Übersetzung für "Peripheral circuit" in Deutsch

Not yet described are peripheral circuit elements for a spark-free quiescent-state current shut-off of the ignition power stage.
Weiterhin sind periphere Schaltungselemente für eine funkenfreie Ruhestrom-Abschaltung der Zündungsendstufe vorgesehen.
EuroPat v2
The model code is based on a mathematical model of the peripheral circuit arrangement.
Der Modellcode baut auf einem mathematischen Modell der peripheren Schaltungsanordnung auf.
EuroPat v2
The non-simulated peripheral circuit arrangement includes an inductive load, for example.
Die nicht simulierte periphere Schaltungsanordnung umfasst beispielsweise eine induktive Last.
EuroPat v2
In a second preferred embodiment of the invention, the peripheral short-circuit regions are embedded in the second base layer.
Bei einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die Randkurzschlussgebiete in die zweite Basisschicht eingelassen.
EuroPat v2
In this way, the peripheral short-circuit regions 15 are embedded directly in the first base layer 7.
Die Randkurzschlussgebiete 15 sind auf diese Weise direkt in die erste Basisschicht 7 eingelassen.
EuroPat v2
That regulating circuit substantially includes a flip-flop circuit including cross-coupled transistors and an associated comprehensive peripheral circuit.
Diese Regelschaltung enthält im wesentlichen eine Flip-Flop-Schaltung aus kreuzgekoppelten Transistoren und zugehöriger umfangreicher Peripherieschaltung.
EuroPat v2
Furthermore, the subprocessor S-CT carries out controlling tasks for the radio element RE and the peripheral circuit elements PE.
Darüber hinaus übernimmt der Subprozessor S-CT Steuerungsaufgaben für das Funkteil RE und die peripheren Schaltungsteile PE.
EuroPat v2
The output ready line 37, on the other hand, indicates to the device that the data are available at the peripheral circuit outputs of PLA 5.
Die Ausgabefertig-Leitung 37 meldet dem peripheren Gerät andererseits, daß die Daten an den peripheren Ausgangsschaltkreisen der PLA 5 verfügbar sind.
EuroPat v2
Peripheral circuit components serving protection, regulation or activation functions must be connected with this power stage as external circuit elements.
Periphere Schaltungselemente, die Schutz-, Regel-oder Ansteuerfunktion haben, müssen als externe Schaltungselemente mit dieser Endstufe verbunden werden.
EuroPat v2
It is an object of the present invention to provide a power stage integrated circuit of a higher degree of integration in which peripheral circuit components can be brought into the same common substrate.
Die erfindungsgemäße Leistungsendstufe mit den Merkmalen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß durch einen hohen Integrationsgrad periphere Schaltungselemente in einem gemeinsamen Substrat untergebracht werden können.
EuroPat v2
The p basin 1 is part of the power stage proper, while the p basin 2 is provided for peripheral circuit components.
Die p-Wanne 1 ist Teil der Leistungsendstufe, während die p-Wanne 2 für periphere Schaltungselemente vorgesehen ist.
EuroPat v2
This corresponds to the usual operation of operational amplifiers, to which strong negative DC voltage feedback is applied via the peripheral circuit.
Dies entspricht der üblichen Betriebsweise von Operationsverstärkern, die in der Regel über die Peripherieschaltung mit einer starken Gleichspannungsgegenkopplung versehen sind.
EuroPat v2
The essence of the invention is that the regions (segments) containing the active unit cells are surrounded, at their outer peripheries, by peripheral short-circuit regions which extract charge carriers from the interior of the device and thereby reduce the charge carrier emission and consequently the current loading of the peripheral unit cells.
Der Kern der Erfindung besteht darin, die Bereiche (Segmente) mit den aktiven Einheits-Zellen an ihren äusseren Rändern mit Randkurzschlussgebieten zu umgeben, welche Ladungsträger aus dem Inneren des Bauelements extrahieren und dadurch die Ladungsträgeremission und damit die Strombelastung der randseitigen Einheitszellen verringern.
EuroPat v2
This combination of peripheral short-circuit regions and MOS-controlled short circuits after the fashion of IGBT structures has the advantage that, on the one hand, the effectiveness of the peripheral short-circuit regions can be controlled by means of a gate and that, on the other hand, the IGBT structures can be used to turn the device on, as is explained, for example, in EP-A1-0 340 445 for the case of alternately disposed MCT and IGBT cells.
Diese Kombination von Randkurzschlussgebieten und MOS-gesteuerten Kurzschlüssen nach Art von IGBT-Strukturen hat den Vorteil, dass einerseits die Wirksamkeit der Randkurzschlussgebiete über ein Gate gesteuert werden kann, und dass andererseits die IGBT-Strukturen zum Einschalten des Bauelements herangezogen werden können, wie dies beispielsweise in der EP-A1-0 340 445 für den Fall abwechselnd angeordneter MCT- und IGBT-Zellen erläutert ist.
EuroPat v2
2A shows a further preferred exemplary embodiment of an MCT according to the invention, in which the peripheral short-circuit region is embedded directly in the first base layer in a gap between the second base layer and the peripheral termination region;
2A ein weiteres, bevorzugtes Ausführungsbeispiel für einen MCT nach der Erfindung, bei welchem das Randkurzschlussgebiet in einer Lücke zwischen der zweiten Basisschicht und dem Randabschlussgebiet direkt in die erste Basisschicht eingelassen ist;
EuroPat v2
At the same time, the peripheral short-circuit regions (10) are of the same conductivity type as the anode-side emitter layer (8).
Die Randkurzschlussgebiete (10) sind dabei von demselben Leitfähigkeitstyp, wie die anodenseitige Emitterschicht (8).
EuroPat v2
According to the invention, provision is made for each group of cells to be surrounded at its periphery in the lateral direction by peripheral short-circuit regions 10 of the first conductivity type (here: p+ -doped) which project into the semiconductor substrate 1 from the cathode surface and are conductively connected to the cathode contact 2.
Gemäss der Erfindung ist es vorgesehen, jede Zellengruppe in lateraler Richtung an ihrem Rand mit Randkurzschlussgebieten 10 vom ersten Leitfähigkeitstyp (hier: p?-dotiert) zu umgeben, die von der Kathodenfläche her in das Halbleitersubstrat 1 hineinragen und mit dem Kathodenkontakt 2 leitend verbunden sind.
EuroPat v2
At this point it may be pointed out that the peripheral short-circuit regions 10 can be produced without additional cost in the production of the MCT structure itself (together with the MOS-controlled short circuits in the MCT cells).
An dieser Stelle sei darauf hingewiesen, dass die Randkurzschlussgebiete 10 ohne Mehraufwand bei der Herstellung der eigentlichen MCT-Struktur (gemeinsam mit den MOS-gesteuerten Kurzschlüssen in den MCT-Zellen) mit erzeugt werden können.
EuroPat v2
In the peripheral short-circuit regions 15, the IGBT structures are preferably disposed only on the inside, i.e. adjacent to the active surface of the device.
Die IGBT-Strukturen werden in den Randkurzschlussgebieten 15 vorzugsweise nur auf der Innenseite, d.h. zur aktiven Fläche des Bauelements hin, angeordnet.
EuroPat v2

Ähnliche Begriffe

a circuit circuit peripherally peripherality
peripheral circuit off-circuit the circuit peripherals
in-circuit peripheral