Übersetzung für "Floating electrode" in Deutsch
In
one
embodiment,
the
third
internal
electrode
is
embodied
as
a
floating
internal
electrode.
Die
dritte
Innenelektrode
ist
in
einer
Ausführungsform
als
schwebende
Innenelektrode
ausgeführt.
EuroPat v2
The
component
could
therefore
have
a
single
floating
electrode.
So
könnte
das
Bauelement
eine
einzige
floatende
Elektrode
aufweisen.
EuroPat v2
Therefore,
this
shielding
structure
is
also
called
a
“floating”
electrode.
So
wird
die
Abschirmstruktur
auch
als
"schwebende"
Elektrode
bezeichnet.
EuroPat v2
The
first
gate
electrode
is
preferably
configured
as
a
floating
gate
electrode.
Dabei
ist
die
erste
Gateelektrode
als
floatende
Gateelektrode
ausgebildet.
EuroPat v2
A
different
charge
of
the
floating
gate
electrode
results
in
different
threshold
voltages
of
the
transistor.
Eine
unterschiedliche
Ladung
der
Floating-Gateelektrode
führt
zu
unterschiedlichen
Einsatzspannungen
des
Transistors.
EuroPat v2
The
floating
gate
electrode
overlaps
the
surface
of
the
substrate
outside
the
depression.
Die
Floating-Gateelektrode
überlappt
außerhalb
der
Vertiefung
die
Oberfläche
des
Substrats.
EuroPat v2
The
floating
gate
electrode
is
disposed
on
four
sidewalls
and
a
bottom
of
a
depression.
Die
Floating-Gateelektrode
ist
an
vier
Flanken
und
einem
Boden
einer
Vertiefung
angeordnet.
EuroPat v2
The
floating
gate
electrode
is
electrically
insulated
from
the
MOS-FET
by
a
first
dielectric.
Die
Floating-Gateelektrode
wird
durch
ein
erstes
Dielektrikum
von
dem
MOS-FET
elektrisch
isoliert.
EuroPat v2
The
depression
is
constricted
but
not
filled
by
the
floating
gate
electrode.
Die
Vertiefung
wird
durch
die
Floating-Gateelektrode
verengt,
aber
nicht
ausgefüllt.
EuroPat v2
It
is
advantageous
if
the
floating
gate
electrode
does
not
project
appreciably
from
the
depression.
Es
ist
vorteilhaft,
wenn
die
Floating-Gateelektrode
nicht
nennenswert
aus
der
Vertiefung
herausragt.
EuroPat v2
The
control
gate
electrode
is
isolated
from
the
floating
gate
electrode
by
a
second
dielectric
layer.
Die
Kontroll-Gateelektrode
ist
durch
ein
zweites
Dielektrikum
von
der
Floating-Gateelektrode
getrennt.
EuroPat v2
A
dielectric
layer
made
of
an
oxide-nitride-oxide
layer
sequence
is
situated
between
the
floating
gate
electrode
and
the
control
gate
electrode.
Zwischen
der
Floating-gate-Elektrode
und
der
Kontroll-gate-Elektrode
befindet
sich
eine
Dielektrikumschicht
aus
einer
Oxid-Nitrid-Oxid-Schichtfolge.
EuroPat v2
The
goal
is
the
tracking
of
the
potential
of
the
reference
electrode
to
the
potential
of
the
noncontacting
floating
gate
electrode.
Ziel
ist
die
Nachführung
des
Potentials
der
Referenzelektrode
auf
das
Potential
der
nicht
kontaktierten
Floating-Gate-Elektrode.
EuroPat v2
The
capacitance
well
is
used
to
shield
the
floating
gate
electrode
and
is
accordingly
connected
to
ground.
Das
Capacitance
well
wird
zur
Abschirmung
der
floatenden
Gate-Elektrode
verwendet
und
ist
entsprechend
auf
Masse
gelegt.
EuroPat v2
This
decoupling
of
potential
U
FG
can
be
effected
capacitively
directly
from
the
floating
gate
electrode
2
.
Diese
Auskoppelung
der
Spannung
U
FG
kann
kapazitiv
direkt
aus
der
Floating-Gate-Elektrode
2
erfolgen.
EuroPat v2
Disposed
in
the
chamber
is
a
grounded
or
floating
counter-electrode
with
a
substrate
disposed
thereon.
In
der
Kammer
ist
eine
geerdete
oder
schwebende
Gegenelektrode
mit
einem
darauf
angeordneten
Substrat
angeordnet.
EuroPat v2
In
the
lastmentioned
example,
the
amplifier
52
would
be
connected
to
the
lower
part
of
the
electrode
43,
which
then
represents
a
floating-gate
electrode,
and
the
charge
devices
44
to
47
are
omitted.
In
dem
letztgenannten
Fall
ist
der
Verstärker
52
an
den
untersten
Teil
der
Elektrode
43,
der
dann
eine
"Floating
Gate"-Elektrode
darstellt,
angeschlossen,
wobei
die
Ladungsverschiebeeinrichtungen
44
bis
47
entfallen.
EuroPat v2
The
floating
gate
electrode
which
represents
a
part
of
the
output
of
such
stage
then
lies
beneath
one
of
the
four
electrodes
belonging
to
such
a
stage.
Unter
jeweils
einer
der
vier
zu
einer
solchen
Stufe
gehörenden
Elektroden
befindet
sich
dann
die
einen
Teil
des
Ausgangs
dieser
Stufe
darstellende
Floating-Gate-Elektrode.
