Übersetzung für "Storing charge" in Deutsch

An electrically conductive or electrically nonconductive layer is preferably used as the charge-storing layer.
Als ladungsspeichernde Schicht wird vorzugsweise eine elektrisch leitende oder elektrisch nicht leitende Schicht verwendet.
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The gate 15 of the memory MOSFET 3 is used for storing the charge being written, and thus the data.
Das Gate 15 des Speicher-MOSFETs 3 dient zur Speicherung der eingeschriebenen Ladung und somit der Daten.
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According to an inventive development, an electronic control circuit is provided which connects the condenser storing the charge for the releasing pulse to the electronic circuit as a source of current supply when the current supply to the electronic circuit by the battery is interrupted.
Um die Sicherheit der Stromversorgungsschaltung weiter zu erhöhen, ist eine elektronische Steuerschaltung vorgesehen, die den die Ladung für den Auslöseimpuls speichernden Kondensator als Stromversorgungsquelle an die elektrische Schaltung anschliesst, wenn deren Stromversorgung durch die Batterie unterbrochen ist.
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The present method and the said devices are suitable not only for the determination of the energy content value EIW of electrochemical, chargeable or non-chargeably energy stores but are also suitable for the determination of the energy content value of static energy stores such as represented by capacitors for storing an electrical charge.
Das vorliegende Verfahren und die erwähnten Einrichtungen eignen sich nicht nur zur Ermittlung des Energieinhaltswertes EIW von elektrochemischen, aufladbaren oder nicht aufladbaren, Energiespeichern, sondern auch zur Ermittlung des Energieinhaltswertes von statischen Energiespeichern, wie dies Kondensatoren zum Speichern einer elektrischen Ladung darstellen.
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With the second doped polysilicon spacers 12, the conductive filling 13' forms an additional capacitance which increases the capacitance of the overall arrangement for the storing of the charge that represents the information.
Die leitende Füllung 13' bildet mit dem zweiten dotierten Polysiliziumspacer 12 eine zusätzliche Kapazität, die die Kapazität der Gesamtanordnung zur Speicherung der die Information darstellende Ladung erhöht.
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By way of example, it is possible to limit the formation of the passivation edge web to the lateral region with respect to the barrier layer, with the result that the side walls of the electrode arranged above the barrier layer are not covered by the passivation edge web and are available as effective capacitor area for storing charge.
Beispielsweise ist es möglich, die Bildung des Passivierungsrandstegs auf den Bereich seitlich der Barrierenschicht zu begrenzen, so daß die Seitenflanken der über der Barrierenschicht angeordneten Elektrode nicht vom Passivierungsrandsteg bedeckt sind und als effektive Kondensatorfläche zur Speicherung von Ladung zur Verfügung stehen.
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Electret fibers in the context of this invention are fibers of electrically non-conductive materials which are capable of storing an electrostatic charge which has been applied for a relatively long period of time.
Elektretfasern im Sinne dieser Erfindung sind Fasern aus elektrisch nichtleitenden Materialien, die eine aufgebrachte elektrostatische Ladung über längere Zeit zu speichern vermögen.
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Each DRAM memory cell comprises a transistor for addressing the cell and a capacitance for storing a charge which represents the information stored in the memory cell.
Jede DRAM-Speicherzelle besteht aus einem Transistor zur Ansteuerung der Zelle und einer Kapazität zur Speicherung einer Ladung, welche die in der Speicherzelle gespeicherte Information repräsentiert.
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Electronic device according to claim 1, in which the layer system has quantum dots as imperfections for storing electrical charge carriers.
Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem das Schichtensystem Quantendots als Störstellen zum Speichern von elektrischen Ladungsträgern aufweist.
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Said PCM structure is capable of storing charge arising during the process implementation in a non-volatile manner.
Die obige PCM-Struktur ist in der Lage, Ladung, welche während der Prozessführung entsteht, nichtflüchtig zu speichern.
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The function of a floating gate can also be realized by quantum dots being formed, in the layer system as artificial imperfections for storing electrical charge carriers.
Die Funktion eines Floating Gates kann auch dadurch realisiert werden, dass in dem Schichtensystem Quantendots als künstliche Störstellen zum Speichern von elektrischen Ladungsträgern gebildet werden.
