Translation of "Reverse leakage" in German

Thus, for an n channel FET array device 2 whose gate has been severed from the word line, positive accumulated electostatic charges on the gate will be conducted to the substrate by the diode 12 through its reverse biased leakage current so that an inadvertently positively charged gate will not cause the FET array device 2 to conduct.
Somit werden für einen N-Kanal-FET 2, dessen Gateelektrode von der Wortleitung abgetrennt ist, positive elektrostatische Ladungen auf der Gateelektrode über die Ableitdiode 12 durch den in Sperrichtung fließenden Leckstrom nach dem Substrat abgeleitet, so daß eine versehentlich positiv aufgeladene Gateelektrode den FET 2 nicht leitend macht.
EuroPat v2

If the gate and diode have been selectively severed from the balance of the read only storage circuitry, in the course of programming the storage, any residual charge on the gate is conducted through the diode by virtue of its reverse bias leakage or forward biased conduction state, depending upon the polarity of the residual charge on the gate.
Ist die Gateelektrode und damit die Ableitdiode selektiv vom Rest der Festwerspeicherschaltung bei der Programmierung des Speichers abgetrennt worden, dann wird jede Restladung auf der Gateelektrode über die Ableitdiode abgeleitet, und zwar entweder durch den Leckstrom bei einer Vorspannung in Sperrichtung oder normal bei einer Vorspannung in Durchlaßrichtung, je nach der Polarität der Restladung auf der Gateelektrode.
EuroPat v2

In this manner, electrostatic charge will be transferred from the gate node to the substrate by the reverse leakage current of diode while, for those FET array devices 2 which remain connected to their respective word lines, a positive gating pulse on the word line will not be clamped to the substrate voltage by the diode but the pulse instead will be effective to turn the selected array device on, as intended.
In dieser Weise wird eine auf der,Gateelektrode sich ansammelnde elektrostatische Ladung über den in Sperrichtung über die Ableitdiode fließenden Leckstrom nach dem Substrat abgeleitet werden. Für diejenigen Feldeffekttransistoren 2, die an ihren entsprechenden Wortleitungen angeschlossen bleiben, wird ein positiver Schaltimpuls auf der Wortleitung nicht durch die Ableitdiode auf der Substratspannung festgehalten werden, sondern der Impuls wird den ausgewählten Feldeffekttransistor einschalten, was beabsichtigt ist.
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