Übersetzung für "Pass transistor" in Deutsch
This
pass
transistor
is
switched
by
means
of
the
element
respectively
assigned
to
it.
Dieser
Pass-Transistor
wird
über
das
ihm
jeweils
zugeordnete
Element
geschaltet.
EuroPat v2
According
to
this
refinement
of
the
invention,
then,
such
an
element
is
used
directly
as
a
pass
transistor.
Nach
dieser
Erfindungsausgestaltung
wird
also
ein
solches
Element
direkt
als
Pass-Transistor
verwendet.
EuroPat v2
The
pass
transistor
8
is
either
inhibited
or
activated
depending
on
the
magnitude
of
said
control
voltage.
Abhängig
von
der
Größe
dieser
Steuerspannung
wird
der
Pass-Transistor
8
entweder
gesperrt
oder
durchgeschaltet.
EuroPat v2
The
current
source
SQ
includes
a
series
pass
transistor
T5,
the
collector
of
which
is
connected
to
the
supply
terminal
having
the
voltage
UE
relative
to
the
reference
potential
and
the
emitter
of
which
is
connected
with
the
output
terminal
having
the
reference
voltage
UREF
relative
to
the
reference
potential.
Die
Stromquelle
SQ
besteht
aus
einem
Längstransistor
T5,
dessen
Kollektor
mit
der
gegenüber
dem
Bezugspotential
die
Spannung
U
E
besitzenden
Versorgungsklemme
und
dessen
Emitter
mit
der
gegenüber
dem
Bezugspotential
die
Referenzspannung
U
REF
besitzenden
Ausgangsklemme
verbunden
ist.
EuroPat v2
Before
any
significant
current
can
pass
through
the
transistor
T1
the
large
capacitor
CA
must
be
discharged
by
the
emitter
current
in
PNP
transistor
T2.
Bevor
ein
merklicher
Strom
durch
den
Transistor
T1
fließen
kann,
muß
die
große
Kapazität
C
A
durch
den
Emitterstrom
des
PNP
-Transistors
T2
entladen
werden.
EuroPat v2
According
to
a
first
refinement
of
the
invention,
it
may
be
provided,
then,
that
a
pass
transistor
(connected
into
the
data
line)
is
inhibited
or
enabled
by
means
of
the
element.
Nach
einer
ersten
Erfindungsausgestaltung
kann
nun
vorgesehen
sein,
dass
über
das
Element
ein
(in
die
Datenleitung
geschalteter)
Pass-Transistor
gesperrt
oder
freigegeben
wird.
EuroPat v2
The
opening
or
enabling
of
the
data
line
is
thus
controlled
indirectly
by
means
of
the
element
which
switches
the
pass
transistor
connected
directly
into
the
data
line.
Die
Öffnung
oder
Freigabe
der
Datenleitung
wird
also
indirekt
oder
mittelbar
über
das
Element
gesteuert,
das
den
direkt
in
die
Datenleitung
geschalteten
Pass-Transistor
schaltet.
EuroPat v2
The
current
or
aggregate
current
respectively
passed
via
one
element
or
for
example
two
coupled
elements
is
applied
to
the
gate
input
of
the
pass
transistor,
preferably
embodied
as
an
MOS
transistor.
Der
über
ein
Element
oder
beispielsweise
zwei
gekoppelte
Elemente
geführte
Strom
bzw.
Summenstrom
wird
am
Gate-Eingang
des
vorzugsweise
als
MOS-Transistors
ausgeführten
Pass-Transistors
angelegt.
EuroPat v2
In
this
case,
only
one
element
may
be
provided
for
actuating
the
pass
transistor,
provided
that
the
resistance
ratio,
that
is
to
say
the
ratio
between
the
low
switchable
resistance
and
the
high
switchable
resistance,
is
sufficiently
high,
so
that
a
sufficiently
high
voltage
ratio
can
be
applied
to
the
gate
input
for
controlling
the
transistor.
Dabei
kann
zum
Betätigen
des
Pass-Transistors
lediglich
ein
Element
vorgesehen
sein,
sofern
das
Widerstandsverhältnis,
also
das
Verhältnis
zwischen
dem
niedrigen
schaltbaren
Widerstand
und
dem
hohen
schaltbaren
Widerstand
hinreichend
hoch
ist,
so
dass
ein
hinreichend
hohes
Spannungsverhältnis
an
den
Gate-Eingang
zum
Steuern
des
Transistors
gelegt
werden
kann.
EuroPat v2
Besides
the
possibility
of
using
one
or
more
elements
to
control
a
pass
transistor
for
enabling
or
for
inhibiting
the
data
line
and
to
close
or
open
the
data
line
indirectly
by
means
of
the
element,
according
to
an
alternative
refinement
of
the
invention,
there
is
also
the
possibility
of
an
element
being
connected
directly
into
the
data
line
and
directly
opening
or
inhibiting
the
latter.
