Translation of "Ladungsgekoppelte anordnung" in English
Hierunter
versteht
man
eine
ladungsgekoppelte
Anordnung,
bei
der
die
Ladungen
an
der
Oberfläche
des
Halbleiterkörpers
1
verschoben
werden.
By
this
is
meant
a
charge
coupled
device
in
which
the
charge
packets
are
shifted
at
the
surface
of
the
semiconductor
body
1.
EuroPat v2
Ein
mit
4
bezeichnetes
Schieberegister
ist
als
eine
ladungsgekoppelte
Anordnung
(CCD)
ausgebildet
und
arbeitet
im
3-Phasen-Betrieb,
Sie
weist
eine
Reihe
von
Elektroden
411,
412,
413,
422,
423
usw.
auf,
die
über
einer
das
Substrat
1
abdeckenden,
dünnen
Isolierschicht,
z.B.
einer
Gateoxidschicht
aus
Si0
2,
dicht
nebeneinanderliegend
in
Verschieberichtung
R
plaziert
sind.
A
shift
register
4
is
designed
as
a
charge
coupled
device
(CCD)
and
functions
in
three-phase
operation.
The
shift
register
has
a
series
of
electrodes
411,
412,
413,
422,
423,
etc.
which
are
placed
in
close
proximity
in
the
shift
direction
R
over
a
thin
insulating
layer,
for
example,
a
gate
oxide
layer
of
SiO2
covering
the
substrate
1.
EuroPat v2
Weiterhin
wurde
bisher
von
einer
CTD-Anordnung
ausgegangen,
die
als
eine
SCCD-Anordnung
ausgebildet
ist.
Hierunter
versteht
man
eine
ladungsgekoppelte
Anordnung,
bei
der
die
Ladungen
an
der
Oberfläche
der
Halbleiterschicht
1
verschoben
werden.
Although
the
above
discussion
disclosed
a
charge
transfer
device
arrangement
designed
as
a
SCCD
arrangement,
that
is,
a
charge
coupled
arrangement
in
which
the
charges
are
shifted
at
the
surface
of
the
substrate
1.
EuroPat v2
Aus
der
DE-OS
2
811
146
ist
ein
auf
einem
Halbleiterkörper
integrierter
Schaltkreis
zur
Differenzbildung
von
elektrischen
Ladungen
bekannt,
bei
dem
die
zu
messenden
Ladungen
in
einer
ladungsgekoppelten
Anordnung
nacheinander
in
die
durch
eine
Elektrode
mit
frei
einstellbarem
Potential
und
dem
Halbleiterkörper
gebildete
Kapazität
gebracht
und
daraus
entfernt
werden
und
die
entsprechende
Potentialdifferenz
an
der
Elektrode
gemessen
wird.
Another
circuit
for
undertaking
a
difference-formation
of
electrical
charges
integrated
on
a
semiconductor
body
is
known
from
German
OS
No.
28
11
146
in
which
the
charges
to
be
measured
are
successively
transferred
in
a
charge
coupled
arrangement
into
a
capacitor
formed
by
an
electrode
with
a
freely
adjustable
potential
disposed
above
the
semiconductor
body,
and
the
charges
are
removed
therefrom
with
the
corresponding
potential
difference
being
measured
at
the
electrode.
EuroPat v2