Übersetzung für "Lattice matched" in Deutsch
The
utilized
semiconductor
materials
can
only
be
applied
in
a
lattice
matched
manner
to
a
GaSb
substrate.
Die
verwendeten
Halbleitermaterialien
können
nur
auf
einem
GaSb-Substrat
gitterangepaßt
aufgebracht
werden.
EuroPat v2
Such
a
semiconductor
layer
is
lattice-matched
to
a
GaN
layer.
Eine
solche
Halbleiterschicht
ist
an
eine
GaN-Schicht
gitterangepasst.
EuroPat v2
Thus,
the
deposition
of
lattice-matched,
single-crystal
layers
is
possible.
Damit
ist
die
Abscheidung
von
gitterangepassten,
einkristallinen
Schichten
möglich.
EuroPat v2
Preferably
several
layers
are
lattice
matched
in
order
to
increase
the
quantum
yield
and
decrease
deformation.
Bevorzugterweise
werden
mehrere
Schichten
gitterangepaßt,
um
die
Quantenausbeute
zu
erhöhen
und
die
Degradation
zu
verringern.
EuroPat v2
Depending
on
the
selection
of
the
substrate
1,
various
lattice-matched
or
lattice-mismatched
semiconductor
materials
are
suitable
for
the
collector
layer.
Je
nach
Wahl
des
Substrates
1
sind
unterschiedliche
gitterangepaßte
oder
gitterfehlangepaßte
Halbleitermaterialien
für
die
Kollektorschicht
geeignet.
EuroPat v2
In
an
embodiment,
the
solar
cells
in
one
of
the
two
solar
subcells
can
have
exclusively
lattice-matched
layers.
In
einer
Weiterbildung
weisen
die
Solarzellen
in
einem
der
beiden
Solarzellenteile
ausschließlich
gitterangepasste
Schichten
auf.
EuroPat v2
The
cladding
layer
or
at
least
the
partial
layer
of
the
cladding
layer
may
furthermore
be
lattice-matched
relative
to
gallium
nitride.
Die
Mantelschicht
oder
zumindest
die
Teilschicht
der
Mantelschicht
kann
weiterhin
bezogen
auf
Galliumnitrid
gitterangepasst
sein.
EuroPat v2
In
the
formation
of
the
mixed-crystal
(alloyed
crystal)
the
concentrations
of
the
components
can
be
varied
in
the
direction
of
growth
whereby
in
a
nonideal
lattice
matched
system
in
the
transformed
layer,
a
gradient
of
the
lattice
parameter
in
the
growth
direction
can
result.
Bei
dem
sich
bildenden
Mischkristall
(Legierungskristall)
kann
die
Konzentration
der
Komponenten
in
Wachstumsrichtung
sich
ändern,
wobei
in
einem
nicht
ideal
gitterangepaßten
System
in
der
umgewandelten
Schicht
ein
Gradient
im
Gitterparameter
in
Wachstumsrichtung
entsteht.
EuroPat v2
In
order
to
use
the
quantum
layer
structure
in
technically
relevant
components
usually
employing
GaAs-
or
InP
substrates,
at
least
one
layer
should
be
at
least
partially
pseudomorphously
or
lattice
matched.
Zur
Verwendung
von
Quantenschichtstrukturen
in
technisch
relevanten
Bauteilen,
bei
denen
typischerweise
GaAs-
oder
InP-Substrate
verwendet
werden,
sollte
zumindest
eine
Schicht
mindestens
teilweise
pseudomorph
oder
gitterangepaßt
sein.
EuroPat v2
Strained
silicon
is
produced
by
growing
silicon
lattice-matched
to
a
substrate
having
a
higher
lattice
constant.
Derartiges
verspanntes
Silizium
wird
dadurch
hergestellt,
daß
Silizium
auf
einem
Substrat
mit
größerer
Gitterkonstante
gitterangepaßt
aufgewachsen
wird.
EuroPat v2
A
functional
solar
cell
is
obtained
in
combination
with
a
suitable
window
layer
composed
of
a
lattice-matched
semiconductor
material
as
the
emitter
and
surface
passivation
layer.
In
Verbindung
mit
einer
geeigneten
Fensterschicht
aus
einem
gitterangepaßten
Halbleitermaterial
als
Emitter-
und
Oberflächenpassivierungsschicht
wird
eine
funktionsfähige
Solarzelle
erhalten.
EuroPat v2
This
is
advantageous
since
a
buffer
layer
with
a
high
Al
content
forms
a
lattice-matched
surface,
with
good
wetting
properties,
for
further
layers
based
on
III–V
nitride
semiconductor
material,
but
has
a
low
conductivity,
while
a
buffer
layer
with
a
low
Al
content
has
a
good
electrical
conductivity
but
a
lower
crystalline
quality
and
surface
quality.
Dies
ist
von
Vorteil,
da
eine
Pufferschicht
mit
hohem
Al-Anteil
eine
gitterangepaßte
und
gut
benetzbare
Oberfläche
für
weitere
auf
III-V-Nitridhalbleitermaterial
basierende
Schichten
ausbildet,
aber
eine
geringe
Leitfähigkeit
aufweist,
während
eine
Pufferschicht
mit
niedrigem
Al-Gehalt
elektrisch
gut
leitet,
aber
eine
geringere
kristalline
Qualität
und
Oberflächengüte
besitzt.
