Übersetzung für "Mos field-effect transistor" in Deutsch

The switching element S is only formed by the MOS field-effect transistor T2 in this embodiment.
Das Schaltelement S ist bei diesem Ausführungsbeispiel nur durch den MOS-Feldeffekttransistor T2 gebildet.
EuroPat v2
The gate terminal of an MOS field effect transistor T3 is connected to a counting width input line CI.
Der Gateanschluß eines MOS-Feldeffekttransistors T3 ist mit einer Zählweiteneingangsleitung CI verbunden.
EuroPat v2
The first switching device comprises a MOS field-effect transistor and the second switching device comprises a bipolar transistor.
Die erste Schaltvorrichtung enthält einen MOS-Feldeffekttransistor und die zweite Schaltvorrichtung einen Bipolartransistor.
EuroPat v2
The MOS field-effect transistor 3 forms part of a first switching device.
Der MOS-Feldeffekttransistor 3 ist Bestandteil einer ersten Schaltvorrichtung.
EuroPat v2
For positive values of the voltage U1, the MOS field effect transistor F3 is inactive.
Für positive Werte der Spannung U1 ist der MOS-Feldeffekttransistor F3 nicht wirksam.
EuroPat v2
The MOS field-effect transistor is arranged between field oxide regions.
Der MOS-Feldeffekttransistor ist zwischen Feldoxidbereichen angeordnet.
EuroPat v2
The desired output current can then be drawn from the drain electrode of the other MOS field-effect transistor.
Der Drain-Elektrode des anderen MOS-Feldeffekttransistors kann dann der gewünschte Ausgangsstrom entnommen werden.
EuroPat v2
The maximum current consumption of the coupling unit 3 is limited by the self-conducting MOS field effect transistor T3.
Der maximale Stromverbrauch der Kopplungseinheit 3 wird durch den selbstleitenden MOS-Feldeffekttransistor T3 begrenzt.
EuroPat v2
The variable resistor is preferably an MOS field-effect transistor.
Der einstellbare Widerstand ist vorzugsweise ein MOS-­Feldeffekttransistor.
EuroPat v2
Such a semiconductor component has already been described in the form of an MOS field-effect transistor with a vertical structure.
Ein solches Halbleiterbauelement ist in Form eines MOS-Feldeffekttransistors mit Vertikalstruktur bereits beschrieben worden.
EuroPat v2
Through resistor R3 and the very low-ohmic forward resistance of the MOS field-effect transistor, the direct current operating point will be stabilized.
Über den Widerstand R3 und den sehr niederohmigen Durchlaßwiderstand des MOS-Feldeffekttransistors erfolgt zusätzlich eine Gleichstromarbeitspunktstabilisierung.
EuroPat v2
For the first switching device a MOS field-effect transistor is selected because its forward resistance for direct current is very low.
Für die erste Schaltvorrichtung wird ein MOS-Feldeffekttransistor gewählt, weil dessen gleichstrommäßiger Durchlaßwiderstand sehr niederohmig ist.
EuroPat v2
A self-conductive MOS field effect transistor T3 is connected by its drain terminal to the plus terminal of the bridge circuit BR.
An den Plus-Anschluß der Brückenschaltung BR ist ein selbstleitender MOS-Feldeffekttransistor T3 mit seinem Drain-Anschluß verbunden.
EuroPat v2
The gate of the last-mentioned MOS field-effect transistor 13 is controlled by the output of an inverter i3.
Das Gate des zuletzt genannten MOS-Feldeffekttransistors 13 ist vom Austang eines Inverters i3 gesteuert.
EuroPat v2
The drain terminal and the gate terminal of the third MOS-field effect transistor T3 are connected together to the first supply potential VCC.
Der Drainanschluß und der Gateanschluß des dritten MOS-Feldeffekttransistors T3 liegen zusammen am ersten Versorgungspotential V CC .
EuroPat v2
Moreover field plates 5 for increasing the breakdown strength are additionally provided in the edge region of this MOS field-effect transistor.
Außerdem sind im Randbereich dieses MOS-Feldeffekttransistors noch Feldplatten 5 zur Erhöhung der Durchbruchsfestigkeit vorgesehen.
EuroPat v2
The switch is advantageously a switching semiconductor, in particular an MOS field effect transistor (MOSFET).
Der Schalter ist zweckmäßigerweise ein schaltender Halbleiter, insbesondere ein MOS-Feldeffekttransistor (MOSFET).
EuroPat v2
The resonant circuit including capacitor 16 and inductance 19, which is tuned to the frequency of the high frequency signal generator 21, has high frequency oscillations induced therein which are rectified by diode 14 and applied to MOS field effect transistor 13 by a capacitor 15.
Der auf die Frequenz der hochfrequenten Schwingungen abgestimmte Resonanzschwingkreis mit der Kapazität 16 und der Induktivität 19 führt eine hochfrequente Spannung, die über die Diode 14 gleichgerichtet wird und den MOS-Feldeffekttransistor 13 an einem Ladekondensator 15 speist.
EuroPat v2
The circuit is constructed in an easily integratable form and has a MOS field-effect transistor Tr1 as the actual switching member of the switch 142.
Die Schaltung ist in einer leicht integrierbaren Form ausgebildet und besitzt als eigentliches Schaltglied des Schalters 142 einen MOS-Feldeffekttransistor Tr 1 .
EuroPat v2
The invention relates to a monolithically integrated semiconductor memory with a matrix of identical memory cells arranged in rows of a set of row members and in columns or a set of column members, each in the form of an MOS-field effect transistor of the enhancement type and a storage capacity represented by an MOS-capacitor, wherein one comparator each and a comparison cell which is likewise represented by a memory cell of the above-mentioned type, is assigned to either each matrix column or each matrix row.
