Übersetzung für "Junction transistor" in Deutsch

This may accordingly also be the base-collector junction of a transistor.
Es kann sich also hierbei auch um den Basis-Kollektor-Übergang eines Transistors handeln.
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A resistor 58 is connected in parallel with the base-emitter junction of second transistor 56.
Ein Widerstand 58 ist der Basis-Emitter-Strecke des zweiten Transistors 56 parallelgeschaltet.
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This is achieved when the drain current of the junction field-effect transistor becomes minimal.
Dies wird dadurch erreicht, dass der Drain-Strom des Sperrschicht-Feldeffekttransistors minimal wird.
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In this exemplary embodiment the field effect transistor is formed by an n-channel junction field effect transistor FET.
In diesem Ausführungsbeispiel ist der Feldeffekttransistor durch ein n-Kanal Sperrschicht-Feldeffekttransistor FET gebildet.
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The present invention relates to a drive control circuit for a junction field-effect transistor.
Die Erfindung betrifft eine Ansteuerschaltung für einen Sperrschicht-Feldeffekttransistor.
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Consequently, the base-emitter junction of the transistor is provided as the diode.
Somit ist als Diode die Basis-Emitter-Strecke des Transistors vorgesehen.
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The measures as described above are essentially applicable to the static reverse behavior of the junction field-effect transistor.
Die bisher beschriebenen Maßnahmen sind im wesentlichen bezüglich des statischen Sperrverhaltens des Sperrschicht-Feldeffekttransistors anwendbar.
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Due to the negative temperature coefficient of the threshold voltage of the pn-junction of the transistor T1, the threshold voltage UT decreases with increasing temperature T. If the base bias for the transistor T1 which is set by the resistors R4 to R6 is chosen so large that the threshold voltage UT reaches this base bias exactly at the temperature which is maximally permissible for the power component to be protected, then the transistor T1 is switched into conduction.
Aufgrund des negativen Temperaturkoeffizienten der Schwellenspannung des pn-Übergangs des Transistors T1 erniedrigt sich die Schwellenspannung U- bei steigender Temperatur T. Wählt man die durch die Widerstände R4 bis R6 eingestellte Basisvorspannung für den Transistor T1 so groß, daß die Schwellenspannung U r diese Basisvorspannung gerade bei der maximalen für das zu schützende Leistungsbauelement zulässigen Temperatur erreicht, dann schaltet der Transistor T1 durch.
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Unlike the pn-junction in the transistor, Schottky diodes are majority carrier components in which forward biasing does not lead to additional charge storage, for which reason the switching speed of the array is increased in the case of parallel connection.
Im Gegensatz zum p-n-Übergang im Transistor sind Schottky-Dioden Majoritätsträgerbauelemente, bei denen die Flußpolung zu keiner zusätzlichen Ladungsspeicherung führt, weshalb bei Parallelschaltung die Schaltgeschwindigkeit der Anordnung erhöht wird.
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The base-emitter junction of the transistor then remains conductive and is not cut-off until the transistor changes from the saturated to the active state as a result of the recombination of the minority charge carriers.
Der Basis-Emitter-Übergang des'Transistors bleibt dabei leitend und wird erst gesperrt, wenn der Transistor durch die Rekombination der Minoritätsladungsträger vom gesättigten in den aktiven Zustand übergeht.
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The switching signal is applied to the base of the transistor 58 via a transformer 59 whose primary circuit 60 is connected to the control input 16 and whose secondary circuit 61 is connected to the base-emitter junction of the transistor 58.
Die Zuführung des Schaltsignals an die Basis des Transistors 58 erfolgt dabei über einen Transformator 59, dessen Primärkreis60 mit dem Steuereingang 16 und dessen Sekundärkreis 61 mit der Basis-Emitterstrecke des Transistors 58 in Verbindung steht.
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Subsequently, a current from resistor R14 flows across the base collector junction of transistor TWL and through the saturated transistor TWP to word potential line WPL.
Dann fließt ein Strom vom Widerstand R14 über die Basiskollektorstrecke des Transistors TWL und durch den gesättigten Transistor TWP in die Wortpotentialleitung WPL.
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These diodes are reversely biased in a state of rest by the supply voltage applied to terminals 6 and 7 and serve to protect the associated transistor against voltages which are generated by self-induction when the current flowing in the winding 1 is interrupted or reversed. Such voltages caused by self-induction might have an amplitude in excess of the maximum voltage of the transistors and might involve a reversal of the voltage applied to the transistors so that the collector-base junction of the transistor could be rendered conducting.
