Translation of "Border width" in German

Select here the line border width in pixels.
Wählen Sie hier die Breite der Rahmenlinie in Pixeln.
KDE4 v2

Set the border width for the lightbox filmstrip image which is currently displayed.
Stellen Sie die Randbreite für den Leuchtkasten Bildfilmstreifen, die gerade angezeigt wird.
ParaCrawl v7.1

Join the width border pieces to the top and bottom of the patchwork.
Verbinden Sie die Breite Randstücke an der Ober- und Unterseite des Patchwork.
ParaCrawl v7.1

Sets the border width on all four sides of the table item.
Definiert die Breite der Umrandung auf allen vier Seiten des Tabellenelements.
ParaCrawl v7.1

Border width should be proportional to the size of the case.
Randbreite sollte proportional zur Größe des Gehäuses.
ParaCrawl v7.1

Set the border width of the filmstrip item, which is currently displayed.
Stellen Sie die Randbreite des Filmstreifens Artikel, die gerade angezeigt wird.
ParaCrawl v7.1

Each of the delays of the devices 54 and 56 corresponds to the single border width.
Die Verzögerung der Anordnungen 54 und 56 entsprechen je der einfachen Breite der Umrandung.
EuroPat v2

Each module is ended from each side with rubber border with 20mm width.
Jeder Modul ist mit vollendet von jeder Seite Gummi- Border von der Breite ungefähr 20 mm.
ParaCrawl v7.1

In certain simple cases there is no need for a screen border (Border width of a screen).
In einigen einfachen Fällen wird kein Screen-Rahmen mehr benötigt (Breite des Rahmens eines Screens).
ParaCrawl v7.1

In accordance with the invention essentially the entire semiconductor surface area, with the exception of isolation regions between cells and a limited width border area at the perimeter of the chip is utilized to provide unit cells.
Bei der erfindungsgemäßen Halbleiter schaltung wird im wesentlichen die gesamte Halbleiteroberfläche mit Ausnahme von Isolationsbereichen zwischen den Zellen und einem Grenzbereich von eingeschränkter Breite am Umfang des Chips für Schaltungszellen verwendet.
EuroPat v2

A method according to claim.1 wherein said border has a width on the order of 1 micron and a thickness on the order of 0.1 micron.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Rahmen (1) eine Breite in der Größenordnung von 1µm und eine Dicke in der Größenordnung von 0,1µm hat.
EuroPat v2

It is thus possible, in a simple manner, to produce new combination patterns or border patterns whose width depends only on the wishes of the sewing machine operator or the width of the fabric to be processed from the existing individual sewing patterns having a limited width.
Dadurch lassen sich nunmehr auf einfache Art aus den vorhandenen, eine beschränkte Breite aufweisenden Einzelnähmustern neue Kombinationsmuster oder Bordüren herstellen, deren Breite lediglich von den Wünschen der Näherin oder der Breite des zu verarbeitenden Nähgutes abhängt.
EuroPat v2

The delayed signals are combined in conformity with the side selected for the border and with the border width, and produce the border signal after suppression at the areas where character information is to be displayed.
Die verzögerten Signale werden je nach der gewünschten Umrandungsseite und -breite kombiniert und geben nach Unterdrückung an den Stellen, an denen Zeicheninformation dargestellt werden soll, das Umrandungssignal.
EuroPat v2

When a border surrounding the active region of a semiconductor component single chip is etched from the oxide applied to the semiconductor surface, the border having a width on the order of magnitude of 1 micron and preferably a width equal to or greater than 5 microns, and having an oxide thickness on the order of magnitude of 0.5 micron, preferably greater than or equal to 0.1 micron, then the symmetrical tensile stress distribution arising in proximity to the oxide edges of the border surrounding the active region at the silicon surface in the sawing region between two individual chips prevents chippage of the silicon.
Wird aus dem auf die Halbleiteroberfläche aufgebrachten Oxid ein den akti­ven Bereich eines Halbleiter-Bauelement-Einzelchips umge­bender Rahmen geätzt, der eine Breite in der Größenordnung von 1µm, vorteilhafterweise eine Breite größer oder gleich 5µm und eine Oxiddicke in der Größenordnung 0,1µm, vorteil­hafterweise größer oder gleich 0,1µm aufweist, so verhin­dert insbesondere das in der Nähe der Oxidkanten dieses den aktiven Bereich umgebenden Rahmens an der Siliciumober­fläche im Sägebereich zwischen zwei Einzelchips entstehende symmetrische Zugspannungsfeld das Ausbrechen des Siliciums.
EuroPat v2