Übersetzung für "Diode breakdown" in Deutsch
The
anode
of
breakdown
diode
63
is
connected
to
the
base
of
transistor
62.
Die
Anode
von
Zenerdiode
63
ist
mit
der
Basis
von
Transistor
62
verbunden.
EuroPat v2
This
is
the
case,
for
example,
with
the
characteristic
of
a
diode
(breakdown
voltage).
Dies
ist
zum
Beispiel
bei
der
Kennlinie
einer
Diode
(Durchbruchsspannung)
der
Fall.
EuroPat v2
The
duty
of
this
breakdown
diode
44
is
to
prevent
a
premature
connecting
through
of
transistors
45,
33,
i.e.,
a
connecting
through
when
the
output
voltage
of
the
monitoring
device
35
is
too
low,
for
example,
when
the
operational
amplifier
is
operated
with
only
two
potentials.
Aufgabe
dieser
Zenerdiode
44
ist
es,
ein
vorzeitiges
Durchschalten
der
Transistoren
45,
33
zu
verhindern,
d.
h.
ein
Durchschalten
bei
zu
niedriger
Ausgangsspannung
der
Überwachungseinrichtung
35,
beispielsweise
wenn
der
Operationsverstärker
mit
nur
zwei
Potentialen
betrieben
wird.
EuroPat v2
The
reference
voltage
element
16
consists
of
a
breakdown
diode
whose
cathode
terminal
is
connected
for
its
own
power
supply
via
a
power-limiting
resistance
17
with
the
chassis
ground
terminal
and
whose
anode
connection
is
connected
via
an
n-channel
junction
FET
18
wired
as
the
power
source
to
the
negative
voltage
terminal
U-
of
the
voltage
supply
unit.
Das
Referenzspannungselement
16
besteht
aus
einer
Zenerdiode,
deren
Kathodenanschluß
zu
ihrer
eigenen
Stromversorgung
über
einen
Strombegrenzungswiderstand
17
mit
dem
Masseanschluß
verbunden
ist
und
deren
Anodenanschluß
über
einen
als
Stromquelle
geschalteten
n-Kanal-Sperrschichtfeldeffekttransistor
1
8
mit
dem
negativen
Spannungsanschluß
U-
der
Spannungsversorgungseinrichtung
verbunden
ist.
EuroPat v2
In
a
parallel
circuit
to
transistors
114
and
115
there
is
a
series
resistance
116
and
a
breakdown
diode
117
connected
in
series,
with
the
connection
point
of
the
series
resistance
116
and
of
the
breakdown
diode
117
connected
to
the
base
terminals
of
both
transistors
114
and
115.
In
einem
Parallelzweig
zu
den
Transistoren
114
und
115
ist
eine
Reihenschaltung
aus
einem
Vorwiderstand
116
und
einer
Zenerdiode
117
angeordnet,
wobei
der
Verbindungspunkt
des
Vorwiderstandes
116
und
der
Zenerdiode
117
mit
den
Basisanschlüssen
der
beiden
Transistoren
114
und
115
verbunden
ist.
EuroPat v2
A
switching
transistor
118
is
wired
in
parallel
to
the
breakdown
diode
117
with
its
collector-emitter
section,
whose
base
terminal
and
emitter
terminal
are
connected
to
the
control
input
111
of
driver
stage
100.
Parallel
zu
der
Zenerdiode
117
liegt
mit
seiner
Kollektor-Emitter-Strecke
ein
Schalttransistor
118,
dessen
Basisanschluß
und
Emitteranschluß
mit
dem
Steuereingang
111
der
Treiberstufe
110
verbunden
sind.
EuroPat v2
The
time
limiter
128
further
contains
a
comparative
unit
135,
which
is
connected
with
its
first
input
terminal
(-)
to
the
connection
point
between
the
timing
resistance
133
and
the
timing
capacitor
132
and
with
its
second
input
terminal
(+)
to
a
reference
voltage
source
which
consists
of
a
breakdown
diode
126.
Die
Zeitablaufvorrichtung
128
enthält
weiterhin
eine
Komparatoreinrichtung
135,
die
mit
einem
ersten
Eingangsanschluß
(-)
an
der
Verbindungsstelle
zwischen
dem
Ladewiderstand
133
und
dem
Ladekonoensator
132
angeschlossen
ist
und
mit
einem
zweiten
Eingangsanschluß
(+)
mit
einem
Referenzspannungsgeber
verbunden
ist,
der
aus
der
Zenerdiode
126
besteht.