Diese Dioden sind im Ruhezustand durch die an den Klemmen 6 und 7 anliegende Versorgungsspannung in Sperrichtung vorgespannt und dienen dazu, den jeweils parallel liegenden Transistor gegen beim Abschalten oder Umschalten eines durch die Wicklung 1 fließenden Stromes auftretende Selbstinduktionsspannungen zu schützen, deren Amplitude die Spannungsfestigkeit der Transistoren überschreiten könnte und in deren Verlauf eine Polaritätsumkehr der an den Transistoren anliegenden Spannung auftreten könnte, wodurch die Kollektor-Basisdiode der Transistoren in den leitenden Zustand käme.
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The voltage source 2 supplies a defined d.c. voltage of, say, 5 V that is applied to the base-emitter junction of switching transistor 12, so that the latter is blocked.
Vorgegeben durch die Spannungsquelle 2 liegt an der Basis-Emitter-Strecke des Schalttransistors 12 eine definierte Gleichspannung von beispielsweise 5 Volt, so daß der Schalttransistor 12 dadurch gesperrt ist.
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The junction of the transistor 2 and current source 3 is connected via a capacitor 16 to the transmission line 17.
Der Verbindungspunkt von Transistor 2 und Stromquelle 3 ist über einen Kondensator 16 mit der Ubertragungsleitung 17 verbunden.
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This is particularly applicable to the voltage drop UBE across the base-to-emitter junction of the transistor T1, to which the voltage drop across the resistor R1 is added, so that the unvaried band gap voltage UBG, with respect to the reference potential, can be picked up at the connection of the two resistors R1 and R2.
Dies gilt insbesondere auch für den Spannungsabfall U BE über der Basis-Emitter-Strecke des Transistors T1, dem sich der Spannungsabfall über den Widerstand R1 addiert, so daß sich am Verbindungspunkt der beiden Widerstände R1 und R2 bezogen auf das Bezugspotential die unveränderte Bandgap-Spannung U BG abgreifen läßt.
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The output voltage, that is the reference voltage UREF, is additively composed of the band gap voltage UBG, a voltage U2 dropping across the resistor R4, and a voltage U3 dropping across the collector-to-emitter junction of the transistor T4 or across the voltage divider formed of the resistors R5 and R6.
Die Ausgangsspannung, d.h. die Referenzspannung U REF, setzt sich additiv aus der Bandgap-Spannung U BG, der über dem Widerstand R4 abfallenden Spannung U? und der über der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors T4 bzw. über dem Spannungsteiler aus den Widerständen R5 und R6 abfallenden Spannung U? zusammen.
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By way of example, FIG. 2 shows a level generator PG that has a current source SQ, a p-channel MOS transistor M3, an n-channel transistor M4 and a p-channel transistor M5. The current source SQ is connected at one side to ground potential GND and to the supply potential VDD via the sequence of series-connected transistors M3, M4 and M5. The gates of the transistors M4 and M5 are connected to the junction between the two transistors M4 and M5 via an output node N. and the gate of the transistor M3 is connected to the junction between the transistor M3 and the current source SQ via an output node
In Figur 2 ist beispielhaft ein Pegelgenerator PG dargestellt, der eine Stromquelle SQ, einen p-Kanal-MOS-Transistor M3, einen n-Kanal-Transistor M4 und einen p-Kanal-Transistor M5 aufweist, wobei die Stromquelle SQ einseitig mit Massepotential GND und über der Reihe nach in Reihe geschaltete Transistoren M3, M4 und M5 mit der Versorgungsspannung VDD verbunden ist und wobei die Gates der Transistoren M4 und M5 mit dem Verbindungspunkt zwischen den beiden Transistoren M4 und M5 über einen Ausgangsknoten N und das Gate des Transistors M3 mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Transistor M3 und der Stromquelle SQ über einen Ausgangsknoten P verbunden sind.
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Whenever junction point 82 is more positive than junction point 75, transistor 80 conducts more or less strongly, corresponding to the potential difference, and thus operates as a parallel resistance to resistor 78 of the bridge 85, causing the potential of junction point 75 to be lowered.
Ist der Knotenpunkt 82 positiver als der Knotenpunkt 75, so leitet der Transistor 80 mehr oder weniger stark, entsprechend der Potentialdifferenz, und wirkt dadurch als Parallelwiderstand zum Widerstand 78 der Brücke 85, wodurch das Potential des Knotenpunkts 75 abgesenkt wird.
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Ähnliche Begriffe

at the junction junctional the junction junction
junction transistor at this junction transistorized a junction
junction between transistor-transistor logic