Übersetzung für "Easy axis" in Deutsch

The easy axis 38 is preferably oriented parallel to the coil axis M here.
Die leichte Achse 38 ist dabei bevorzugt parallel zur Spulenachse M ausgerichtet.
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Another term for easy axis is also preferred direction.
Ein anderer Begriff für leichte Achse ist auch Vorzugsrichtung.
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It is reduced by the alignment of the easy axis.
Sie wird durch die Ausrichtung der leichten Achse verringert.
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The easy axis is also referred to as the preferred direction.
Die leichte Achse wird auch als Vorzugsrichtung bezeichnet.
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The easy axis 38 is preferably oriented parallel to the coil axis M in the way described.
Die leichte Achse 38 ist in der beschriebenen Weise bevorzugt parallel zur Spulenachse M ausgerichtet.
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In one embodiment, the magnetically anisotropic material which is used has just one single easy axis.
In einer Ausführungsform weist das verwendete magnetische anisotrope Material nur eine einzige leichte Achse auf.
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The described alignment of the easy axis can be especially realized in an edge area adjoining the magnet pocket.
Die beschriebene Ausrichtung der leichten Achse ist insbesondere in einem an die Magnettasche angrenzenden Randbereich realisiert.
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The provision of a single easy axis is advantageous in order to avoid the flux guidance jumping around.
Bevorzugt ist aber eine einzige leichte Achse vorgesehen, um ein Umspringen der Flussführung zu vermeiden.
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It is found that the easy axis runs parallel to the magnetic field lines during vacuum deposition.
Dabei ergibt sich, daß die leichte Richtung der Magnetisierung parallel zu den Magnetfeldlinien beim Aufdampfen liegt.
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If a magnetic field to be measured additionally acts on the magnetic field comparator 3 in the direction of the easy magnetic axes EA, then there arises along a respective easy magnetic axis EA an external magnetic field Ha, which corresponds to the sum of the magnetic field to be measured, and the premagnetization field.
Wird ausserdem in den Magnetfeldkomparator 3 in Richtung der leichten Magnetachse EA ein zu messendes Magnetfeld eingekoppelt, so entsteht in der leichten Magnetachse EA ein magnetisches Aussenfeld H a, das der Summe des zu messenden Magnetfeldes und des Vormagnetisierungsfeldes entspricht.
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In manufacturing the magnetic recording media according to the invention it has been found that, surprisingly, uniaxial anisotropy can be brought about simply in the amorphous Sm-Co layer, the magnetization of which is in the plane of the layer, if the surface of the base onto which the Sm-Co layer is vacuum-deposited is provided, parallel to the intended easy axis, with groove-shaped depressions having a depth of from 0.03 to 0.4 ?m, preferably from 0.1 to 0.2 ?m, at a spacing of from 10 to 200 ?m.
Bei der Herstellung der erfindungsgemäßen magnetischen Aufzeichnungsträger wurde nun überraschend festgestellt, daß sich in der amorphen Sm-Co-Schicht mit ihrer in der Schichtebene liegenden Magnetisierung, in einfacher Weise eine uniaxiale Anisotropie erzeugen läßt, wenn die Oberfläche des Trägermaterials, auf welche die Sm-co-Schicht aufgedampft wird, parallel zur leichten Achse der vorgesehenen uniaxialen Anisotropie mit rillenförmigen Vertiefungen einer Tiefe zwischen 0,03 bis 0,4 µm, vorzugsweise 0,1 bis 0,2 µm mit einem gegenseitigen Abstand zwischen 10 und 200 µm versehen ist.
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Magnetic-field-dependent resistors which were treated during the fabrication process by means of a magnetic field of such a nature that the easy-axis direciton extends in the direction of the tripe, i.e. in such a manner that they display uniaxial anisotropy parallel to the magnetic-field-dependent resistor stripes, are preferably suitable for employment as the magnetic-field-dependent resistors.
Als magnetfeldabhängige Widerstände eigenen sich insbesondere solche, die während oder nach dem Herstellungsprozeß durch ein derartiges Magnetfeld behandelt wurdem, daß die leichte Richtung in Streifenrichtung verläuft, d.h. daß sie eine einachsige Anisotropie in Richtung parallel zu den Streifen der streifenförmig ausgebildeten magnetfeldabhängigen Widerstände aufweisen.
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The foregoing embodiments of the sensor arrangement are especially well suited for magnetic-field-dependent resistors in stripes which were treated during the fabrication process by a magnetic field whose nature is such that the easy-axis direction extends in the direction of the stripes, i.e., that they show a uniaxial anisotropy parallel to the magnetic-field-dependent resistor stripes.
Diese Anordnung eignet sich insbesondere für magnetfeldabhängige Widerstände, die während oder nach dem Herstellungsprozeß durch ein derartiges Magnetfeld behandelt wurden, daß die leichte Richtung in Streifenrichtung verläuft, d.h. daß sie eine einachsige Anisotropie in Richtung parallel zu den Streifen der streifenförmig ausgebilde ten magnetfeldabhängigen Widerstände aufweisen.
