Übersetzung für "Native oxide" in Deutsch
There
is
a
native
oxide
layer
as
thin
as
possible
for
two
reasons.
Eine
möglichst
dünne
native
Oxidschicht
ist
aus
zwei
Gründen
erfindungsgemäß
vorgesehen.
EuroPat v2
A
native
oxide
layer
as
thin
as
possible
is
provided
as
claimed
in
the
invention
for
two
reasons.
Eine
möglichst
dünne
native
Oxidschicht
ist
aus
zwei
Gründen
erfindungsgemäß
vorgesehen.
EuroPat v2
The
protective
layer
applied
in
accordance
with
the
process
can
be
applied
to
this
native
oxide
layer.
Die
nach
dem
Verfahren
aufgebrachte
Schutzschicht
kann
auf
dieser
Eigenoxidschicht
aufgebracht
werden.
EuroPat v2
Thus,
in
this
case
as
well,
the
dissolving
of
native
oxide
is
favored.
So
wird
auch
in
diesem
Fall
das
Lösen
von
nativem
Oxid
begünstigt.
EuroPat v2
The
method
of
claim
3,
wherein
the
particles
have
a
native
oxide
surface
layer.
Verfahren
nach
Anspruch
3,
bei
dem
die
Partikel
eine
native
Oxidoberflächenschicht
aufweisen.
EuroPat v2
The
native
aluminum
oxide/hydroxide
(Al2O3/Al(OH)3)
layer
can
be
made
denser
by
water
plasma
treatment.
Im
Wasserplasma
kann
die
native
Aluminiumoxid/-hydroxid
(Al2O3/Al(OH)3)-Schicht
verdickt
werden.
ParaCrawl v7.1
To
determine
the
effect
of
the
growth
in
air
of
a
native
oxide
on
the
initial
tantalum
surface
on
barrier
properties,
the
vacuum
of
the
sputtering
unit
was
broken
after
the
tantalum
deposition
and
before
the
TaAl3
deposition.
Zur
Bestimmung
der
Auswirkung
des
Aufwachsens
einer
Oxidschicht
in
Luft
auf
der
ursprünglichen
Tantaloberfläche
auf
die
Sperrschichteigenschaften
wurde
das
Vakuum
nach
dem
Niederschlag
von
Tantal
und
vor
dem
Niederschlag
von
TaAl
3
aufgehoben.
EuroPat v2
Due
to
their
superior
material
properties
(low
resistance,
low
contact
resistance,
good
adhesion
of
overlying
dielectrics,
self-passivation
capability
by
forming
a
native
oxide
film,
suitability
for
multilayer
metallization)
and
a
high-quality
deposition
technology
with
good
step
coverage,
aluminum
and
aluminum
alloy
layers
have
been
used
as
metallization
material
from
the
beginning
of
VLSI
technology.
Aluminium-
bzw.
Aluminiumlegierungsschichten
werden
aufgrund
ihrer
überlegenen
Materialeigenschaften
(niedriger
Widerstand,
kleiner
Kontaktwiderstand,
gute
Adhäsion
von
darüberliegenden
Dielektrika,
Selbstpassivierungsfähgikeit
durch
Bildung
einer
natürlichen
Oxidschicht,
Eignung
für
Mehrlagenmetallisierung)
und
gut
funktionierender
Abscheideverfahren
mit
guter
Kantenbedeckung
seit
Beginn
der
VLSI-Technik
als
Leiterbahnmaterial
verwendet.
EuroPat v2
Such
a
heat-treatment
step
is
used
to
break
up
the
so-called
native
oxide
layer
or
layer
which
arises
when
the
substance
is
exposed
to
air
and
is
formed
uncontrollably
on
exposed
silicon
surfaces.
