Übersetzung für "Forward voltage drop" in Deutsch
The
driving
countervoltage
is
thereby
limited
to
the
value
of
the
forward
voltage
drop
of
the
diode.
Die
treibende
Gegenspannung
ist
damit
auf
die
Höhe
ihrer
Durchlaßspannung
begrenzt.
EuroPat v2
However,
the
forward
voltage
drop
remains,
in
any
case,
below
that
of
bipolar
pn-diodes.
Der
Durchlaßspannungsabfall
bleibt
jedoch
in
jedem
Fall
unter
dem
bipolarer
pn-Dioden.
EuroPat v2
The
value
of
the
test
current
depends
on
the
measured
forward
voltage
drop
of
the
diode.
Der
Wert
des
Teststroms
hängt
von
der
gemessenen
Vorwärtsspannung
der
Diode
ab.
ParaCrawl v7.1
A
low
forward
voltage
drop
down
to
0.7V
reduces
power
losses
and
improves
the
efficiency.
Ein
geringer
Spannungsabfall
bis
auf
0,7V
reduziert
Leistungsverluste
und
verbessert
den
Wirkungsgrad.
ParaCrawl v7.1
The
IGBTs
come
with
a
significantly
lower
forward
voltage
drop
and
deliver
optimised
switching
performance.
Die
IGBTs
zeichnen
sich
durch
eine
deutlich
geringere
Durchlassspannung
und
eine
optimierte
Schaltperformance
aus.
ParaCrawl v7.1
A
current
generator
in
the
measuring
circuit
32
for
the
photodiode
30
delivers
a
constant
forward
current
into
the
photodiode
30
and,
in
dependence
on
the
thermal
coupling
of
the
photodiode
with
the
element
to
be
protected,
the
forward
voltage
drop
across
the
photodiode
is
detected.
Einmal
wird
durch
einen
Stromgenerator
im
Meßkreis
32
der
Photodiode
30
ein
konstanter
Durchlaßstrom
der
letzteren
eingeprägt,
und
in
Abhängigkeit
von
der
thermischen
Kopplung
der
Photodiode
an
das
zu
schützende
Bauelement
wird
der
Durchlaßspannungsabfall
der
Photodiode
festgestellt.
EuroPat v2
It
has
been
found,
however,
that
these
steps
for
the
improvement
of
the
soft
recovery
behavior
are
obtained
at
the
expense
of
the
forward
voltage
drop.
Dabei
zeigt
sich
jedoch,
daß
diese
Maßnahmen
zur
Verbesserung
des
weichen
Recovery-Verhaltens
auf
Kosten
des
Durchlaßspannungsabfalls
gehen.
EuroPat v2
In
accordance
with
the
invention,
there
results
a
combination
of
the
advantage
of
a
low
forward
voltage
drop
with
the
advantage
of
a
soft
recovery
behavior
based
on
the
parallel
switching
connection
of
the
two
diodes
while
simultaneously
reducing
the
switching
losses.
Erfindungsgemäß
ergibt
sich
eine
Kombination
des
Vorteils
eines
niedrigen
Durchlaßspannungsabfalls
mit
dem
Vorteil
eines
weichen
Recovery-Verhaltens
durch
die
Parallelschaltung
der
beiden
Dioden
bei
gleichzeitiger
Reduzierung
der
Schaltverluste.
EuroPat v2
This
is
a
significant
advantage
over
diode
connections
which
always
have
a
forward
voltage
drop.
Diese
Tatsache
stellt
gegenüber
Diodenverbindungen,
die
immer
einen
Spannungsabfall
in
Durchlaßrichtung
aufweisen,
einen
wesentlichen
Vorteil
dar.
EuroPat v2
The
freewheeling
diode
device
according
to
claim
13,
wherein
the
first
diode
(12)
is
optimized
for
a
soft
recovery
behavior
and
supports
only
a
relatively
small
part
of
the
forward
current,
and
wherein
the
second
diode
(14)
is
optimized
to
a
low
forward
voltage
drop
and
a
fast
switching,
and
wherein
the
second
diode
(14)
supports
a
large
part
of
the
forward
current
in
comparison
to
the
part
carried
by
the
first
diode
(12).
Freilaufdiodeneinrichtung
nach
Anspruch
1.,
dadurch
gekennzeichnet,
daß
die
erste
Diode
(12)
auf
weiches
Schaltverhalten
optimiert
ist
und
nur
einen
relativ
geringen
Anteil
des
Vorwärtsstromes
trägt,
und
die
zweite
Diode
(14)
auf
einen
niedrigen
Durchlaßspannungsabfall
und
schnelles
Schalten
optimiert
ist
und
einen
im
Vergleich
zum
Anteil
der
ersten
Diode
(12)
großen
Anteil
des
Vorwärtsstromes
trägt.