EuroPat v2
This
is
advantageous
since
a
buffer
layer
with
a
high
Al
content
forms
a
lattice-matched
surface,
with
good
wetting
properties,
for
further
layers
based
on
III-V
nitride
semiconductor
material,
but
has
a
low
conductivity,
while
a
buffer
layer
with
a
low
Al
content
has
a
good
electrical
conductivity
but
a
lower
crystalline
quality
and
surface
quality.
Dies
ist
von
Vorteil,
da
eine
Pufferschicht
mit
hohem
Al-Anteil
eine
gitterangepaßte
und
gut
benetzbare
Oberfläche
für
weitere
auf
III-V-Nitridhalbleitermaterial
basierende
Schichten
ausbildet,
aber
eine
geringe
Leitfähigkeit
aufweist,
während
eine
Pufferschicht
mit
niedrigem
Al-Gehalt
elektrisch
gut
leitet,
aber
eine
geringere
kristalline
Qualität
und
Oberflächengüte
besitzt.
EuroPat v2
With
this
approach
the
experimentally
achieved
polarization
degrees
are
nearly
100%
and
the
used
magnetic
semiconductors
can
be
lattice-matched
grown
on
a
non-magnetic
semiconductor
lattice.
Die
mit
diesem
Ansatz
experimentell
erreichten
Polarisationsgrade
liegen
bei
nahezu
100
%,
und
die
verwendeten
magnetischen
Halbleiter
können
gitterangepasst
auf
nichtmagnetische
Halbleiter
aufgewachsen
werden.
ParaCrawl v7.1
The
material
composition
of
all
or
at
least
some
of
the
phosphidic
semiconductor
layers
may
be
selected
such
that
they
are
lattice-matched
or
at
least
largely
lattice-matched
to
the
arsenidic
tunnel
regions.
Die
Materialzusammensetzung
aller
oder
zumindest
einiger
phosphidischen
Halbleiterschichten
kann
so
gewählt
sein,
dass
diese
gitterangepasst
oder
zumindest
weitgehend
gitterangepasst
zu
den
arsenidischen
Tunnelbereichen
sind.
EuroPat v2
Under
these
conditions
the
gallium
concentration
1-x-y,
e.g.,
may
vary
from
0
to
0.9,
which
also
includes
AlInN,
for
example,
which
is
lattice-matched
with
respect
to
gallium
nitride.
Unter
diesen
Bedingungen
kann
die
Galliumkonzentration
1-x-y
z.B.
von
0
bis
0,9
variieren,
was
beispielsweise
auch
AlInN
einschließt,
das
bezüglich
Galliumnitrid
gitterangepasst
ist.
EuroPat v2
Lattice-matched
in
this
context
means,
for
example,
that
the
natural
lattice
constants
of
the
materials
are
the
same
or
almost
the
same.
Gitterangepasst
bedeutet
in
dem
Zusammenhang
beispielsweise,
dass
die
natürlichen
Gitterkonstanten
der
Materialien
gleich
oder
annähernd
gleich
sind.
EuroPat v2
Deviations
from
lattice-matched
conditions,
in
which
x/y
is
outside
of
the
range
between
4.5
and
5,
may
also
be
used
to
adjust
the
threshold
voltage,
for
example.
Abweichungen
von
den
gitterangepassten
Bedingungen,
bei
denen
x/y
außerhalb
des
Bereichs
zwischen
4,5
und
5
liegt,
können
dazu
verwendet
werden
z.B.
die
Schwellenspannung
einzustellen.
EuroPat v2
However,
such
lattice-matched
compounds
are
not
of
a
comparable
quality,
or
hardly
of
the
same
quality
as
AlGaN,
for
example.
Allerdings
können
solche
gitterangepasste
Verbindungen
nur
schwer
oder
gar
nicht
in
vergleichbarer
Qualität,
wie
zum
Beispiel
AlGaN,
hergestellt
werden.
EuroPat v2
Lattice-matched
structures
have
the
advantages
of
a
greater
robustness,
among
other
things,
which
are
beneficial
in
an
application
under
hostile
conditions,
for
example,
at
high
temperatures
or
under
high
inertial
and
vibrational
stress,
for
example,
with
systems
in
air.
Gitterangepasste
Strukturen
weisen
u.a.
den
Vorteil
einer
höheren
Robustheit
auf,
was
bei
einer
Verwendung
unter
widrigen
Bedingungen,
beispielsweise
bei
hohen
Temperaturen
oder
bei
hoher
Trägheits-
und
Erschütterungsbeanspruchung,
wie
z.B.
bei
in
der
Luft
befindlichen
Systemen,
von
Nutzen
ist.
EuroPat v2
The
photonic
crystal
best
achieves
its
effect
if
the
lattice
constant
is
matched
to
a
wavelength
of
the
radiation
generated
by
the
semiconductor
body.
Der
photonische
Kristall
erzielt
seine
Wirkung
am
besten,
wenn
die
Gitterkonstante
an
eine
Wellenlänge
der
von
dem
Halbleiterkörper
erzeugten
Strahlung
angepasst
ist.
EuroPat v2
With
this
composition,
the
in-plane
lattice
constant
of
AlInN
is
the
same
as
that
of
GaN,
so
that
an
AlInN/GaN
heterostructure
is
lattice-matched
and
stress-free.
Bei
dieser
Zusammensetzung
ist
die
in-Ebene
vorliegende
Gitterkonstante
von
AlInN
dieselbe
wie
von
GaN,
so
dass
eine
AlInN/GaN-Heterostruktur
gitterangepasst
und
frei
von
Spannungen
ist.
EuroPat v2