Dabei
wird
ein
derartiger
Temperschritt
verwendet,
um
eine
sogenannte
native
Oxidschicht
oder
Lageroxidschicht,
die
sich
an
freiliegenden
Siliziumoberflächen
unkontrollierbar
bildet
und
die
bei
Bipolartransistoren
an
der
Oberfläche
des
Emitters
zu
erhöhten
Widerstandswerten
zwischen
dem
Emitter
und
dem
Emitteranschluß
führen,
aufzubrechen.
EuroPat v2
In
the
process,
native
oxide
(oxide
which
arises
when
the
substance
is
exposed
to
air)
that
has
grown
on
the
exposed
semiconductor
surface
in
an
unintentional
and
uncontrolled
way,
is
completely
removed.
Dabei
wird
natives
Oxid
(auch
Lageroxid
genannt),
das
an
der
freiliegenden
Halbleiteroberfläche
unbeabsichtigt
und
unkontrolliert
aufgewachsen
ist,
vollständig
entfernt.
EuroPat v2
Then,
the
layers
7
and
8
and
the
native
oxide
which
generally
forms
on
the
crystalline
silicon
surface
are
removed,
for
example
by
wet-chemical
HF
etching
or
HF
vapor.
Anschließend
werden
die
Schichten
7
und
8
sowie
das
natürlichen
Oxid,
das
sich
in
der
Regel
auf
der
kristallinen
Siliziumoberfläche
ausbildet,
z.B.
durch
eine
nasschemische
HF
Ätzung
oder
HF
Dampf
entfernt.
EuroPat v2
Various
authors
have
proposed
methods
for
suppressing
the
undesired
effect
of
the
native
oxide
layer
during
the
fabrication
of
III-V
compound-semiconductor
devices.
Von
verschiedenen
Autoren
wurden
Verfahren
angegeben,
bei
denen
die
unerwünschte
Wirkung
der
Eigenoxidschicht
bei
der
Herstellung
von
III-V-Verbindungshalbleiterbauelementen
unterdrückt
wird.
EuroPat v2
In
a
paper
by
P.
Boher
et
al
from
the
INFOS
1987
conference
at
Leuven,
Mar.
12
through
14,
1987,
and
subsequently
also
appeared
in
print
and
comes
closest
to
the
present
invention,
the
removal
of
the
native
oxide
layer
using
a
hydrogen
plasma
is
described.
In
einem
Aufsatz
von
P.
Boher
et
al,
der
auf
der
Konferenz
INFOS
1987
in
Leuven,
13.
bis
15.04.1987
vorgetragen
und
anschließend
auch
als
Druckschrift
veröffentlicht
wurde
und
der
der
Erfindung
am
nächsten
kommt,
ist
das
Entfernen
der
Eigenoxidschicht
durch
Einwirkung
eines
Wasserstoff-Plasmas
beschrieben.
EuroPat v2
The
native
oxide
and/or
hydroxide
layer,
which
is
formed
on
all
the
surfaces
of
workpieces
made
from
aluminum
or
aluminum
compounds
that
are
exposed
to
ambient
air,
usually
has
a
thickness
of
less
than
10
nm
and
may
be
up
to
20
nm
thick
in
the
case
of
humid
air.
Die
natürliche
Oxid-
und/oder
Hydroxidschicht,
die
sich
auf
allen
der
Umgebungsluft
ausgesetzten
Oberflächen
von
Werkstücken
aus
Aluminium
oder
Aluminiumverbindungen
bildet
weist
üblicherweise
eine
Dicke
kleiner
als
10
nm
auf
und
kann
an
feuchter
Luft
bis
zu
20
nm
dick
sein.
EuroPat v2
The
oxide
and/or
hydroxide
layer
140
has
notches,
pores
and/or
cracks
160,
in
which
the
solder
plating
130
is
covered
only
with
a
native
oxide
and/or
hydroxide
layer
170
with
a
thickness
of
approximately
1
nm
to
5
nm.
Die
Oxid-
und/oder
Hydroxidschicht
140
weist
Kerben,
Poren
und/oder
Risse
160
auf,
in
denen
die
Lotplattierung
130
lediglich
mit
einer
natürlichen
Oxid-
und/oder
Hydroxidschicht
170
von
etwa
1
nm
bis
5
nm
Dicke
bedeckt
ist.