EuroPat v2
When
the
forward
voltage
drop
varies,
so
does
the
current
flowing
through
the
LED
which
changes
the
light
output
level
even
though
the
applied
voltage
remains
constant.
Wenn
der
Durchlaßvorspannungsabfall
schwankt,
so
trifft
dies
auch
auf
den
durch
die
LED
fließenden
Strom
zu,
was
das
Lichtabgabeniveau
verändert,
selbst
wenn
die
angelegte
Spannung
konstant
bleibt.
EuroPat v2
However,
such
a
diode
requires
a
certain
minimum
voltage
in
order
for
it
to
conduct
at
all
and
has,
in
the
forward
mode,
a
voltage
drop
having
a
disruptive
effect
if
a
low
supply
voltage
is
desired.
Eine
solche
Diode
benötigt
jedoch
einerseits
eine
gewisse
Mindestspannung,
damit
sie
überhaupt
leitet
und
weist
andererseits
im
Durchlaßbetrieb
einen
Spannungsabfall
auf,
der
störend
wirkt,
wenn
eine
niedrige
Versorgungsspannung
angestrebt
wird.
EuroPat v2
The
bombardment
with
electrons
leads
to
the
increase
in
the
reverse
current
being
less
than
that
for
pure
ion
bombardment
for
a
comparable
forward
voltage
drop,
so
that
the
reverse
losses
also
remain
low.
Die
Bestrahlung
mit
Elektronen
führt
zu
einer
geringeren
Erhöhung
des
Sperrstroms
als
die
reine
lonenbestrahlung
auf
einen
vergleichbaren
Vorwärtsspannungsabfall,
so
dass
auch
die
Sperrverluste
niedrig
bleiben.
EuroPat v2
The
bombardment
with
electrons
leads
to
less
increase
in
the
reverse
current
than
pure
ion
bombardment
for
a
comparable
forward
voltage
drop,
so
that
the
reverse
losses
also
remain
low.
Die
Bestrahlung
mit
Elektronen
führt
zu
einer
geringeren
Erhöhung
des
Sperrstroms
als
die
reine
lonenbestrahlung
auf
einen
vergleichbaren
Vorwärtsspannungsabfall,
so
dass
auch
die
Sperrverluste
niedrig
bleiben.
EuroPat v2
Thus,
the
negative
voltage
peak
occuring
upon
disconnection
is
limited
to
the
forward
voltage
drop
of
the
diode,
but
the
energy
stored
in
load
L
is
reduce
only
very
slowly
due
to
the
low
value
of
the
driving
countervoltage.
Damit
wird
zwar
die
beim
Abschalten
auftretende
negative
Spannungsspitze
auf
die
Durchlaßspannung
der
Diode
begrenzt,
die
in
der
Last
L
gespeicherte
Energie
wird
jedoch
aufgrund
der
geringen
Höhe
der
treibenden
Gegenspannung
nur
sehr
langsam
abgebaut.
EuroPat v2
Furthermore,
TRENCHSTOP™
5
features
a
temperature
stable
forward
voltage
drop
(VF)
of
the
fast
recovery
free-wheeling
diode
and
reverse
recovery
time
(Trr)
of
less
than
50ns.
Darüber
hinaus
bietet
TRENCHSTOP™
5
einen
temperaturstabilen
Durchlassspannungsabfall
(Vf)
der
schnellen
Freilaufdioden
und
eine
Sperrverzögerungszeit
(Trr)
von
weniger
als
50ns.
ParaCrawl v7.1
German
Published
Patent
Application
No.
196
04
043
purportedly
refers
to
influencing
the
field
distribution
in
an
MOS
transistor
or
a
V-IGBT
with
the
aid
of
n-doped
and
p-doped
regions
embedded
in
the
drift
zone,
in
order
to
reduce
the
forward
current
voltage
drop
at
a
given
blocking
capability.
In
der
DE
196
04
043
A1
sind
Möglichkeiten
vorgeschlagen
worden,
mittels
in
das
Driftgebiet
eingelassener
n-dotierter
und
p-dotierter
Bereiche
die
Feldverteilung
in
einem
MOS-Transistor
oder
V-IGBT
günstig
zu
beeinflussen,
um
bei
einer
gegebenen
Sperrfähigkeit
den
Durchlassspannungsabfall
zu
reduzieren.
EuroPat v2