Translation of "Cutoff voltage" in German
One
thus
observes
no
shift
of
its
cutoff
voltage
toward
negative
values.
So
beobachtet
man
keine
Verschiebung
ihrer
Einsatzspannung
zu
negativen
Werten.
EuroPat v2
The
cutoff
voltage
can
be
kept
low
due
to
the
relatively
low
doping.
Durch
die
relativ
geringe
Dotierung
an
der
Oberfläche
kann
die
Einsatzspannung
niedrig
gehalten
werden.
EuroPat v2
The
cutoff
voltage
of
transistor
9,
which
works
as
a
zero
switch,
is
determined
by
the
Zener
diode
15.
Die
Einsatzspannung
des
als
Nullschalters
arbeitenden
Transistors
9
wird
durch
die
Zenerdiode
15
bestimmt.
EuroPat v2
The
cutoff
voltage
of
T2
is
set
such
that
it
is
attained
by
means
of
this
voltage
drop
13
of
UE1.
Die
Einsatzspannung
von
T2
ist
so
eingestellt,
daß
sie
durch
diesen
Spannungsabfall
13
von
UE1
erreicht
wird.
EuroPat v2
By
means
of
positive
charging
of
the
gate
insulating
layer
12,
the
cutoff
or
threshold
voltage
Ut
of
the
N-channel
transistor
T4
moves
to
a
lower
value.
Durch
die
positive
Aufladung
der
Gate-Isolierschicht
12
verschiebt
sich
die
Einsatzspannung
U
t
des
N-Kanal-Transistors
T4
auf
einen
niedrigeren
Wert.
EuroPat v2
This
power
density
is
selected
such
that
the
gate
insulating
layer
12
of
the
last-named
transistors
in
each
case
heats
up
to
a
temperature
of
approximately
500°
to
600°
C.
and
the
stored
positive
charge
carriers
flow
off
into
the
semiconductor
body
5.
Consequently
the
gate
insulating
layer
is
again
discharged
and
attains
the
original
value
of
the
cutoff
voltage.
Diese
Leistungsdichte
wird
so
gewählt,
daß
sich
die
Gate-Isolierschicht
12
der
letzt
genannten
Transistoren
jeweils
auf
eine
Temperatur
von
etwa
500
bis
600°C
erwärmt,
wobei
die
gespeicherten
positiven
Ladungsträger
in
den
Halbleiterkörper
5
abfließen,
so
daß
die
Gate-Isolierschicht
wieder
entladen
und
der
ursprüngliche
Wert
der
Einsatzspannung
wieder
erreicht.wird.
EuroPat v2
Accordingly,
T4
again
assumes
its
original
cutoff
or
threshold
voltage
while
the
displacement
of
the
cutoff
or
threshold
voltage
of
T2
remains
at
a
larger
value.
Dabei
nimmt
T4
wieder
seine
ursprüngliche
Einsatzspannung
an,
während
die
Verschiebung
der
Einsatzspannung
von
T2
auf
einem
größeren
Wert
bestehen
bleibt.
EuroPat v2
The
ions
can
lead
to
the
corrosion
of
aluminum
conductor
runs
provided
on
the
circuit
or
even
to
changes
of
the
cutoff
voltage
of
functional
units
present
in
the
integrated
semiconductor
circuit.
Diese
Ionen
können
zur
Korrosion
vom
auf
dem
Schaltkreis
vorgesehenen
Aluminium-Leiterbahnen
oder
auch
zu
Änderungen
der
Einsatzspannung
von
im
integrierten
Halbleiterschaltkreis
befindlichen
Funktionseinheiten
führen.
EuroPat v2
If
the
switching
transistor
T2
becomes
conducting,
we
have
Vx
?VtE
?VtEO
where
the
residual
voltage
at
the
switching
transistor
T2
is
ignored
and
VtEO
signifies
the
cutoff
voltage
of
the
enhancement
transistor
for
the
source
voltage
zero.
Wenn
der
Schalttransistor
T2
leitend
wird,
ist
EPMATHMARKEREP
wobei
die
Restspannung
am
Schalttransistor
T2
vernachlässigt
wird
und
V
tEO
die
Einsatzspannung
des
Enhancement-Transistors
bei
Source-Spannung
Null
bedeutet.
EuroPat v2
Due
to
the
additional
potential
source
which
acts
as
a
source
bias,
the
cutoff
voltage
of
the
depletion
transistor
is
changed,
so
that
on
one
hand
a
shift
of
the
so-called
depletion
curve
and
thus
a
current
decrease
is
caused.
Durch
die
als
Sourcevorspannung
wirkende
zusätzliche
Potentialquelle
verändert
sich
die
Einsatzspannung
des
Depletion-Transistors,
wodurch
einerseits
eine
Verschiebung
der
sogenannten
Depletion-Kurve
und
somit
eine
Stromabnahme
verursacht
wird.