EuroPat v2
In
principle,
two
types
of
polishing
process
can
be
distinguished:
(1)
polishing
of
semiconductor
wafers
that
are
uncoated
or
coated
only
with
the
native
oxide,
made
e.g.
of
silicon,
in
which
for
example
Cu
2+
and
Ni
2+
are
present
as
unavoidable
contaminants
and
have
to
be
blocked,
and
(2)
polishing
of
semiconductor
wafers
during
component
manufacture,
which
are
covered
with
artificially
applied
layers
and/or
structures,
which
may
contain
intentionally
added
copper
which
is
blocked
by
the
chelating
agent
immediately
on
release
and
does
not
penetrate
into
other
parts
of
the
component
or
the
semiconductor
wafer
itself
and
cause
damage,
e.g.
by
electrical
leakage
currents
or
even
short
circuits.
Vom
Prinzip
her
lassen
sich
zwei
Arten
von
Polierprozessen
unterscheiden:
(1)
Politur
von
unbeschichteten
oder
nur
mit
dem
natürlichen
Oxid
("native
oxide")
beschichteten
Halbleiterscheiben
beispielsweise
aus
Silicium,
bei
denen
etwa
Cu
2+
und
Ni
2+
als
unvermeidbare
Kontaminationen
vorliegen
und
blockiert
werden
sollen,
und
(2)
Politur
von
Halbleiterscheiben
während
der
Bauelementefertigung,
die
mit
künstlich
aufgebrachten
Schichten
und/oder
Strukturen
bedeckt
sind,
die
gezielt
zugesetztes
Kupfer
enthalten
können,
welches
durch
den
Chelatbildner
unmittelbar
bei
der
Freisetzung
blockiert
wird
und
nicht
in
andere
Bestandteile
des
Bauelementes
oder
die
Halbleiterscheibe
selbst
eindringt
und
Schaden
beispielsweise
durch
elektrische
Kriechströme
oder
sogar
Kurzschlüsse
verursacht.
EuroPat v2
In
the
context
of
the
polishing
(1)
of
semiconductor
wafers
that
are
uncoated
or
coated
only
with
the
native
oxide,
made
e.g.
of
silicon,
with
an
edge
and
a
front
surface
and
a
back
surface,
various
applications
of
the
polishing
agent
according
to
the
invention
can
be
differentiated.
Im
Rahmen
der
Politur
(1)
von
unbeschichteten
oder
nur
mit
dem
natürlichen
Oxid
beschichteten
Halbleiterscheiben
beispielsweise
aus
Silicium
mit
einer
Kante
und
einer
Vorderseite
und
einer
Rückseite
lassen
sich
verschiedene
Anwendungen
des
erfindungsgemäßen
Poliermittels
unterscheiden.
EuroPat v2
Copper
occupies
a
special
position,
penetrating
even
at
room
temperature
into
a
silicon
surface
not
protected
by
the
native
oxide,
e.g.
during
polishing.
Eine
Sonderstellung
nimmt
Kupfer
ein,
das
bereits
bei
Raumtemperatur
in
eine
nicht
durch
das
natürliche
Oxid
geschützte
Siliciumoberfläche
eindringt,
beispielsweise
während
der
Politur.
EuroPat v2
The
HF
dip
is
intended
to
ensure
removal
of
the
native
oxide
present
on
the
wafers
after
the
texturing
step.
Der
HF-Dip
einen
Abtrag
des
nach
dem
Texturschritt
auf
den
Wafern
vorhandenen,
nativen
Oxids
gewährleisten
soll.
EuroPat v2
In
contrast,
if
the
surface
has
available
a
thin
layer
of
native
oxide,
as
is
formed
for
example
in
the
case
of
newly
sawn
wafers,
whilst
the
latter
are
subjected
to
moist
slurry
during
the
wire-sawing
process,
then
the
surface
is
predominantly
hydrophilic
because
of
the
strong
polarity
of
the
Si—O
bond
which
originates
from
the
high
electronegativity
difference
between
silicon
and
oxygen.