EuroPat v2
The
invention
is
particularly
advantageous
if
the
protective
transistor
is
driven
by
a
diode
whose
breakdown
lies
in
the
range
of
the
withstand
voltage
of
the
protective
transistor.
Besonders
vorteilhaft
ist
die
Erfindung,
wenn
der
Schutztransistor
durch
eine
Diode,
deren
Durchbruch
im
Bereich
der
Haltespannung
des
Schutztransistors
liegt,
angesteuert
wird.
EuroPat v2
The
base
of
the
vertical
npn
bipolar
transistor
is
controlled
by
a
diode
at
breakdown,
whose
breakdown
voltage
is
above
the
holding
voltage
of
the
npn
bipolar
transistors.
Erfindungsgemäß
wird
die
Basis
des
vertikalen
npn-Bipolartransistors
durch
eine
Diode
im
Durchbruch
angesteuert,
wobei
deren
Durchbruchspannung
über
der
Haltespannung
der
npn-Bipolartransistoren
liegt.
EuroPat v2
In
particular
when
the
base
is
connected
up
to
a
diode
whose
breakdown
lies
in
the
region
of
the
withstand
voltage
of
the
protective
transistor
it
is
consequently
possible
to
develop
a
virtually
ideal
ESD
protective
element
which
has
adjustable
voltage
limiting
right
into
the
ampere
range
between
the
signal
voltage
upper
limit
and
the
breakdown
voltage
of
critical
voltage
paths.
Insbesondere
bei
Beschaltung
der
Basis
mit
einer
Diode,
deren
Durchbruch
im
Bereich
der
Haltespannung
des
Schutztransistors
liegt,
läßt
sich
somit
ein
fast
ideales
ESD-Schutzelement
entwickeln,
das
eine
einstellbare
Spannungsbegrenzung
bis
in
den
Amperebereich
zwischen
der
Signalspannungsobergrenze
und
der
Durchbruchspannung
kritischer
Spannungspfade
besitzt.
EuroPat v2
Particularly
when
the
base
is
connected
to
a
diode
whose
breakdown
is
in
the
range
of
the
holding
voltage
of
the
protection
transistor.
Insbesondere
bei
Beschaltung
der
Basis
mit
einer
Diode,
deren
Durchbruch
im
Bereich
der
Haltespannung
des
Schutztransistors
liegt.
EuroPat v2
The
output
signal
is
then
led
to
a
resistance
43,
to
which
a
breakdown
diode
44
is
subsequently
added
whose
anode
lies
at
the
emitter
of
a
transistor
45
and
whose
cathode
lies
at
the
said
resistance
43.
Das
Ausgangssignal
wird
sodann
einem
Widerstand
43
zugeführt,
dem
eine
Zenerdiode
44
nachgeschaltet
ist,
deren
Anode
am
Emitter
eines
Transistors
45
und
deren
Kathode
an
dem
besagten
Widerstand
43
liegt.
EuroPat v2
This
perpetual
switching
on
and
off
of
the
avalanche
causes
the
typical
noise
of
the
avalanche
diode
breakdown.
Durch
dieses
fortwährende
Ein-
und
Abschalten
der
Lawine
kommt
es
zu
dem
typischen
Rauschen
der
Avalanche-Dioden
im
Durchbruch.
ParaCrawl v7.1
The
breakdown
voltage
of
p-n
type
diode
BV_pn
is
designed
in
such
a
way
that
BV_pn
is
lower
than
the
breakdown
voltage
of
Schottky
diode
BV_schottky,
and
breakdown
occurs
at
the
bottom
of
the
trenches.
Die
Durchbruchspannung
der
PN-Diode
BV_pn
wird
so
ausgelegt,
dass
BV_pn
niedriger
als
die
Durchbruchspannung
der
Schottky-Diode
BV
_
schottky
ist
und
der
Durchbruch
am
Boden
der
Gräben
stattfindet.
EuroPat v2
The
breakdown
voltage
of
p-n
type
diode
BV_pn
is
designed
in
such
a
way
that
BV_pn
is
lower
than
the
breakdown
voltage
of
Schottky
diode
BV_schottky,
and
breakdown
occurs
at
the
p-n
junction
between
the
lower
area
of
the
p-type
wells
and
n-type
epilayer
2
.
Die
Durchbruchspannung
der
PN-Diode
BV_pn
wird
so
ausgelegt,
dass
BV_pn
niedriger
als
die
Durchbruchspannung
der
Schottky-Diode
BV
_
schottky
ist
und
der
Durchbruch
am
PN-Übergang
zwischen
dem
unteren
Bereich
der
p-Wannen
und
dem
n-Epischicht
2
stattfindet.