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The easy magnetization axis of the magnetic material, e.g. a ferromagnetic material, is aligned in one direction over the entire area of the substrate.
Dabei wird die leichte Magnetisierungsachse des magnetischen Materials, beispielsweise eines ferromagnetischen Materials, über die gesamte Fläche des Substrates in eine Richtung ausgerichtet.
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The use of rotationally symmetrical sputtering cathodes is, e.g., disadvantageous in that the rotationally symmetrical magnetic field in the sputtering cathode, which is necessary for the sputtering, disturbs the alignment of the easy magnetization axis in the substrate layers in one direction.
Die Verwendung von rotationssymmetrischen Zerstäubungskathoden ist beispielsweise mit dem Nachteil verbunden, daß das in der Zerstäubungskathode für die Zerstäubung notwendige rotationssymmetrische Magnetfeld eine Ausrichtung der leichten Magnetisierungsachse in den Substratschichten in eine Richtung stört.
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This difference vis-à-vis the prior art (in which the magnetic field is moved together with the substrate), i.e. the stationary external magnetic field of the invention, leads to the specific advantage that upon a relative movement of the substrate under the target and through the external magnetic field, on the one hand, an easy and exact alignment of the easy magnetization axis can be achieved and, on the other hand, the desired small layer thickness of the material to be applied can be adjusted easily independent of the power of the sputtering cathode.
Dieser Unterschied zum Stand der Technik (wo das Magnetfeld mit dem Substrat mitbewegt wird), d.h. das ortsfeste externe Magnetfeld, ist mit dem besonderen Vorteil verbunden, daß bei einer Relativbewegung des Substrates unter dem Target hindurch und durch das externe Magnetfeld zum einen eine einfache und exakte Ausrichtung der leichten Magnetisierungsachse ermöglicht wird, und andererseits unabhängig von der Leistung der Zerstäubungskathode auf einfache Art und Weise die gewünschte geringe Schichtdicke des aufzubringenden Werkstoffes eingestellt werden kann.
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It is the object of the invention to provide a sputtering cathode which allows the easy magnetization axis of a magnetizable material to be aligned during the application of the material to a substrate.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Zerstäubungskathode anzugeben, mit der eine Ausrichtung der leichten Magnetisierungsachse eines magnetisierbaren Werkstoffes während des Aufbringens des Werkstoffes auf ein Substrat möglich ist.
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For applying magnetic materials to substrates, thereby achieving the necessary alignment of the easy magnetization axis of the material, the invention starts out from the basic idea of providing a sputtering cathode with a means for generating an external magnetic field, wherein the magnetic field has essentially parallel magnetic field lines which essentially lie in the plane of the substrate to be coated.
Zum Aufbringen von magnetischen Werkstoffen auf Substrate mit der notwendigen Ausrichtung der leichten Magnetisierungsachse des Werkstoffes geht die Erfindung von dem Grundgedanken aus, eine Zerstäubungskathode mit einer Einrichtung zum Erzeugen eines externen Magnetfeldes zu versehen, wobei das Magnetfeld im wesentlichen parallel verlaufende Magnetfeldlinien aufweist die im wesentlichen in der Ebene des zu beschichtenden Substrates liegen.
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Preferably, the strength of the external magnetic field can be varied in accordance with the magnetic material used, so that when aligning the easy magnetization axis in the magnetic layer, the material used can be taken into consideration.
Vorzugsweise ist die Stärke des externen Magnetfeldes abhängig von dem verwendeten magnetischen Werkstoff einstellbar, so daß geeignet bei der Ausrichtung der leichten Magnetisierungsachse in der magnetische Schicht auf den verwendeten Werkstoff Rücksicht genommen werden kann.
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In the case of a rotationally symmetrical sputtering cathode or magnet arrangement 4, the stray magnetic field would not overlap the magnetic field of the external magnetic field generation means 5, which would possibly lead to a deteriorated alignment of the easy magnetization axis.
Im Falle einer rotationssymmetrischen Zerstäubungskathode bzw. Magnetanordnung 4 wäre das magnetische Streufeld nicht mit dem Magnetfeld der externen Magnetfelderzeugungseinrichtung 5 deckungsgleich, was zu einer gegebenenfalls verschlechterten Ausrichtung der leichten Magnetisierungsachse führt.
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The easy axis 10 of the film 9 and the magnetic field 11 to be detected are oriented parallel to the x-axis.
Die Leichte Achse (EA) 10 des Films 9 und das zu detektierende Magnetfeld 11 sind parallel zur x-Achse angeordnet.
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The hysteresis loop of the film 9 when driven in the direction of the easy axis is nearly rectangular (FIG. 4).
Die Hysterese des Films 9 bei Betrieb in Richtung der leichten Achse ist nahezu rechteckförmig (siehe Fig.4).
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