Verfügt
die
Oberfläche
hingegen
über
eine
dünne
Schicht
nativen
Oxids,
wie
es
sich
beispielsweise
bei
frisch
gesägten
Wafern
ausbildet,
während
diese
beim
Drahtsägeprozess
feuchter
Slurry
ausgesetzt
sind,
so
ist
die
Oberfläche
vorwiegend
hydrophil,
aufgrund
der
starken
Polarität
der
Si-O-Bindung,
die
von
der
hohen
Elektronegativitätsdifferenz
zwischen
Silizium
und
Sauerstoff
herrührt.
EuroPat v2
The
semiconductor
wafer,
e.g.
a
silicon
semiconductor
wafer,
is
uncovered
or
covered
with
native
oxide
from
1
to
1.5
nm
thick
or,
in
the
case
of
the
manufacture
of
electronic
components,
at
least
partly
covered
with
artificially
applied
layers
and/or
structures.
Die
Halbleiterscheibe,
beispielsweise
eine
Halbleiterscheibe
aus
Silicium,
ist
unbedeckt
oder
mit
natürlichem
Oxid
von
1
bis
1,5
nm
Dicke
bedeckt
oder
im
Falle
der
Fertigung
elektronischer
Bauelemente
zumindest
teilweise
mit
künstlich
aufgebrachten
Schichten
und/oder
Strukturen
bedeckt.
EuroPat v2
Moreover,
based
on
tenon
pattern
240,
during
the
pressing
of
substrates
100,
200
against
each
other,
a
relatively
great
surface
contact
pressure
is
made
possible
in
the
region
of
connecting
layers
110,
210,
whereby
(native)
oxide
layers
that
may
be
present
on
connecting
layers
110,
210
are
able
to
be
broken
up,
and
the
melting
of
layers
110,
210
and
the
formation
of
eutectic
300
is
able
to
occur
relatively
fast.
Aufgrund
der
Zapfenstruktur
240
wird
ferner
beim
Andrücken
der
Substrate
100,
200
ein
relativ
hoher
Flächenanpressdruck
im
Bereich
der
Verbindungsschichten
110,
210
ermöglicht,
wodurch
auf
den
Verbindungsschichten
110,
210
gegebenenfalls
vorliegende
(native)
Oxidschichten
aufgebrochen
werden
können,
und
das
Aufschmelzen
der
Schichten
110,
210
bzw.
die
Bildung
des
Eutektikums
300
relativ
schnell
eintreten
kann.
EuroPat v2
Therefore
the
pretreatment
of
the
first
substrate
1
and
the
selection
of
the
second
substrate
2
which
consists
of
a
reaction
layer
7
of
silicon
and
a
native
oxide
layer
as
thin
as
possible
as
a
growth
layer
8
is
decisive.
Entscheidend
ist
daher
die
Vorbehandlung
des
ersten
Substrats
1
sowie
die
Auswahl
des
zweiten
Substrats
2,
das
aus
einer
Reaktionsschicht
7
aus
Silizium
und
einer
möglichst
dünnen
nativen
Oxidschicht
als
Aufwuchsschicht
8
besteht.
EuroPat v2
The
silicon
dioxide
grows
on
the
interface
of
the
reaction
layer
7
with
the
growth
layer
8
and
thus
deforms
the
layer
of
the
growth
layer
8
formed
as
native
oxide
in
the
direction
of
the
gaps
9
.
Das
Siliziumdioxid
wächst
an
der
Grenzfläche
der
Reaktionsschicht
7
mit
der
Aufwuchsschicht
8
und
verformt
dadurch
die
Schicht
der
als
natives
Oxid
ausgebildeten
Aufwuchsschicht
8,
in
Richtung
der
Lücken
9
aus.
EuroPat v2