EuroPat v2
A
dash
line
18
indicates
that,
subsequently
to
the
production
of
the
(floating)
gate
electrode
Fg,
the
entire
arrangement
has
been
covered
with
a
protective
layer
deposited
thereon.
Die
gestrichelte
Linie
18
deutet
an,
dass
nach
dem
Herstellen
der
Gate-Elektrode
Fg
die
gesamte
Anordnung
mit
einer
darüber
abgelagerten
Schutzschicht
bedeckt
worden
ist.
EuroPat v2
In
the
latter
case,
the
output
40A
is
then
connected
to
the
lowest
part
of
the
electrode
43,
which
then
represents
a
"floating
gate"
electrode,
whereby
the
charge
transfer
device
44-47
can
be
omitted.
In
dem
letztgenannten
Fall
ist
der
Ausgang
40A.an
den
untersten
Teil
der
Elektrode
43,
der
dann
eine
"Floating-Gate"-Elektrode
darstellt,
angeschlossen,
wobei
die
Ladungsverechiebeanordnungen
44
bis
47
entfallen.
EuroPat v2
In
the
interest
of
a
favorable
and
defined
erase
function
when
the
information
content
stored
in
the
respective
memory
cell
changes,
it
would
be
advantageous
if
the
oxide
supporting
the
floating
gate
electrode
of
the
first
MOS
field
effect
transistor
were
made
thinner
in
a
defined
manner
in
the
erase
area,
than
in
the
channel
area
of
the
first
MOS
field
effect
transistor.
Im
Interesse
einer
günstigen
und
definierten
Löschfunktion
bei
Abänderung
des
in
der
betreffenden
Speicherzelle
gespeicherten
Informationsgehaltes
wäre
es
vorteilhaft,
wenn
das
die
schwebende
Gateelektrode
des
ersten
MOS-Feldeffekttransistors
der
Speicherzelle
tragende
Oxyd
im
Löschbereich
in
definierter
Weise
dünner
als
im
Kanalbereich
des
ersten
MOS-Feldeffekttransistors
eingestellt
wird.
EuroPat v2
Between
the
floating-gate
electrode
and
the
channel
area
there
is
used
an
extremely
thin
thermal
nitride
(9.5
nm)
which,
for
its
manufacture,
requires
a
thermal
nitration
process
requiring
high
temperatures
ranging
between
1,200°
and
1,300°
C.
which
are
not
compatible
with
modern
standard
technologies.
Zwischen
der
Floating-Gateelektrode
und
dem
Kanalbereich
wird
ein
extrem
dünnes
thermisches
Nitrid
(9,5
nm)
verwendet,
zu
dessen
Herstellung
ein
thermischer
Nitridierungsprczess
erforderlich
ist,
der
hohe
Temperaturen
zwischen
1200
und
1300°C
benötigt,
die
mit
modernen
Standard-
Technologien
nicht
kompatibel
sind.
EuroPat v2
Non-volatile,
readable
semiconductor
storage
elements,
such
as
MNOS
field-effect
transistors
or
alternately
field-effect
transistors
with
a
gate
electrode
floating
with
respect
to
a
potential,
are
known
to
have
the
property
that
the
storage
capability
thereof
decreases
as
the
number
of
programming
operations
increases,
with
this
being
referred
to
as
a
degradation.
Die
nichtflüchtig
lesbaren
Halbleiterspeicherelemente,
wie
MNOS-Feldeffekttransistoren
als
auch
Feldeffekttransistoren
mit
potentialmäßig
schwebender
Gateelektrode,
haben
nämlich
die
Eigenschaft,
daß
ihre
Speicherfähigkeit
mit
der
Zahl
der
Umprogrammierungen
abnimmt,
was
als
Degradation
bezeichnet
wird.
EuroPat v2
Each
of
the
storage
cells
comprises
a
tunnel
injector
which
is
capable
of
tunnelling
electrons
through
a
sufficiently
thin
oxide
layer,
in
both
directions
towards
an
electrically
floating
gate
electrode.
Jede
der
Speicherzellen
enthält
einen
Tunnelinjektor,
der
in
der
Lage
ist,
in
beiden
Richtungen
zu
einer
elektrisch
schwebenden
Elektrode
Elektronen
durch
eine
ausreichend
dünne
Oxidschicht
tunneln
zu
lassen.
EuroPat v2
This
storage
cell
comprises
a
memory
transistor
Ts
with
a
potentially
floating
gate
electrode
Fg
on
which,
by
means
of
a
tunnel
oxide
area
in
a
thickness
of
less
than
200
Å,
and
injector
I
is
realized
on
the
drain
region
of
the
memory
transistor
Ts.
Diese
weist
einen
Speichertransistor
Ts
mit
einer
potentialmäßig
schwebenden
Elektrode
Fg
auf,
an
der
mittels
eines
Tunneloxidbereichs
in
einer
Dicke
von
weniger
als
200
X
ein
Injektor
I
an
der
Drainzone
des
Speichertransistors
Ts
realisiert
wird.
EuroPat v2
Through
the
tunnel
oxide
area,
electrons
can
be
injected
in
both
directions
either
into
or
out
of
the
potentially
floating
gate
electrode
Fg.
Durch
den
Tunneloxidbereich
können
in
beiden
Richtungen
Elektronen
in
die
oder
aus
der
potentialmäßig
schwebenden
Gateelektrode
Fg
injiziert
werden.
EuroPat v2