durch
Änderung
ihrer
Sauerstoffstöchiometrie
eine
beachtliche
Ladungsträgerbeweglichkeit
aufweisen.
EuroPat v2
These
effects
can
in
fact
be
partially
compensated
by
an
increased
doping
of
the
substrate,
but
the
required
high
doping
of
the
substrate
results
in,
among
other
things,
a
deterioration
of
the
charge
carrier
mobility
in
the
channel.
Diese
können
zwar
teilweise
durch
eine
erhöhte
Dotierung
des
Substrats
ausgeglichen
werden,
eine
derartige
hohe
Dotierung
des
Substrats
führt
jedoch
unter
anderem
zu
einer
Verschlechterung
der
Ladungsträgerbeweglichkeit
im
Kanal.
EuroPat v2
The
present
invention
is
based
on
the
problem
of
providing
an
integrated
CMOS
circuit
arrangement
and
a
method
for
the
manufacture
thereof
in
which
short-channel
effects
and
punch
effects
are
prevented
and
high
charge
carrier
mobility
is
assured.
Der
Erfindung
liegt
das
Problem
zugrunde,
eine
integrierte
CMOS-Schaltungsanordnung
und
ein
Verfahren
zu
deren
Herstellung
anzugeben,
in
der
Kurzkanaleffekte
und
Puncheffekte
vermieden
werden
und
eine
hohe
Ladungsträgerbeweglichkeit
sichergestellt
wird.
EuroPat v2
The
disadvantage
there
is
that
the
interference
pulses
are
often
unacceptably
high
and
a
data
loss
occurs
because
the
on
resistance
of
the
transistors
cannot
be
reduced
as
desired
owing
to
the
very
large
transistor
width
or
very
high
charge
carrier
mobility
which
this
requires.
Nachteilig
ist
hierbei,
daß
die
Störimpulse
oftmals
unzulässig
hoch
sind
und
ein
Datenverlust
auftritt,
weil
der
On-Widerstand
der
Transistoren,
wegen
der
hierfür
erforderlichen
sehr
großen
Transistorweite
bzw.
sehr
hohen
Ladungsträgerbeweglichkeit,
nicht
beliebig
gesenkt
werden
kann.
EuroPat v2
In
such
field-effect
transistors
the
channel
provided
between
the
source
electrode
and
the
drain
electrode
must
have
a
length
in
the
range
below
10
?m,
since
the
organic
semiconductor
materials
introduced
into
the
channel
have
low
charge
carrier
mobility.
Bei
derartigen
Feldeffekt-Transistoren
muß
der
zwischen
der
Source-Elektrode
und
der
Drain-Elektrode
vorgesehene
Kanal
eine
Länge
im
Bereich
unterhalb
von
10
µm
haben,
da
die
in
den
Kanal
eingebrachten
organischen
Halbleitermaterialien
geringe
Ladungsträgerbeweglichkeiten
aufweisen.
EuroPat v2
The
high-frequency
preamplifier
11,
12
respectively,
is
formed
in
the
present
exemplary
embodiment
by
field
effect
transistors
which
have
a
high
charge
carrier
mobility,
so-called
"HEMT"
transistors.
Die
Hochfrequenz-Vorverstärker
11
bzw.
12
werden
im
vorliegenden
Ausführungsbeispiel
durch
Feldeffekttransistoren
mit
hoher
Ladungsträgerbeweglichkeit
gebildet,
sogenannte
"HEMT"-Transistoren.
EuroPat v2
A
first
advantage
of
the
MODFET
according
to
the
invention
is
that
there
is
high
charge
carrier
mobility
so
that
a
transistor
can
be
produced
which
has
a
high
limit
frequency.
Ein
erster
Vorteil
der
Erfindung
besteht
darin,
daß
eine
hohe
Ladungsträgerbeweglichkeit
vorhanden
ist,
so
daß
ein
Transistor
mit
einer
hohen
Grenzfrequenz
herstellbar
ist.
EuroPat v2