Übersetzung für "Highly doped" in Deutsch
A
highly
doped
anode
zone
15
is
provided
on
the
other
side
of
the
semiconductor
body
1.
An
der
anderen
Seite
des
Halbleiterkörpers
1
ist
eine
hochdotierte
Anodenzone
15
vorgesehen.
EuroPat v2
Located
thereupon
is
a
highly
p-conductively
doped
contact
layer
and
thereupon
a
p-contact.
Darauf
befindet
sich
eine
hoch
p-leitend
dotierte
Kontaktschicht
und
darauf
ein
p-Kontakt.
EuroPat v2
This
further
contact
layer
11
is
highly
n-conductively
doped
in
both
embodiments.
Diese
weitere
Kontaktschicht
11
ist
in
beiden
Ausführungsformen
hoch
n-leitend
dotiert.
EuroPat v2
Semi-insulating
layers
are
less
suited
for
current
confinement
than
highly
doped
pn
junctions.
Semiisolierende
Schichten
sind
weniger
zur
Strombegrenzung
geeignet
als
hochdotierte
p-n-Übergänge.
EuroPat v2
The
function
element
contains
at
least
one
highly
doped
semiconductor
layer
produced
by
implantation
or
epitaxy.
Das
Funktionselement
enthält
mindestens
eine
mittels
Implantation
oder
Epitaxie
hergestellte
hoch
dotierte
Halbleiterschicht.
EuroPat v2
The
main
contact
layer
7
and
the
lateral
contact
layer
9
are
respectively
highly
doped.
Die
Hauptkontaktschicht
7
und
die
seitliche
Kontaktschicht
9
sind
jeweils
hoch
dotiert.
EuroPat v2
A
highly
n-doped
emitter
zone
3
is
embedded
in
the
base
zone
2.
In
die
Basiszone
2
ist
eine
stark
n-dotierte
Emitterzone
3
eingebettet.
EuroPat v2
Source
region
4
is
surrounded
by
highly
n-doped
regions
32.
Das
Sourcegebiet
4
ist
dabei
von
stark
n-dotierten
Bereichen
32
umgeben.
EuroPat v2
A
highly
doped
p-conducting
region
7
is
arranged
above
intrinsic
region
5
.
Über
intrinsischen
Gebiet
5
ist
hoch
dotiertes
p-leitendes
Gebiet
7
angeordnet.
EuroPat v2
A
highly
n-doped
source
zone
6
is
embedded
in
every
base
zone
5.
In
jede
Basiszone
5
ist
eine
stark
n-dotierte
Sourcezone
6
eingebettet.
EuroPat v2
The
highly-doped
semiconductor
layer
5
is
used
for
lateral
contacting
of
the
base
of
the
bipolar
transistor
to
be
manufactured.
Die
hochdotierte
Halbleiterschicht
5
dient
zur
seitlichen
Kontaktierung
der
Basis
des
herzustellenden
Bipolartransistors.
EuroPat v2
Since
both
zones
are
normally
highly
doped,
this
p-n
junction
could
be
destroyed.
Da
beide
Zonen
normalerweise
hoch
dotiert
sind,
könnte
dieser
pn-Übergang
zerstört
werden.
EuroPat v2
An
electrolytic
contacting
of
the
highly
doped
bulk
is
effected
on
the
cathode
side.
Eine
elektrolytische
Kontaktierung
des
hochdotierten
Bulks
erfolgt
auf
der
Kathodenseite.
EuroPat v2
Next,
the
opening
70
is
at
least
partially
filled
with
a
highly-doped
p-conductive
material.
Nachfolgend
wird
die
Öffnung
70
mit
einem
hochdotierten
p-leitenden
Material
zumindest
teilweise
aufgefüllt.
EuroPat v2
The
highly
doped
zone
10
has
the
purpose
of
acting
as
n+
emitter.
Die
hochdotierte
Zone
10
hat
die
Aufgabe,
als
n?-Emitter
zu
wirken.
EuroPat v2
The
surfaces
to
be
bonded
to
one
another
(wafer
bonding)
should
be
very
highly
doped.
Die
miteinander
zu
verbindenden
(Wafer-Bonding)
Oberflächen
sollten
sehr
hoch
dotiert
sein.
EuroPat v2
Such
more
highly
doped
semiconductor
regions
are
universally
employed
in
CMOS
technology.
Solche
stärker
dotierten
Halbleitergebiete
werden
in
CMOS-Technologie
allgemein
verwendet.
EuroPat v2
The
tunnel
contact
layer
is
preferably
a
highly
doped
semiconductor
layer.
Die
Tunnelkontaktschicht
ist
vorzugsweise
eine
hoch
dotierte
Halbleiterschicht.
EuroPat v2
The
current
spreading
layer
is
therefore
a
highly
doped
semiconductor
layer
and
thus
part
of
the
semiconductor
body.
Die
Stromverbreiterungsschicht
ist
also
eine
hoch
dotierte
Halbleiterschicht
und
somit
Teil
des
Halbleiterkörpers.
EuroPat v2
With
highly-doped
semi-conductors,
electronic
tunneling
is
also
possible.
Bei
hoch
dotierten
Halbleitern
ist
auch
elektronisches
Tunneln
möglich.
ParaCrawl v7.1
The
highly
doped
regions
arise
as
a
result
of
the
double
doping
of
the
silicon.
Durch
die
zweifache
Dotierung
des
Siliziums
entstehen
die
hoch
dotierten
Bereiche.
EuroPat v2
In
this
case,
the
contact
body
can
consist
of
a
metal
or
a
highly-doped
semiconductor
material.
Dieser
Kontaktkörper
kann
hierbei
aus
einem
Metall
oder
einem
hochdotierten
Halbleitermaterial
bestehen.
EuroPat v2
The
carrier
2
is
in
this
case
a
highly
doped
substrate,
preferably
a
GaN
substrate.
Der
Träger
2
ist
dabei
ein
hoch
dotiertes
Substrat,
bevorzugt
ein
GaN-Substrat.
EuroPat v2