Übersetzung für "Edge gate" in Deutsch

The dopant concentration at the edge of the gate electrode of the first-mentioned MOS transistor is reduced by means of counter-doping.
Die Dotierstoffkonzentration am Rand der Gateelektrode des erstgenannten MOS-Transistors wird durch eine Gegendotierung reduziert.
EuroPat v2
The gate topology has been further optimized, allowing to reduce high field strengths at the gate edge.
Die Gate-Topologie wurde so weiterentwickelt, dass die hohen Feldstärken an der Gate-Kante reduziert werden konnten.
ParaCrawl v7.1
Anti-climb spikes in the form of a steel comb that may be mounted on the top edge of a gate leaf.
Scharfkantiger Abschluss in Gestalt eines Stahlkamms kann man auf der oberen Kante des Torflügels montieren.
ParaCrawl v7.1
Here, too, the field plate structure reduces the peak of the electric field at the drain-side edge of the gate.
Auch hier reduziert die Feldplatten-Struktur die Spitze des elektrischen Feldes an der drainseitigen Kante des Gates.
EuroPat v2
With its advanced, leading-edge technology, Galaxy Gate guarantees that we meet the very highest security standards," emphasises Höhnle.
Das Galaxy Gate garantiert uns mit seiner ausgereiften Spitzentechnologie höchste Sicherheitsstandards", betont Höhnle.
ParaCrawl v7.1
The carrier structure of the first segment 16 thus extends exclusively along the edge of the gate opening (not shown) i.e. in an area which practically does not receive any direct impact in operation.
Die Tragkonstruktion des ersten Segmentes 16 verläuft somit ausschliesslich entlang dem Rand der nicht dargestellten Toröffnung, d. h. in einem Bereich, auf den im Betrieb praktisch keine unmittelbaren Stösse ausgeübt werden.
EuroPat v2
This is not opposed by the fact that, for instance, along the lower edge of gate wing 14 the two panels 20 and 36 are interconnected, for instance, by an elastic strip 68 whose purpose it is to avoid an erroneous folding of the two panels 20 and 36 but which would not withstand any greater impact stress.
Dem steht nicht entgegen, dass beispielsweise am unteren Rand des Torflügels 14 die beiden Segmentfüllungen 20 und 36 beispielsweise mittels einer elastischen Lasche 68 miteinander verbunden sind, die verhindern soll, dass die beiden Segmentfüllungen 20 und 26 sich falsch überlappen, die jedoch stärke ren Stossbeanspruchungen nicht standhalten würde.
EuroPat v2
The MOS transistor is preferably connected up during operation such that that edge of the gate electrode which has a lower dopant concentration adjoins the source/drain region which is connected up as drain.
Vorzugsweise wird der MOS-Transistor im Betrieb so verschaltet, daß der Rand der Gateelektrode, der eine geringere Dotierstoffkonzentration aufweist, an das als Drain verschaltete Source/Drain-Gebiet angrenzt.
EuroPat v2
Owing to the small distance between cathode tip and edge of the gate hole and the considerably larger distance to the anode for voltages of the same order of magnitude on both electrodes, it is essentially the gate voltage that determines the field strength prevailing for the field emission at the cathode.
Wegen des geringen Abstands der Kathodenspitze zum Rand des Gate-Lochs und des wesentlich größeren Abstands zur Anode bei Spannungen in der gleichen Größenanordnung an beiden Elektroden, bestimmt im wesentlichen die Gate-Spannung die für die Feldemission an der Kathode herrschende Feldstärke.
EuroPat v2
The channel region 42 is indiffused until, in those regions of the emitter region 37 in which no fingers 38 are present, it projects laterally beyond the emitter region and extends to a point under the edge of the gate electrode 39 (FIG.
Das Kanalgebiet 42 wird soweit eindiffundiert, dass es in den Bereichen des Emittergebietes 37, in denen keine Finger 38 vorhanden sind, seitlich über das Emittergebiet hinausragt und bis unter die Kante der Gateelektrode 39 reicht (Fig.
EuroPat v2
The gate electrode has a dopant profile such that the dopant concentration in the gate electrode is lower at at least one edge of the gate electrode than in the center of the gate electrode.
Die Gateelektrode weist ein Dotierstoffprofil auf, so daß die Dotierstoffkonzentration in der Gateelektrode mindestens an einem Rand der Gateelektrode geringer ist als in der Mitte der Gateelektrode.
EuroPat v2
If the MOS transistor in turned ON, the edge of the gate electrode is driven to accumulation on account of the potential ratio.
Wird der MOS-Transistor eingeschaltet, so wird der Rand der Gateelektrode aufgrund der Potentialverhältnisse in Akkumulation getrieben.
EuroPat v2
It is within the contemplation of the present invention to provide a lower dopant concentration at more than one edge of the gate electrode.
Es liegt im Rahmen der Erfindung, an mehr als einem Rand der Gateelektrode eine geringere Dotierstoffkonzentration vorzusehen.
EuroPat v2
For various reasons, the drain region may not be doped as far as the gate edge, which results in a smaller overlap region during the subsequent diffusion.
Die Dotierung des Drain-Gebietes kann aus verschiedenen Gründen nicht bis an die Gatekante erfolgen, was bei der nachfolgenden Diffusion in einem kleineren Überlappbereich resultiert.
EuroPat v2
In the course of oxidations which follow during production, a thicker oxide layer, a so-called bird's beak, is formed on the gate edge, as a result of which the tunneling current density is exponentially reduced.
Im Zuge der bei der Herstellung nachfolgenden Oxidationen bildet sich an der Gatekante eine dickere Oxidschicht, ein sogenannter Birds Beak, wodurch die Tunnelstromdichte exponentiell reduziert wird.
EuroPat v2
The dopant concentration greatly decreases in the lateral direction, with the result that efficient tunneling of the charge carriers can only take place at the gate edge.
Die Dotierstoffkonzentration nimmt in lateraler Richtung stark ab, so daß effizientes Tunneln der Ladungsträger nur an der Gatekante erfolgen kann.
EuroPat v2
Since the gate of a power MOS transistor is situated at the terminal of PQ, the driver is dimensioned in such a way that it can drive the capacitive load present due to the gate as effectively as possible and continues to maintain the low or high state after the end of the edge, until a state change takes place from the inputs MOSH, MOSL, since current must also be driven outside the gate edge via parasitic capacitances at the gate to the drain particularly in the event of an inductive load.
Da an dem Anschluß von PQ sich das Gate eines Leistungs-MOS-Transistors befindet, ist der Treiber so dimensioniert, daß er möglichst effektiv die kapazitive Last, die durch das Gate vorhanden ist, treiben kann und nach Beendigung der Flanke weiterhin den Low- oder High-Zustand aufrechterhält, bis von den Eingängen MOSH, MOSL eine Zustandsänderung erfolgt, da über parasitäre Kapazitäten am Gate zum Drain insbesondere bei induktiver Last auch außerhalb der Gate-Flanke Strom getrieben werden muß.
EuroPat v2

Ähnliche Begriffe

edge down a gate and-gate gates
has an edge edge to edge edge gate has the edge
gate-to-gate Gate