Übersetzung für "Scribe line" in Deutsch

The saw cut is made within the scribe line.
Der Sägeschnitt wird innerhalb der Scribeline durchgeführt.
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Dicing occurs, for example, by a saw cut within a scribe line.
Die Vereinzelung erfolgt zum Beispiel durch einen Sägeschnitt innerhalb der sogenannten Scribeline.
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It corresponds, in particular, to webs, a grid, individual windows, a scribe line, or identification features.
Sie entspricht insbesondere Stegen, einem Gitter, einzelnen Fenstern, einem Ritzrahmen oder Identifizierungsmerkmalen.
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The semiconductor wafer 10 has a scribe line 11, in which the solar cells 30 are disposed.
Die Halbleiterscheibe 10 weist einen Ritzrahmen 11 auf, in dem die Solarzellen 30 angeordnet sind.
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The semiconductor chips 1 are sawn out along the scribe line 11 at a later time during fabrication.
Die Halbleiterchips 1 werden entlang des Ritzrahmens 11 zu einem späteren Zeitpunkt der Herstellung ausgesägt.
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For dicing, the integrated circuits produced on a wafer are separated from one another by a scribe line.
Zum Vereinzeln sind die auf einem Wafer produzierten Integrierten Schaltkreise durch die sogenannte Scribeline voneinander separiert.
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In this way, the first and second structures in the respective scribe line are distributed uniformly over the surface of the semiconductor substrate, with the result that the surface of the semiconductor substrate is in each case covered uniformly during the checking of the first and second structures.
Auf diese Weise sind die ersten und zweiten Strukturen in dem jeweiligen Ritzrahmen gleichmäßig über die Oberfläche des Halbleitersubstrats verteilt, so dass bei der Überprüfung der ersten und zweiten Strukturen die Oberfläche des Halbleitersubstrats jeweils gleichmäßig abgedeckt wird.
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Since only transistors having thin gate oxide layers are produced in the zone of the scribe line 4 of the first region 1 of the first mask, only the first structures 5, but not the second structures 6, are checked during the checking process.
Da in dem Gebiet des Ritzrahmens 4 des ersten Bereichs 1 der ersten Maske nur Transistoren mit dünnen Gate-Oxid-Schichten erzeugt werden, werden bei der Überprüfung nur diese ersten Strukturen 5, nicht jedoch die zweiten Strukturen 6 überprüft.
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Correspondingly, only transistors having thick gate oxide layers are produced in the zone of the scribe line 4 of the second region 2 of the second mask, with the result that only the second structures 6 are checked there.
Entsprechend werden in dem Gebiet des Ritzrahmens 4 des zweiten Bereichs 2 der zweiten Maske nur Transistoren mit dicken Gate-Oxid-Schichten erzeugt, so dass dort nur die zweiten Strukturen 6 überprüft werden.
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The requisite space needed on the semiconductor wafer can be utilized in an advantageous manner by disposing the solar cell in the scribe line.
Der dazu benötigte Platzbedarf auf der Halbleiterscheibe kann in vorteilhafter Weise genutzt werden, indem die Solarzelle in dem Ritzrahmen angeordnet ist.
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The scribe line is necessarily enlarged because of this, which means that the number of semiconductor chips on the semiconductor wafer can generally be reduced.
Durch eine dadurch notwendige Vergrößerung des Ritzrahmens kann die Anzahl der Halbleiterchips auf der Halbleiterscheibe im allgemeinen reduziert werden.
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In the present exemplary embodiment, the chip areas have a rectangular cross-section, the scribe line 4 bordering them having a likewise rectangular contour.
Im vorliegenden Ausführungsbeispiel weisen die Chipflächen einen rechteckigen Querschnitt auf, wobei der diese umrandende Ritzrahmen 4 eine ebenfalls rechteckige Kontur aufweist.
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In a test configuration in which a plurality of semiconductor chips to be tested are applied on a semiconductor wafer, in one embodiment the solar cell is disposed in the scribe line of the semiconductor wafer.
Bei einer Testanordnung, bei der mehrere zu testende Halbleiterchips auf einer Halbleiterscheibe aufgebracht sind, ist die Solarzelle in einer Ausführungsform in dem Ritzrahmen der Halbleiterscheibe angeordnet.
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This recess 5 makes the silicon dioxide layer 3 thinner so that it can be separated more easily by sawing in the scribe line and the risk of severe cracking is considerably reduced.
Durch diese Aussparung 5 wird die Siliziumdioxidschicht 3 "verdünnt", so daß sie durch Sägen im Ritzrahmen leichter zu durchtrennen ist und die Gefahr gravierender Rißbildungen erheblich vermindert wird.
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Semiconductor components are usually separated from a wafer by sawing along a scribe line which establishes the boundaries between the individual semiconductor chips in the semiconductor wafer.
Das Abtrennen von Halbleiterbausteinen aus einem Wafer erfolgt gewöhnlich durch Sägen längs eines Ritzrahmens, der im Halbleiterwafer die Grenzen zwischen den einzelnen Halbleiterbausteinen festlegt.
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An apparatus is described in published European patent application EP 0 806 795 A2, in which, in order to prevent cracking in an insulating layer during the separation of a semiconductor component from a wafer along a scribe line in the insulating layer, a number of metallization planes is formed, a top metallization plane of which is electrically connected to an underlying metallization plane via a connecting layer in a connecting hole.
In Druckschrift EP 0 806 795 A2 ist eine Anordnung beschrieben, bei der zur Verhinderung von Rissbildungen in einer Isolierschicht bei der Abtrennung eines Halbleiterbausteins aus einem Wafer längs eines Ritzrahmens in der Isolierschicht mehrere Metallisierungsebenen ausgebildet sind, von denen eine oberste Metallisierungsebene mit einer darunterliegenden Metallisierungsebene über eine Verbindungsschicht in einem Verbindungsloch elektrisch verbunden ist.
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Semiconductor components, such as, in particular, memory chips, often contain fuses which are situated in the transition area between the semiconductor chip and the scribe line and store information which is needed at wafer level but can be omitted after the semiconductor wafer has been sawn apart.
Halbleiterbausteine, wie insbesondere Speicherchips, enthalten oft Fuses, die im Übergangsbereich zwischen dem Halbleiterbaustein und dem Ritzrahmen liegen und Information speichern, welche auf Waferebene benötigt wird, jedoch nach Zersägen des Halbleiterwafers entfallen kann.
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