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The imperfections which are formed in the layer system for the purpose of storing the charge carriers generated serve for shifting the threshold voltage of the electronic device.
Die Störstellen, die sich in dem Schichtensystem bilden zum Speichern der erzeugten Ladungsträger dienen dazu, die Einsatzspannung des elektronischen Bauelements zu verschieben.
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The result thereof, however, is that less electrical energy is available for the electrical circuit 3 when sending the optical radiation 7 and that precautions must then be undertaken in this case on the basis of a special design of the electrical circuit 3 or of the device 1, for example, by employing a charge-storing device.
Dies hat aber zur Folge, daß beim Senden von optischer Strahlung 7 für die elektrische Schaltung 3 dann weniger elektrische Energie zur Verfügung steht und daß dann für diesen Fall Vorsorge durch besondere Ausgestaltung der elektrischen Schaltung 3 oder der Einrichtung 1 getroffen werden muß, beispielsweise durch Verwendung von ladungsspeichernden Einrichtungen.
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In the memory of the present invention, the binary information is stored by storing a charge on a capacitor which is an integrated circuit capacitor.
Der Speicher speichert binäre Information durch Speicherung einer Ladung auf einem Kondensator, der in integrierter Schaltung ausgeführt ist.
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The memory transistor 364 is a field-effect transistor with a charge-storing intermediate layer 368 between a gate terminal 370 and a channel region.
Der Speichertransistor 364 ist ein Feldeffekttransistor mit einer ladungsspeichernden Zwischenschicht 368 zwischen einem Gate-Anschluss 370 und einem Kanalbereich.
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In the preferred exemplary embodiment, a switching element contains a one-transistor memory cell EZ, for which reason, in a subsequent step, a charge-storing layer 3 is formed preferably by deposition of polysilicon as a “floating gate”.
Im bevorzugten Ausführungsbeispiel besteht ein Schaltelement aus einer Eintransistor-Speicherzelle EZ, weshalb in einem nachfolgenden Schritt eine ladungsspeichernde Schicht 3 vorzugsweise durch Abscheiden von Polysilizium als "floating gate" ausgebildet wird.
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However, the invention is not restricted to such an electrically conductive charge-storing layer, but rather also encompasses, in the same way, electrically nonconductive charge-storing layers as are used for example in so-called SONOS cells.
Die Erfindung ist jedoch nicht auf eine derartig elektrisch leitende Ladungsspeicherschicht beschränkt sondern umfasst in gleicher Weise auch elektrisch nicht leitende ladungsspeichernde Schichten, wie sie beispielsweise in sogenannten SONOS-Zellen verwendet werden.
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In order to realize charge-storing layers that are electrically isolated from one another, in a further fabrication step, the charge-storing layer 3 can then be subjected to a first patterning in an x direction, the strip-type charge-storing layer first being formed in the direction of the active regions AA.
Zur Realisierung von elektrisch voneinander getrennten ladungsspeichernden Schichten kann nunmehr in einem weiteren Herstellungsschritt ein erstes Strukturieren der ladungsspeichernden Schicht 3 in einer x-Richtung erfolgen, wobei die streifenförmige ladungsspeichernde Schicht zunächst in Richtung der aktiven Bereiche AA ausgebildet werden.
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Whereas the data storage medium 132 in the control component 120 is advantageously used for permanently storing charge information relating to the sensor element 112, for example, producer-specific and/or production-specific information, such as calibration information, the data storage medium of the reusable control part 118, which can, for example, be a component of the microcontroller 136, can be used for storing measurement results, which can subsequently be transmitted to the data manager via the telemetry component 140 .
Während der Datenspeicher 132 in der Steuerkomponente 120 vorzugsweise zur permanenten Speicherung von Chargeninformationen über das Sensorelement 112 dient, beispielsweise von herstellerspezifischen und/oder herstellungsspezifischen Informationen, wie beispielsweise Kalibrationsinformationen, kann der Datenspeicher des wieder verwendbaren Steuerteils 118, welcher beispielsweise Bestandteil des Microcontrollers 136 sein kann, zum Speichern von Messergebnissen dienen, welche anschließen über den Telemetriebaustein 140 an den Datenmanager weitergegeben werden können.
