Übersetzung für "Package configuration" in Deutsch
Each
package
contains
one
configuration
presenting
the
QLQ-C30
alone.
Jedes
Paket
enthält
eine
Konfiguration,
die
den
QLQ-C30
alleine
präsentiert.
ParaCrawl v7.1
Note
the
removing
a
package
leaves
its
configuration
files
in
system.
Beachten
Sie,
dass
das
Entfernen
von
Paketen
deren
Konfigurationsdateien
im
System
belässt.
ParaCrawl v7.1
Remove
a
package
(including
its
configuration
files):
dpkg
--purge
foo.
Lösche
ein
Paket
(inklusive
Konfigurationsdateien):
dpkg
--purge
foo.
ParaCrawl v7.1
Install
the
targetcli-fb
package
for
configuration
purposes.
Installieren
Sie
zu
Konfigurationszwecken
das
Paket
targetcli-fb.
ParaCrawl v7.1
The
wacomcpl
package
provided
graphical
configuration
of
Wacom
tablet
settings.
Das
wacomcpl
-Paket
stellte
die
grafische
Konfigurationen
von
Wacom
Tablet
Einstellungen
bereit.
ParaCrawl v7.1
They
can
also
be
modified
in
your
installation
package
during
Configuration
.
Sie
können
auch
während
der
Konfiguration
des
Installationspakets
angepasst
werden.
ParaCrawl v7.1
At
the
same
time,
the
comprehensive
and
multi-level
FASTpress
Suite
software
package
simplifies
configuration
and
data
evaluation
and
documentation.
Zugleich
vereinfacht
das
umfangreiche
und
mehrstufige
Softwarepaket
FASTpress
Suite
Konfiguration
sowie
Messdaten-Auswertung
und
Dokumentation.
ParaCrawl v7.1
The
dSPACE
FlexRay
Configuration
Package
is
an
extensive
solution
for
using
FlexRay
in
dSPACE's
real
time
systems.
Das
dSPACE
FlexRay
Configuration
Package
ist
eine
umfassende
Lösung
für
den
FlexRay-Einsatz
in
Echtzeit-Systemen
von
dSPACE.
ParaCrawl v7.1
A
definitive
countervailing
duty
is
hereby
imposed
on
imports
of
certain
electronic
integrated
circuits
known
as
Dynamic
Random
Access
Memories
(DRAMs)
manufactured
using
variations
of
metal
oxide-semiconductors
(MOS)
process
technology,
including
complementary
MOS
types
(CMOS),
of
all
types,
densities,
variations,
access
speed,
configuration,
package
or
frame,
etc.,
originating
in
the
Republic
of
Korea.
Auf
die
Einfuhren
bestimmter
elektronischer
Mikroschaltungen,
so
genannter
DRAMs
(dynamische
Schreib-Lesespeicher
mit
wahlfreiem
Zugriff),
die
nach
Varianten
der
Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik
einschließlich
der
CMOS-Technik
hergestellt
werden,
aller
Typen,
Speicherdichten
und
Varianten
und
unabhängig
von
der
Zugriffsgeschwindigkeit,
der
Konfiguration,
dem
Gehäuse
oder
Rahmen
usw.,
mit
Ursprung
in
der
Republik
Korea
wird
ein
endgültiger
Ausgleichszoll
eingeführt.
DGT v2019
The
product
concerned
by
this
investigation
is
the
same
as
that
covered
by
the
original
investigation,
i.e.
certain
electronic
microcircuits
known
as
Dynamic
Random
Access
Memories
(DRAMs),
of
all
types,
densities
and
variations,
whether
assembled,
in
processed
wafer
or
chips
(dies),
manufactured
using
variations
of
metal
oxide-semiconductors
(MOS)
process
technology,
including
complementary
MOS
types
(CMOS),
of
all
densities
(including
future
densities),
irrespective
of
access
speed,
configuration,
package
or
frame
etc.,
originating
in
the
Republic
of
Korea.