Neben
der
Möglichkeit,
über
ein
oder
mehrere
Elemente
einen
Pass-Transistor
zur
Freigabe
oder
zum
Sperren
der
Datenleitung
zu
steuern
und
die
Datenleitung
indirekt
über
das
Element
zu
schließen
oder
zu
öffnen,
besteht
nach
einer
alternativen
Erfindungsausgestaltung
auch
die
Möglichkeit,
dass
ein
Element
unmittelbar
in
die
Datenleitung
geschaltet
ist
und
diese
direkt
öffnet
oder
sperrt.
EuroPat v2
An
EEPROM
(including
flash)
also
comprises
a
plurality
of
transistors
which
can
be
reprogrammed
slowly
and
in
a
complicated
manner
and
have
poor
transit
times,
compared
with
a
simple
pass
transistor.
Auch
ein
EEPROM
(inklusiv
Flash)
besteht
aus
mehreren
Transistoren,
die
aufwendig
und
langsam
reprogrammierbar
sind
und
schlechte
Laufzeiten
aufweisen,
verglichen
mit
einem
einfachen
Pass-Transistor.
EuroPat v2
For
switching
the
pass
transistor
8,
two
TMR
cells
2
are
provided,
the
resistance
of
which
can
be
set
by
means
of
a
configuration
current
which
is
passed
via
a
configuration
current
interconnect
9
and
generates
a
corresponding
magnetic
field.
Zum
Schalten
des
Pass-Transistors
8
sind
zwei
TMR-Zellen
2
vorgesehen,
deren
Widerstand
über
einen
über
eine
Konfigurierstromleiterbahn
9
geführten
Konfigurierstrom,
der
ein
entsprechendes
Magnetfeld
erzeugt,
eingestellt
werden
kann.
EuroPat v2
The
control
voltage
generated
at
the
twin
cell
arrangement
is
passed
via
a
corresponding
connection
13
to
the
input
14
of
the
gate
15
of
the
pass
transistor
8
.
Die
an
der
Twin-Zellenanordnung
erzeugte
Steuerspannung
wird
über
eine
entsprechende
Verbindung
13
auf
den
Eingang
14
des
Gates
15
des
Pass-Transistors
8
gegeben.
EuroPat v2
Source
and
drain
currents
in
the
source
region
16
and
drain
region
17,
respectively,
of
the
pass
transistor
8
are
negligible
in
comparison
with
the
configuration
currents;
therefore,
the
distance
between
the
two
TMR
cells
2
and
the
gate
15
can
be
determined
by
the
required
insulation
distances.
Source-
und
Drain-Ströme
im
Source-Bereich
16
bzw.
Drain-Bereich
17
des
Pass-Transistors
8
sind
im
Vergleich
zu
den
Konfigurierströmen
vernachlässigbar,
daher
kann
der
Abstand
zwischen
den
beiden
TMR-Zellen
2
und
dem
Gate
15
durch
die
notwendigen
Isolationsabstände
bestimmt
werden.
EuroPat v2
It
can
then
be
used
directly
as
a
pass
transistor,
thereby
further
reducing
the
number
of
the
required
transistors
for
switching
the
data
line
7
.
Sie
kann
dann
direkt
als
Pass-Transistor
eingesetzt
werden,
wodurch
die
Anzahl
erforderlicher
Transistoren
zum
Schalten
der
Datenleitung
7
weiter
reduziert
wird.
EuroPat v2
If
the
voltage
drop
increases
by
the
series
pass
transistor,
this
indicates
a
currently
higher
total
power
consumption
of
the
level
measuring
device
in
relation
to
power
flowing
in
via
the
ports
118,
119
.
Erhöht
sich
der
Spannungsabfall
über
dem
Längstransistor,
so
deutet
dies
auf
eine
aktuell
höhere
Gesamtleistungsaufhahme
des
Füllstandmessgeräts
in
Relation
zur
über
die
Anschlüsse
118,
119
zufließenden
Leistung
hin.
EuroPat v2
To
select
the
Sense
FET
region,
gate
20
of
the
power
FET
18
is
coupled
to
gate
21
of
the
sense
current
section
8
of
the
Sense
FET
1
by
way
of
an
additional
FET
12
(pass
transistor).
Zum
Selektieren
des
Sense-FET-Bereichs
ist
Gate
20
des
Power-FETs
18
über
einen
zusätzlichen
FET
12
(Pass-Transistor)
mit
Gate
21
des
Sense-Stromteils
8
des
Sense-FETs
1
verbunden.
EuroPat v2
The
dropout
voltage
of
this
regulator
type
is
lower
than
that
at
the
circuit
above,
because
the
pass
transistor
is
driven
fully
into
saturation
by
attaching
a
negative
voltage
between
base
(gate)
and
collector
(drain).