Die Erfindung betrifft einen monolithisch integrierten Halbleiterspeicher mit einer Matrix aus zeilen- und spaltenweise angeordneten und einander gleichen Speicherzellen in Gestalt jeweils eines MOS-Feldeffekttransistors vom Anreicherungstyp und einer z.B. durch einen MOS-Kondensator gegebenen Speicherkapazität, bei dem entweder jeder Matrixspalte oder jeder Matrixzeile je ein Komparator und eine - ebenfalls durch eine Speicherzelle der genannten Art gegebene - Vergleichszelle zugeordnet ist.
EuroPat v2
The gate of the one MOS field effect transistor of each evaluation circuit is connected with the input signal, the gate of the respectively other MOS transistor is connected with a constant current which determines the current flowing through the transistor and, therefore, the respective evaluation coefficients by means of its magnitude.
Das Gate des einen MOS-Feldeffekttransistors jeder Bewertungsschaltung wird mit dem Eingangssignal belegt, das Gate des anderen jeweils mit einer Gleichspannung, die durch ihre Größe den durch die Transistoren fließenden Strom und damit den jeweiligen Bewertungskoeffizienten bestimmt.
EuroPat v2
In analogy to an MOS field-effect transistor, they can be brought into interaction with the channel zone located under the gate electrodes by means of a source or drain zone doped oppositely to the part of the semiconductor crystal disposed below the gate electrodes.
Sie können in Analogie zu einem MOS-Feldeffekttransistor über eine entgegengesetzt zu dem unter den Gateelektroden befindlichen Teil des Ealbleiterkristalls dotierten Source- bzw. Drainbereich mit der sich unter den Gataelektroden befindlichen Kanalzone in Interaktion gebracht werden.
EuroPat v2
The gate of one of the MOS field effect transistors of each evaluation circuit is connected to the input signal, the gate of the other MOS field effect transistor is respectively connected to a DC voltage which determines, by its magnitude, the current flowing through the transistors, and thereby determines the respective evaluation coefficient.
Das Gate des einen MOS-Feldeffekttransistors jeder Bewertungsschaltung wird mit dem Eingangssignal belegt, das Gate des anderen jeweils mit einer Gleichspannung, die durch ihre Größe den durch die Transistoren fließenden Strom und damit den jeweiligen Bewertungskoeffizienten bestimmt.
EuroPat v2
The invention relates to a method of producing a monolithically integrated two-transistor memory cell in accordance with MOS technology, in which a first MOS field effect transistor, provided for information storage, is equipped with both a control gate and a floating gate disposed between the control gate and the surface of the silicon crystal accommodating the memory cell, whereas the second MOS field effect transistor is provided only with a control gate; the two control gates and the floating gate are formed by masked etching technology of a doped polycrystalline silicon layer deposited on an SiO2 film supporting the respective gate; and an erase area apart from the current-carrying channel of the two MOS field effect transistors of the memory cell is provided for the floating gate of the first MOS field effect transistor.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer monolithisch integrierten Zwei-Transistor-Speicherzelle in MOS-Technik, bei der ein für die Informationsspeicherung vorgesehener erster MOS-Feldeffekttransistor sowohl mit einem Steuergate als auch mit einem zwischen dem Steuergate und der Oberfläche des die Speicherzelle aufnehmenden Siliciumkristalls angeordneten schwebenden Gate versehen wird, während der zweite MOS-Feldeffekttransistor nur ein Steuergate erhält, bei dem ferner die beiden Steuergates und das schwebende Gate aus einer auf einer das betreffende Gate tragenden SiOp-Schicht abgeschiedenen Schicht aus dotiertem polykristallinen Silicium durch maskierte Ätztechnik geformt werden und bei dem schließlich für das schwebende Gate des ersten MOS-Feldeffekttransistors ein sich abseits des stromführenden Kanals der beiden MOS-Feldeffekttransistoren der Speicherzelle angeordneter Löschbereich vorgesehen wird.
EuroPat v2
Then a layer of doped polycrystalline silicon, forming the base of the floating gate of the first MOS field effect transistor and possibly also of the control gate of the second MOS field effect transistor, is deposited on the gate oxide film.
Dann wird auf der Gateoxydschicht eine Schicht aus dotiertem polykristallinen Silicium abgeschieden, die die Grundlage des schwebenden Gates des ersten MOS-Feldeffekttransistors und ggf. auch des Steuergates des zweiten MOS-Feldeffekttransistors bildet.
EuroPat v2
The control gate of the first MOS field effect transistor is then made from the second polycrystalline silicon layer, using photoresist etching technology.
Aus der zweiten polykristallinen Siliciumschicht wird dann das Steuergate des ersten MOS-Feldeffekttransistors unter Anwendung einer Photolack-Ätztechnik gestaltet.
EuroPat v2

Ähnliche Begriffe

field field-effect should be effected is effective
not be effected transistor-transistor logic is effective as of field-effect transistor
effect