Diese
Untersuchung
betrifft
dieselbe
Ware
wie
die
Ausgangsuntersuchung,
d.
h.
bestimmte
elektronische
Mikroschaltungen,
so
genannte
DRAMs
(dynamische
Schreib-Lesespeicher
mit
wahlfreiem
Zugriff),
aller
Typen,
Speicherdichten
und
Varianten,
auch
montiert,
in
Form
von
bearbeiteten
Scheiben
(wafers)
oder
Chips,
die
nach
Varianten
der
Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik
einschließlich
der
CMOS-Technik
hergestellt
werden,
aller
Speicherdichten
(auch
künftiger),
unabhängig
von
der
Zugriffsgeschwindigkeit,
der
Konfiguration,
dem
Gehäuse,
dem
Rahmen
usw.,
mit
Ursprung
in
der
Republik
Korea.
DGT v2019
The
product
under
consideration
and
the
like
product
are
the
same
as
that
covered
by
the
original
investigation,
i.e.
certain
electronic
microcircuits
known
as
dynamic
random
access
memories
(DRAMs),
of
all
types,
densities
and
variations,
whether
assembled,
in
processed
wafer
or
chips
(dies),
manufactured
using
variations
of
metal
oxide-semiconductors
(MOS)
process
technology,
including
complementary
MOS
types
(CMOS),
of
all
densities
(including
future
densities),
irrespective
of
access
speed,
configuration,
package
or
frame
etc.,
originating
in
the
Republic
of
Korea.
Diese
Untersuchung
betrifft
dieselbe
Ware
wie
die
Ausgangsuntersuchung,
d.
h.
bestimmte
elektronische
Mikroschaltungen,
so
genannte
DRAMs
(dynamische
Schreib-Lesespeicher
mit
wahlfreiem
Zugriff),
aller
Typen,
Speicherdichten
und
Varianten,
auch
montiert,
in
Form
von
bearbeiteten
Scheiben
(wafers)
oder
Chips,
die
nach
Varianten
der
Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik
einschließlich
der
CMOS-Technik
hergestellt
werden,
aller
Speicherdichten
(auch
künftiger),
unabhängig
von
der
Zugriffsgeschwindigkeit,
der
Konfiguration,
dem
Gehäuse,
dem
Rahmen
usw.,
mit
Ursprung
in
der
Republik
Korea.
DGT v2019
Consequently,
the
definitive
countervailing
duties
paid
or
entered
in
the
accounts
pursuant
to
Council
Regulation
(EC)
No
1480/2003
on
imports
of
certain
electronic
integrated
circuits
known
as
Dynamic
Random
Access
Memories
(DRAMs)
manufactured
using
variations
of
metal
oxide-semiconductors
(MOS)
process
technology,
including
complementary
MOS
types
(CMOS),
of
all
types,
densities,
variations,
access
speed,
configuration,
package
or
frame
etc.,
originating
in
the
Republic
of
Korea
and
released
for
free
circulation
as
from
31
December
2007
should
be
repaid
or
remitted.
Daher
sollten
die
endgültigen
Ausgleichszölle
erstattet
oder
erlassen
werden,
die
gemäß
der
Verordnung
(EG)
Nr.
1480/2003
auf
die
Einfuhren
bestimmter
elektronischer
Mikroschaltungen,
so
genannter
DRAMs
(dynamische
Schreib-Lesespeicher
mit
wahlfreiem
Zugriff),
aller
Typen,
Speicherdichten,
Varianten,
Zugriffsgeschwindigkeiten,
Konfigurationen,
Gehäuse
oder
Rahmen
usw.,
die
nach
Varianten
der
Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik
einschließlich
der
CMOS-Technik
hergestellt
werden,
mit
Ursprung
in
der
Republik
Korea,
die
ab
dem
31.
Dezember
2007
in
den
zollrechtlich
freien
Verkehr
übergeführt
wurden,
entrichtet
oder
buchmäßig
erfasst
wurden.
DGT v2019
The
countervailing
duty
imposed
on
imports
of
certain
electronic
integrated
circuits
known
as
Dynamic
Random
Access
Memories
(DRAMs)
manufactured
using
variations
of
metal
oxide-semiconductors
(MOS)
process
technology,
including
complementary
MOS
types
(CMOS),
of
all
types,
densities,
variations,
access
speed,
configuration,
package
or
frame
etc.
originating
in
the
Republic
of
Korea
imposed
by
Regulation
(EC)
No
1480/2003
is
repealed
as
of
31
December
2007
and
the
proceeding
is
terminated.