EuroPat v2
If
the
voltage
exceeds
breakdown
voltage
UZ
of
the
body
diode,
the
diode
breaks
(avalanche
breakdown)
and
thus
prevents
a
further
voltage
rise.
Steigt
die
Spannung
über
die
Durchbruchsspannung
UZ
der
Bodydiode
an,
bricht
die
Diode
durch
(Avalanche-
bzw.
Lawinendurchbruch)
und
verhindert
so
einen
weiteren
Spannungsanstieg.
EuroPat v2
Breakdown
voltage
BV_pn
of
the
PN
diode
is
designed
in
such
a
way
that
BV_pn
is
lower
than
breakdown
voltage
BV_schottky
of
the
Schottky
diode
and
the
breakdown
occurs
on
the
base
of
the
trenches.
Die
Durchbruchspannung
der
PN-Diode
BV_pn
wird
so
ausgelegt,
dass
BV_pn
niedriger
als
die
Durchbruchspannung
der
Schottkydiode
BV_schottky
ist
und
der
Durchbruch
am
Boden
der
Gräben
stattfindet.
EuroPat v2
The
design
of
the
p
regions
in
this
semiconductor
device
20
ensures
that
breakdown
voltage
BV_pn
of
the
PN
diode
is
lower
than
breakdown
voltage
BV_schottky
of
the
Schottky
diode
and
breakdown
voltage
BV_mos
of
the
MOS
structure.
Die
Auslegung
der
p-Bereiche
sorgt
bei
dieser
Halbleitereinrichtung
20
dafür,
dass
die
Durchbruchspannung
BV_pn
der
PN-Diode
niedriger
ist
als
die
Durchbruchspannung
BV_schottky
der
Schottky-Diode
und
die
Durchbruchspannung
BV_mos
der
MOS-Struktur.
EuroPat v2
Breakdown
voltage
BV_pn
of
the
PN
diode
may
be
designed
so
that
it
is
lower
than
breakdown
voltage
BV_schottky
of
the
Schottky
diode
and
breakdown
voltage
BV_mos
of
the
MOS
structure.
Die
Durchbruchspannung
BV_pn
der
PN-Diode
wird
dabei
vorteilhaft
derart
ausgelegt,
dass
sie
niedriger
ist
als
die
Durchbruchspannung
BV_schottky
der
Schottky-Diode
und
die
Durchbruchspannung
BV_mos
der
MOS-Struktur.
EuroPat v2
The
first
diode
prevents
a
breakdown
from
the
voltage
level
of
the
second
subsystem
to
the
voltage
level
of
the
first
subsystem.
Die
erste
Diode
verhindert
ein
Durchschlagen
von
der
Spannungsebene
des
zweiten
Teilnetzes
auf
die
Spannungsebene
des
ersten
Teilnetzes.
EuroPat v2
The
Schottky
diode
as
recited
in
one
of
the
preceding
claim
5,
wherein
the
Schottky
diode
has
a
breakdown
voltage
greater
than
100
V.
Schottkydiode
nach
einem
der
vorhergehenden
Ansprüche,
dadurch
gekennzeichnet,
dass
sie
eine
Durchbruchspannung
aufweist,
die
größer
als
100
V
ist.
EuroPat v2
The
diode
703
is
in
the
form
of
a
zener
diode,
whose
breakdown
voltage
is
chosen
to
be
less
than
the
maximum
permissible
voltage
on
the
switch
702,
and
greater
than
the
voltage
which
occurs
on
the
switch
702
during
operation.
Die
Diode
703
ist
als
Zenerdiode
ausgeführt,
wobei
deren
Durchbruchsspannung
kleiner
als
die
maximal
zulässige
Spannung
des
Schalters
702
und
größer
als
die
während
des
Betriebes
am
Schalter
702
auftretende
Spannung
gewählt
ist.
EuroPat v2
Due
to
the
fact
that
emitter
region
36
does
not
have
an
external
terminal,
the
charge
carriers
therein
cannot
flow
off,
resulting
in
an
increasing
blocking
potential
between
emitter
36
and
base
34,
which
finally
results
in
breakdown
of
the
emitter-base
diode,
with
the
breakdown
zone
in
FIG.
Da
der
Emitterbereich
36
keinen
äußeren
Anschluß
aufweist,
können
die
Ladungsträger
in
demselben
nicht
abfließen,
was
zu
einem
zunehmenden
Sperrpotential
zwischen
Emitter
36
und
Basis
34
führt,
was
schließlich
einen
Durchbruch
der
Emitter-Basis-Diode
zur
Folge
hat,
wobei
die
Durchbruchzone
in
Fig.
EuroPat v2