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In both semiconductor memory devices, the memory cells have so-called one-transistor memory cells, usually a drain region and a source region being formed in an active region of a semiconductor substrate and an insulated charge-storing layer being situated above the channel section in between the regions.
In beiden Halbleiterspeichereinrichtungen weisen die Speicherzellen so genannte Eintransistor-Speicherzellen auf, wobei üblicherweise in einem aktiven Gebiet eines Halbleitersubstrats ein Draingebiet und ein Sourcegebiet ausgebildet sind und sich über dem dazwischen liegenden Kanalabschnitt eine isolierte ladungsspeichernde Schicht befindet.
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In this way, height differences that occur, which are produced in particular by the charge-storing layers or islands 3, can be compensated for in an advantageous manner.
Auf diese Weise können in vorteilhafter Art auftretende Höhenunterschiede, die sich insbesondere durch die ladungsspeichernden Schichten bzw. Inseln 3 ergeben, ausgeglichen werden.
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Although embodiments and discussions below partly relate to memory elements comprising a floating gate for storing negative charge carriers, the following embodiments and discussions may be equally applied to other electronic memory elements, for example comprising a floating gate for storing positive charge carriers.
Obwohl sich nachfolgende Ausführungsbeispiele und Erläuterungen teilweise auf Speicherelemente mit einem Floating-Gate zum Speichern negativer Ladungsträger beziehen, sind die folgenden Ausführungsbeispiele und Erläuterungen auch auf andere elektronische Speicherelemente, bspw. mit einem Floating-Gate zum Speichern positiver Ladungsträger gleichermaßen anwendbar.
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Second, however, particularly because of the proportion of activated carbon and carbon black, like the negative electrode, it is capable of storing electrical charge.
Zum anderen ist sie aber, vor allem aufgrund des Anteils an Aktivkohle und Ruß, wie die negative Elektrode dazu in der Lage, elektrische Ladung zu speichern.
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TECHNICAL FIELD The invention relates to a circuit assembly for supplying an electrical load with electrical energy from a voltage source, including an input terminal for connecting to the voltage source, an output terminal for connecting to the load, an electrical charge storage for storing electrical charge, a constant current circuit electrically coupled to the input terminal and the charge storage for supplying the charge storage with a presettable electrical current, a linear regulator circuit electrically coupled to the charge storage and the output terminal for providing a regulated electrical potential at the output terminal, a bypass circuit controllable by means of a control signal, which is electrically coupled to the input terminal and the charge storage in parallel with the constant current circuit for supplying the charge storage with an electrical bypass current, as well as a control unit for providing the control signal.
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Versorgen eines elektrischen Verbrauchers mit elektrischer Energie aus einer Spannungsquelle, mit einem Eingangsanschluss zum Anschließen an die Spannungsquelle, einem Ausgangsanschluss zum Anschließen an den Verbraucher, einem elektrischen Ladungsspeicher zum Speichern von elektrischer Ladung, einer mit dem Eingangsanschluss und dem Ladungsspeicher elektrisch gekoppelten Konstantstromschaltung zum Beaufschlagen des Ladungsspeichers mit einem vorgebbaren elektrischen Strom, einer mit dem Ladungsspeicher und dem Ausgangsanschluss elektrisch gekoppelten Längsreglerschaltung zum Bereitstellen eines geregelten elektrischen Potentials am Ausgangsanschluss, einer parallel zur Konstantstromschaltung mit dem Eingangsanschluss und dem Ladungsspeicher elektrisch gekoppelten, mittels eines Steuersignals steuerbaren Bypass-Schaltung zum Beaufschlagen des Ladungsspeichers mit einem elektrischen Bypass-Strom sowie einer Steuereinheit zum Bereitstellen des Steuersignals.
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Organic radical batteries are electrochemical cells which use an organic charge storage material as active electrode material for storing electrical charge.
Organische Radikalbatterien sind elektrochemische Zellen, die ein organisches Ladungsspeicherungsmaterial als aktives Elektrodenmaterial zur Speicherung von elektrischer Ladung verwenden.
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Ähnliche Begriffe

charges are being charged charge you you have charged
store charged against charged through out of charge
storing charge being charged