Die
minimale
Spannungsdifferenz
dieses
Regeltyps
ist
kleiner
als
die
der
zuvor
behandelten
Schaltungen,
da
der
Transistor
jetzt
durch
eine
negative
Spannungsdifferenz
zwischen
Basis
(Gate)
und
Kollektor
(Drain)
eingeschaltet
wird.
ParaCrawl v7.1
Yet
the
electrons
would
not
be
able
to
pass
through
the
transistor
without
another
requirement
being
fulfilled:
the
distance
between
the
quantum
dot
and
the
conducting
layers
must
not
be
larger
than
two
to
three
nanometers.
Und
eine
zweite
Anforderung
muss
erfüllt
sein,
sonst
können
die
Elektronen
den
Transistor
nicht
passieren:
Der
Abstand
vom
Quantenpunkt
zu
den
leitfähigen
Schichten
darf
nicht
mehr
als
zwei
bis
drei
Nanometer
betragen.
ParaCrawl v7.1
In
this
second-order
low-pass
filter,
the
transistors
T1,
T2
are
connected
as
a
Darlington
amplifier.
In
diesem
Tiefpassfilter
zweiter
Ordnung
sind
die
Transistoren
T1
und
T2
als
Darlington-Verstärker
geschaltet.
EuroPat v2
As
with
discrete
transistors,
the
substrate
terminal
is
connected
to
the
source
connection,
so
there
is
a
transistor
to
the
parallel
diode
(body
diode),
whereby
the
transistor
passes
backwards.
Wird,
wie
bei
diskreten
Transistoren
üblich,
der
Substratanschluss
mit
dem
Sourceanschluss
verbunden,
so
ergibt
sich
eine
zum
Transistor
parallele
Diode
(Substratdiode),
wodurch
der
Transistor
rückwärts
stets
leitet.
Wikipedia v1.0
The
integrated
circuit
18
is
connected
to
and
driven
by
an
electronic
circuit
20
which
includes
means
for
presetting
the
operating
points
of
the
aforementioned
transistors
of
the
sensing
cell
array
within
their
amplification
ranges
and
means
for
measuring
the
amount
of
current
passing
through
each
transistor
and
deriving
an
electrical
output
signal
therefrom.
Der
integrierte
Schaltkreis
18
ist
mit
einem
ihm
betreibenden
elektronischen
Schaltkreis
20
verbunden,
der
eine
Einrichtung
zum
Voreinstellen
der
Arbeitspunkte
der
erwähnten
Transistoren
des
Abtastzellenfeldes
innerhalb
ihrer
Verstärkungsbereiche
enthält,
sowie
eine
Einrichtung
zur
Messung
der
Stromstärke
oder
der
Größe
des
Stromes,
die
durch
jeden
Transistor
fließt,
und
zur
Ableitung
eines
elektrischen
Ausgangssignals
daraus.
EuroPat v2
The
print
current
flowing
at
that
stage
consists
of
the
partial
currents
passing
transistors
T3
and
T4.
Es
fliesst
jetzt
der
Schreibstrom,
der
sich
aus
den
die
Transistoren
T3
und
T4
durchfliessenden
Teilströmen
zusammensetzt.
EuroPat v2
In
that
case,
a
diode
is
formed
between
the
bulk
region
of
the
transistor
and
the
source
electrode
or
drain
electrode,
which
gives
rise
to
limiting
effects
and
thus
causes
distortion
of
the
signal
passing
through
the
transistor.
Es
bildet
sich
dann
zwischen
dem
Bulk-Gebiet
des
Transistors
und
dem
Source-Anschluß
oder
Drain-Anschluß
eine
Diode,
die
zu
Begrenzungseffekten
führt
und
damit
das
den
Transistor
passierende
Signal
verzerrt.
EuroPat v2
At
a
time
to
when,
e.g.,
driver
circuit
10
is
selected,
the
current
ISEL
increases
to
about
1
milliampere
with
substantially
all
of
this
current
passing
through
PNP
transistor
T2
of
circuit
10,
since
the
emitter
of
transistor
T2
is
at
+V
volts
in
view
of
the
charged
large
capacitor
CA,
whereas
the
voltage
at
the
collector
of
the
NPN
transistor
T1
is
at
+V
volts
minus
the
voltage
drop
in
the
first
resistor
R1.
Zum
Zeitpunkt
t
0,
wenn
z.B.
die
Treiberschaltung
10
ausgewählt
wird,
steigt
der
Strom
I
SEL
auf
1
mA
an,
wobei
nahezu
der
gesamte
Strom
durch
den
PNP-Transistor
T2
der
Schaltung
10
fließt,
da
der
Emitter
des
Transistors
T2
an
einer
Spannung
von
+V
liegt
aufgrund
der
großen
geladenen
Kapazität
C
A,
während
die
Spannung
am
Kollektor
des
NPN-Transistors
T1
einen
Wert
besitzt,
der
der
um
den
Spannungsabfall
an
dem
gemeinsamen
Widerstand
R
1
verringerten
Spannung
von
+V
entspricht.
EuroPat v2