Der
mit
der
Verordnung
(EG)
Nr.
1480/2003
eingeführte
Ausgleichszoll
auf
die
Einfuhren
bestimmter
elektronischer
Mikroschaltungen,
so
genannter
DRAMs
(dynamische
Schreib-Lesespeicher
mit
wahlfreiem
Zugriff),
die
nach
Varianten
der
Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik
einschließlich
der
CMOS-Technik
hergestellt
werden,
aller
Typen,
Speicherdichten,
Varianten,
Zugriffsgeschwindigkeiten,
Konfigurationen,
Gehäuse
oder
Rahmen
usw.,
mit
Ursprung
in
der
Republik
Korea
wird
mit
Wirkung
vom
31.
Dezember
2007
aufgehoben,
und
das
Verfahren
wird
eingestellt.
DGT v2019
An
accessory
may
be
sold
separately
under
its
own
model
number,
or
sold
with
a
base
unit
as
part
of
a
package
or
configuration.
Ein
Zubehörteil
kann
getrennt,
mit
eigener
Modellnummer,
oder
zusammen
mit
einem
Grundgerät
als
Teil
eines
Pakets
oder
einer
Konfiguration
verkauft
werden.
DGT v2019
The
product
under
consideration
and
the
like
product
are
the
same
as
that
covered
in
the
original
investigation,
i.e.
certain
electronic
microcircuits
known
as
Dynamic
Random
Access
Memories
(DRAMs)
of
all
types,
densities
and
variations,
whether
assembled,
in
processed
wafer
or
chips
(dies),
manufactured
using
variations
of
Metal
Oxide-Semiconductors
(MOS)
process
technology,
including
complementary
MOS
types
(CMOS),
of
all
densities
(including
future
densities),
irrespective
of
access
speed,
configuration,
package
or
frame
etc.
originating
in
the
Republic
of
Korea.
Diese
Untersuchung
betrifft
dieselbe
Ware
wie
die
Ausgangsuntersuchung,
d.
h.
bestimmte
elektronische
Mikroschaltungen,
so
genannte
DRAMs
(dynamische
Schreib-Lesespeicher
mit
wahlfreiem
Zugriff),
aller
Typen,
Speicherdichten
und
Varianten,
auch
montiert,
in
Form
von
bearbeiteten
Wafern
oder
Chips,
die
nach
Varianten
der
Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik
einschließlich
der
CMOS-Technik
hergestellt
werden,
aller
Speicherdichten
(auch
künftiger),
unabhängig
von
der
Zugriffsgeschwindigkeit,
der
Konfiguration,
dem
Gehäuse,
dem
Rahmen
usw.,
mit
Ursprung
in
der
Republik
Korea.
DGT v2019
By
bringing
together
several
respective
components
in
at
least
one
package,
the
configuration
of
the
inscription
laser
can
correspond
to
an
application-oriented
structure.
Durch
die
Zusammenfassung
von
jeweils
mehreren
Baugruppen
in
mindestens
einem
Gehäuse
kann
eine
beliebige
Konfiguration
des
Beschriftungslasers
für
einen
anwendungsorientierten
Aufbau
geschaffen
werden.
EuroPat v2
In
order
to
be
able
to
make
use
of
the
"Message
Waiting
Indication",
you
have
to
make
the
respective
setting
in
the
ixi-UMS
Kernel
Configuration
and
in
the
ixi-UMS
Enhanced
Voice
Package
Configuration.
Um
die
"Message
Waiting
Indication"
oder
"SMS
auf
das
Mobiltelefon"
nutzen
zu
können,
müssen
Sie
in
der
ixi-UMS
Kernel
Konfiguration
und
ggfs.
in
der
ixi-UMS
Enhanced
Voice
Package
Konfiguration
die
entsprechenden
Einstellungen
vornehmen
und
der
Notifier
Express
muss
aktiviert
werden.
ParaCrawl v7.1