Übersetzung für "Highly doped" in Deutsch

A highly doped anode zone 15 is provided on the other side of the semiconductor body 1.
An der anderen Seite des Halbleiterkörpers 1 ist eine hochdotierte Anodenzone 15 vorgesehen.
EuroPat v2

Located thereupon is a highly p-conductively doped contact layer and thereupon a p-contact.
Darauf befindet sich eine hoch p-leitend dotierte Kontaktschicht und darauf ein p-Kontakt.
EuroPat v2

This further contact layer 11 is highly n-conductively doped in both embodiments.
Diese weitere Kontaktschicht 11 ist in beiden Ausführungsformen hoch n-leitend dotiert.
EuroPat v2

Semi-insulating layers are less suited for current confinement than highly doped pn junctions.
Semiisolierende Schichten sind weniger zur Strombegrenzung geeignet als hochdotierte p-n-Übergänge.
EuroPat v2

The function element contains at least one highly doped semiconductor layer produced by implantation or epitaxy.
Das Funktionselement enthält mindestens eine mittels Implantation oder Epitaxie hergestellte hoch dotierte Halbleiterschicht.
EuroPat v2

The main contact layer 7 and the lateral contact layer 9 are respectively highly doped.
Die Hauptkontaktschicht 7 und die seitliche Kontaktschicht 9 sind jeweils hoch dotiert.
EuroPat v2

A highly n-doped emitter zone 3 is embedded in the base zone 2.
In die Basiszone 2 ist eine stark n-dotierte Emitterzone 3 eingebettet.
EuroPat v2

Source region 4 is surrounded by highly n-doped regions 32.
Das Sourcegebiet 4 ist dabei von stark n-dotierten Bereichen 32 umgeben.
EuroPat v2

A highly doped p-conducting region 7 is arranged above intrinsic region 5 .
Über intrinsischen Gebiet 5 ist hoch dotiertes p-leitendes Gebiet 7 angeordnet.
EuroPat v2

A highly n-doped source zone 6 is embedded in every base zone 5.
In jede Basiszone 5 ist eine stark n-dotierte Sourcezone 6 eingebettet.
EuroPat v2

The highly-doped semiconductor layer 5 is used for lateral contacting of the base of the bipolar transistor to be manufactured.
Die hochdotierte Halbleiterschicht 5 dient zur seitlichen Kontaktierung der Basis des herzustellenden Bipolartransistors.
EuroPat v2

Since both zones are normally highly doped, this p-n junction could be destroyed.
Da beide Zonen normalerweise hoch dotiert sind, könnte dieser pn-Übergang zerstört werden.
EuroPat v2

An electrolytic contacting of the highly doped bulk is effected on the cathode side.
Eine elektrolytische Kontaktierung des hochdotierten Bulks erfolgt auf der Kathodenseite.
EuroPat v2

Next, the opening 70 is at least partially filled with a highly-doped p-conductive material.
Nachfolgend wird die Öffnung 70 mit einem hochdotierten p-leitenden Material zumindest teilweise aufgefüllt.
EuroPat v2

The highly doped zone 10 has the purpose of acting as n+ emitter.
Die hochdotierte Zone 10 hat die Aufgabe, als n?-Emitter zu wirken.
EuroPat v2

The surfaces to be bonded to one another (wafer bonding) should be very highly doped.
Die miteinander zu verbindenden (Wafer-Bonding) Oberflächen sollten sehr hoch dotiert sein.
EuroPat v2

Such more highly doped semiconductor regions are universally employed in CMOS technology.
Solche stärker dotierten Halbleitergebiete werden in CMOS-Technologie allgemein verwendet.
EuroPat v2

The tunnel contact layer is preferably a highly doped semiconductor layer.
Die Tunnelkontaktschicht ist vorzugsweise eine hoch dotierte Halbleiterschicht.
EuroPat v2

The current spreading layer is therefore a highly doped semiconductor layer and thus part of the semiconductor body.
Die Stromverbreiterungsschicht ist also eine hoch dotierte Halbleiterschicht und somit Teil des Halbleiterkörpers.
EuroPat v2

With highly-doped semi-conductors, electronic tunneling is also possible.
Bei hoch dotierten Halbleitern ist auch elektronisches Tunneln möglich.
ParaCrawl v7.1

The highly doped regions arise as a result of the double doping of the silicon.
Durch die zweifache Dotierung des Siliziums entstehen die hoch dotierten Bereiche.
EuroPat v2

In this case, the contact body can consist of a metal or a highly-doped semiconductor material.
Dieser Kontaktkörper kann hierbei aus einem Metall oder einem hochdotierten Halbleitermaterial bestehen.
EuroPat v2

The carrier 2 is in this case a highly doped substrate, preferably a GaN substrate.
Der Träger 2 ist dabei ein hoch dotiertes Substrat, bevorzugt ein GaN-Substrat.
EuroPat v2