Übersetzung für "Transistor gate" in Deutsch

The transistor comprises a gate and also diffusion regions.
Der Transistor umfaßt ein Gate sowie Diffusionsbereiche.
EuroPat v2
As shown by the FIGURE, each transistor has a gate-source voltage VG.
Wie die Figur zeigt, hat jeder Transistor eine Gate-Source-Spannung VG.
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Source and drain connections of double-gate transistor T 1 are marked with A and B respectively.
Source- und Drainanschlüsse des Doppelgatetransistors T1 sind mit A bzw. B bezeichnet.
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The selection transistor AT is configured as a MOS transistor with a gate electrode.
Der Auswahltransistor AT ist als MOS-Transistor mit einer Gateelektrode ausgeführt.
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In one embodiment, the field effect transistor is formed as a sidewall transistor or as a so-called surrounded gate transistor.
Der Feldeffekttransistor wird bei einer Ausgestaltung als Seitenwandtransistor bzw. als sogenannter Surrounded-Gate-Transistor ausgebildet.
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The controllable switch 5 can be a transistor with insulated gate electrodes.
Der steuerbare Schalter 5 kann ein Transistor mit isolierter Gateelektrode sein.
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The load element 32 is advantageously realized as a p-channel field effect transistor whose gate is connected to its drain terminal.
Das Lastelement 32 ist zweckmäßig als p-Kanal-Feldeffekttransistor realisiert, dessen Gate mit seinem Drainanschluß verbunden ist.
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The load element 28 is expediently realized as a p-channel field effect transistor whose gate is wired to its drain terminal.
Das Lastelement 28 ist zweckmäßig als p-Kanal-Feldeffekttransistor realisiert, dessen Gate mit seinem Drainanschluß beschaltet ist.
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This contact element 2 is connected at point P to the gate FG of the double-gate transistor T 1 .
Dieses Kontaktelement 2 ist an Punkt P mit dem Gate FG des Doppelgatetransistors T1 verbunden.
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This prevents driving of the associated transistor by the gate electrode of the adjacent depression.
Dadurch wird eine Ansteuerung des zugehörigen Transistors durch die Gateelektrode der benachbarten Vertiefung vermieden.
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The actual MOS structure of the transistor with the gate oxide is situated in the upper part of a trench.
Im oberen Teil eines Trenches befindet sich die eigentliche MOS-Struktur des Transistors mit dem Gateoxid.
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In accordance with the invention an additional transistor is arranged between each stick and the output of the entire logic circuit, which transistor receives a gate voltage such that current flow from the cut-off charged sticks via a conductive stick is prevented or delayed until the output signal of the logic circuit has assumed a value which unambiguously switches over the next output transistor.
Erfindungsgemäß wird zwischen jedem Strang und dem Ausgang der gesamten Verknüpfungsschaltung ein zusätzlicher Transistor eingefügt, der eine Gatespannung erhält, so daß ein Stromfluß von den gesperrten, aufgeladenen Strängen über einen leitenden Strang verhindert oder so lange verzögert wird, bis das Ausgangssignal der Verknüpfungsschaltung einen Wert angenommen hat, der den nachfolgenden Ausgangstransistor eindeutig schaltet.
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At the output of the switch amplifier 403 appears a pulse corresponding in its position and width to the data window x, which pulse connects through with a field-effect transistor representing the gate circuit 38 by way of an inverter 404.
Am Ausgang des Schaltverstärkers 403 tritt ein nach Lage und Breite dem Zeitfenster x entsprechender Impuls auf, der über einen Inverter 404 einen die Torschaltung 38 darstellenden Feldeffekttransistor durchschaltet.
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The first inverter has a field effect switching transistor T1 and a load element connected in series comprised of a field effect transistor T2 whose gate electrode is connected with its source terminal.
Der erste Inverter weist einen Feldeffekt-Schalttransistor T1 und ein zu diesem in Serie geschaltetes Lastelement auf, das aus einem Feldeffekttransistor T2 besteht, dessen Gateelektrode mit seinem Sourceanschluß verbunden ist.
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The gate of the transistor T1 is connected to the signal input of the transistor T2, whose gate is connected to the signal input of the transistor T1.
Das Gate des Transistors T1 ist mit dem Signaleingang des Transistors T2 und dessen Gate mit dem Signaleingang des Transistors T1 verbunden.
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If one applies a voltage exceeding the threshold voltage of the field effect transistor to the gate 7 by way of a terminal 7a, then inversion layers which represent a two-part channel area of the field effect transistor are formed in the edge areas 13 and 14 adjacent to the boundary surface 1a.
Legt man an das Gate 7 über einen Anschluss 7a eine die Einsatzspannung des Feldeffekttransistors übersteigende Spannung an, so bilden sich in den der Grenzfläche 1a anliegenden Teilen der Randbereiche 13 und 14 Inversionsschichten aus, die einen zweiteiligen Kanalbereich des Feldeffekttransistors darstellen.
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Similarly, the drain of the fifth field-effect transistor T5 leads to a circuit node which is formed by the source terminal of the eighth field-effect transistor T8, the gate of the seventh field-effect transistor T7 as well as the source terminal of a thirteenth field-effect transistor T13 and a fourteenth field-effect transistor T14.
In entsprechender Weise führt der Drain des fünften Feldeffekttransistors T5 zu einem Schaltungsknoten, der durch den Sourceanschluß des achten Feldeffekttransistors T8, dem Gate des siebenten Feldeffekttransistors T7 sowie dem Sourceanschluß eines dreizehnten Feldeffekttransistors T13 und eines vierzehnten Feldeffekttransistors T14 gebildet ist.
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This memory is characterized in that the row lines have respective right and left line sectors, that a number of scanning amplifiers corresponding to the number of row lines are arranged in a column in such a manner that each of the amplifiers connects a right-hand line sector with a left-hand line sector, that the memory cells each comprise a field effect transistor where the gate is connected to one of the column lines and the source or drain connection to one of the row lines, as well as a capacitive storage element, that furthermore several auxiliary cells are provided one of which is respectively connected to one of the right or left row line sectors, and that a common input/output line is arranged at one end of the row lines, and connected thereto, the common line being such that it can be coupled to several of the memory cells for the scanning amplifiers.
Dieser Speicher ist dadurch gekennzeichnet, daß die Zeilenleitungen jeweils rechte und linke Zeilenleitungsabschnitte aufweisen, daß eine der Zahl der Zeilenleitungen entsprechende Anzahl von Abtastverstärkern in einer Spalte derart angeordnet ist, daß jeder der Verstärker einen rechten Zeilenleitungsabschnitt mit einem linken Zeilenleitungsabschnitt verbindet, daß die Speicherzellen jeweils einen Feldeffekttransistor, dessen Gate an einer der Spaltenleitungen und dessen Source- oder Drain-Anschluß an einer der Zeilenleitungen angeschaltet sind, und ein kapazitives Speicherelement aufweisen, daß ferner mehrere Hilfszellen vorgesehen sind, von denen jeweils eine mit einem der rechten oder linken Zeilenleitungsabschnitte verbunden ist, und daß eine Eingangs-/Ausgangs-Sammelleitung an einem Ende der Zeilenleitungen angeordnet ist und mit diesem verbunden ist, wobei die Sammelleitung mit einigen der Speicherzellen für die Abtastverstärker koppelbar ist.
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Ähnliche Begriffe

on the gate transistor gate gates gated by
a gate Gate transistor-transistor logic insulated gate bipolar transistor
gate out gate-to-gate