EuroPat v2
The
cutoff
voltage
of
the
MIS
field
effect
transistors
should
be
so
small
that
the
forward
voltage
adjacent
to
the
anode
9
after
ignition
suffices
in
order
to
again
turn
the
emitter
short
circuits
SK
on.
Die
Einsatzspannung
der
MIS-Feldeffekttransistoren
sollte
so
klein
sein,
dass
die
nach
dem
Zünden
an
der
Anode
9
anliegende
Durchlassspannung
ausreicht,
die
Emitterkurzschlüsse
SK
wieder
wirksam
zu
schalten.
EuroPat v2
As
soon
as
the
thyristor
1
changes
to
a
cutoff
state,
the
voltage
vT
across
the
thyristor
1
assumes
a
waveform
different
from
zero
until,
with
the
voltage
vT
in
the
forward
direction
of
the
thyristor
1
being
positive,
the
latter
is
fired
and
changes
back
into
a
conducting
state.
Sobald
der
Thyristor
1
in
einen
sperrenden
Zustand
übergeht,
nimmt
die
Spannung
u
T
an
dem
Thyristor
1
einen
von
Null
verschiedenen
Spannungsverlauf
an,
bis
bei
positiver
Spannung
u
T
in
Durchlaßrichtung
des
Thyristors
1
dieser
gezündet
wird
und
wieder
in
einen
stromleitenden
Zustand
übergeht.
EuroPat v2
However,
as
soon
as
the
gate-to-source
voltage
of
the
MOSFETs
forming
the
two
diodes
8
and
9
exceed
their
cutoff
voltage,
the
diodes
begin
to
be
conducting.
Sobald
aber
jeweils
die
Gate-Source-Spannung
der
die
beiden
Dioden
8
und
9
bildenden
MOS-Feldeffekttransistoren
ihre
Einsatzspannung
überschreitet,
beginnen
diese
zu
leiten.
EuroPat v2
Preferably,
an
intermediate
layer
is
employed
between
the
ohmic
layer
and
the
channel
layer
in
order
to
be
able
to
optimally
set
the
recess
of
the
transistor
for
the
intended
cutoff
voltage.
Vorzugsweise
wird
eine
Zwischenschicht
zwischen
der
Ohm-Kontaktschicht
und
der
Kanalschicht
verwendet,
um
den
Recess
des
Transistors
optimal
für
die
vorgesehene
Einsatzspannung
einstellen
zu
können.
EuroPat v2
This
is
followed
by
the
etching
of
the
recess
for
setting
the
cutoff
voltage
of
the
transistor
(for
example
HEMT).
Es
folgt
das
Ätzen
des
Recess
zum
Einstellen
der
Einsatzspannung
des
Transistors
(z.
B.
HEMT).
EuroPat v2
In
MOSFETs
on
extremely
thin
surface
layers
such
as,
for
example,
given
employment
of
SOI
substrates
with
an
extremely
thin
useful
layer
of
silicon
(what
is
referred
to
as
a
silicon
body
layer)
for
the
manufacture
of
fully
depleted
MOSFETs,
the
cutoff
voltage
is
highly
dependent
on
the
thickness
of
the
silicon
body,
this
being
very
difficult
to
technologically
govern.
Bei
MOSFETs
auf
sehr
dünnen
Oberflächenschichten,
wie
z.
B.
bei
Verwendung
von
SOI-Substraten
mit
einer
sehr
dünnen
Nutzschicht
aus
Silizium
(sogenannte
Body-Siliziumschicht)
zur
Herstellung
vollständig
verarmter
(fully
depleted)
MOSFETs
ist
die
Einsatzspannung
stark
von
der
Dicke
des
Body-Siliziums
abhängig,
was
technologisch
nur
schwer
in
den
Griff
zu
bekommen
ist.
EuroPat v2
Although
the
cutoff
voltage
is
kept
within
narrow
limits
given
employment
of
thicker
layers,
the
kink
effect
occurs,
this
producing
a
shift
of
the
substrate
potential
due
to
substrate
current
that
does
not
flow
off,
given
an
increasing,
applied
voltage
and
that
can
only
be
avoided
by
a
terminal
contact
at
the
silicon
body
layer
via
which
the
substrate
current
can
then
be
diverted.
Bei
Verwendung
von
dickeren
Schichten
hält
sich
zwar
die
Einsatzspannung
in
engen
Grenzen,
es
tritt
aber
der
Kink-Effekt
auf,
der
eine
Verschiebung
des
Substratpotentials
durch
nicht
abfließenden
Substratstrom
bei
zunehmender
angelegter
Spannung
hervorruft
und
der
sich
nur
durch
einen
Anschlußkontakt
an
der
Body-Siliziumschicht,
über
den
man
den
Substratstrom
ableiten
kann,
vermeiden
läßt.
EuroPat v2