Translation of "Alignment mark" in German

The clearing frame is doped, for example, simultaneously with the implantation of an alignment mark.
Beispielsweise wird der Ritzrahmen gleichzeitig mit der Implantation einer Justiermarke dotiert.
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This also applies for the searching for the alignment mark 9 via the electron beam.
Dies gilt auch beim Suchen der Justiermarke 9 durch den Elektronenstrahl.
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In addition, a workpiece alignment mark is situated on the workpiece.
Auf dem Werkstück ist ferner eine Werkstück-Ausrichtmarkierung angeordnet.
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3A, with an alignment mark obtained from the mean of the two marks associated to the chip fields.
3A mit einer Justiermarke, die durch Mittelung der den Chipfeldern zugeordneten beiden Marken entstanden ist.
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The processing tool via which the object alignment mark is detectable is situated on the second object.
Am zweiten Objekt ist das Bearbeitungswerkzeug angeordnet, über das die Objekt-Ausrichtmarkierung detektierbar ist.
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A processing tool via which the object alignment mark is detectable is situated on the second object.
Am zweiten Objekt ist ein Bearbeitungswerkzeug angeordnet, über das die Objekt-Ausrichtmarkierung detektiert wird.
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The invention relates to a mask for imaging a pattern on a photoresist layer, with at least one alignment mark, to a method of making such a mask, and use of these masks for making semiconductor components.
Die Erfindung betrifft eine Maske zur Abbildung eines Musters auf einer Photoresistschicht mit mindestens einer Justiermarke, einem Verfahren zur Herstellung einer solchen Maske und Verwendung dieser Masken zur Herstellung von Halbleiterbauelementen.
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Mask as claimed in claim 1, characterized in that the alignment mark is arranged in that area of the mask which corresponds to the border lines on the semiconductor wafer.
Maske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Justiermarke in dem Bereich der Maske, der den Schnittfugen auf dem Halbleiterwafer entspricht,angeordnet ist.
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Mask according to claim 1 characterized in that the alignment mark is arranged in the area of the border lines in the corners of the said individual chip fields.
Maske nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Justiermarke im Bereich der Schnittfugen in den Ecken der einzelnen Chipfelder angeordnet ist.
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DESCRIPTION Field of the Invention The invention relates to a mask for imaging a pattern on a photoresist layer with at least one alignment mark, to a method of making said mask, and to the use of masks of that type in a photolithographic process.
Die Erfindung betrifft eine Maske zur Abbildung eines Musters, das aus mehreren Chipfeldern zusammengesetzt ist, auf einer Photoresistschicht, mit mindestens einer Justiermarke zwischen mindestens zwei benachbarten Chipfeldern, eine Verfahren zur Herstellung dieser Maske und die Verwendung von Masken dieser Art in einem photolithographischen Prozeß.
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For this purpose it is advantageous to provide in the image surface a line element allocated to an alignment mark, extending parallel to the edges of the window, with generation of alignment signals depending on the distance the line element from the image of the edges of the window which are used for the correction of the image and/or object surfaces in a direction normal to the line element, and with generation of sharp-focusing signals depending on the sharpness of an image of the edges of the window or of the line element which are used for the relative displacement of the image and object surfaces in the direction of the optical axis.
Erfindungsgemäß wird hiezu vorgesehen, daß ein durch das Projektionsobjektiv rückprojiziertes Abbild des Bildes der in an sich bekannter Weise als von zwei parallelen Kanten begrenztes Fenster ausgebildeten Ausrichtmarke von einem zwischen Maske und Projektionsobjektiv angeordneten halbdurchlässigen Spiegel auf eine Auswerteeinrichtung geworfen wird und in einer Detektionsebene der Auswerteeinrichtung normal zu den Kanten des Fensters abgetastet wird, wobei proportional zum Intensitätsverlauf elektrische Signale erzeugt werden und die Steilheit der den Fensterkanten entsprechenden elektrischen Signale bestimmt wird, deren Wert zur Steuerung der relativen Position von Maske und Werkstück in Richtung der optischen Achse ausgewertet wird.
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The rays impinging from the illuminating device 1 upon an alignment mark 3, designed as a window with at least two parallel edges, are reflected by a semitransparent mirror 15 disposed below the mask 2 and are directed onto the area of the associated adjustment mark 8 of the substrate 6 via a confronting mirror 14 provided on the underside of the glass 12'.
Die von der Belichtungseinrichtung 1 auf eine als Fenster mit zumindest zwei parallelen Kanten ausgebildete Ausrichtmarke 3 fallenden Strahlen werden von einem unterhalb der Maske 2 angeordneten halbdurchlässigen Spiegel 15 reflektiert und über einen Spiegel 14, welcher an der Unterseite des Glases 12' vorgesehen ist, auf den Bereich der zugehörigen Justiermarke 8 des Substrates 6 gelenkt.
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The alignment mark on the border line between these two fields which has been formed by taking the mean of the marks of fields 2 and 3 is marked MF2,3.
Die Justiermarke auf der Schnittfuge zwischen diesen beiden Feldern, die durch Mittelung aus den Marken der Felder 2 und 3 entstanden ist, ist mit M F2,3 bezeichnet.
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