Übersetzung für "Charge retention" in Deutsch

The retention charge will be raised 0% before 48 hrs.
Die Beibehaltung Gebühr wird 0% bis 48 Stunden erhöht werden.
ParaCrawl v7.1
Cancellation:- 1 nght retention charge applicable.
Stornierung: - 1 nght Retention Gebühr erhoben.
ParaCrawl v7.1
In this way, a nonvolatile two-transistor semiconductor memory cell having improved charge retention properties can be fabricated in a particularly cost-effective manner.
Auf diese Weise kann eine nichtflüchtige Zweitransistor-Halbleiterspeicherzelle mit verbesserten Ladungshalteeigenschaften besonders kostengünstig hergestellt werden.
EuroPat v2
The retention charge will be raised 100% of Total amount on same day.
Die Beibehaltung Gebühr wird zu 100% des Gesamtbetrages am selben Tag angehoben werden.
ParaCrawl v7.1
The retention charge will be raised 50% of total amount as before 24 hrs.
Die Beibehaltung Gebühr werden 50% der Gesamtsumme als vor 24 Stunden angehoben werden.
ParaCrawl v7.1
Accordingly, what is essential to the present concept is that, in the memory transistor ST, the threshold voltage can be optimized with regard to charge retention by way of the substrate, well and/or channel doping and that the resulting disadvantages for the selection transistor can be compensated for by means of an opposite doping to the charge storage layer.
Wesentlich für das vorliegende Konzept ist demnach, dass im Speichertransistor ST die Schwellwertspannung ueber die Substrat-, Wannen- und/oder Kanaldotierung bzgl. Ladungshaltung optimiert werden kann und dass die sich dadurch fuer den Auswahltransistor ergebenden Nachteile durch eine zur Ladungsspeicherschicht unterschiedliche Metallmaterialverwendung kompensiert werden können.
EuroPat v2
As a result, it is possible to reduce the electric fields responsible for tunneling in the memory transistor thereby producing an improved charge retention property, the electrical properties of the cell remaining unchanged with regard to external circuitry since this threshold shift is compensated for again in the selection transistor AT.
Dadurch können die für das Tunneln verantwortlichen elektrischen Felder im Speichertransistor verringert werden, wodurch sich eine verbesserte Ladungshalteeigenschaft ergibt, wobei hinsichtlich einer Außenbeschaltung die elektrischen Eigenschaften der Zelle unverändert bleiben, da im Auswahltransistor AT diese Schwellwertverschiebung wieder kompensiert wird.
EuroPat v2
In the case of such nonvolatile two-transistor semiconductor memory cells, the charge retention properties, in particular, are of greater importance for the use and the reliability.
Bei derartigen nichtflüchtigen Zweitransistor-Halbleiterspeicherzellen sind insbesondere die Ladungshalteeigenschaften für den Einsatz und die Zuverlässigkeit von großer Bedeutung.
EuroPat v2
In order to avoid such leakage currents or in order to improve the charge retention properties, the layer thicknesses for the tunnel oxide layer 3 and/or the dielectric layer 5 are usually increased, as a result of which, however, the electrical properties of the memory cell deteriorate and it is necessary to raise in particular the operating voltages for reading from, writing to and/or erasing the memory cell.
Zur Vermeidung von derartigen Leckströmen bzw. zur Verbesserung der Ladungshalteeigenschaften werden üblicherweise die Schichtdicken für die Tunneloxidschicht 3 und/oder die dielektrische Schicht 5 erhöht, wodurch sich jedoch die elektrischen Eigenschaften der Speicherzelle verschlechtern und insbesondere die Betriebsspannungen zum Lesen, Schreiben und/oder Löschen der Speicherzelle angehoben werden müssen.
EuroPat v2
Therefore, the invention is based on the object of providing a nonvolatile two-transistor semiconductor memory cell and an associated fabrication method which have improved charge retention properties.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zu Grunde eine nichtflüchtige Zweitransistor-Halbleiterspeicherzelle sowie ein zugehöriges Herstellungsverfahren zu schaffen, welches verbesserte Ladungshalteeigenschaften aufweist.
EuroPat v2
In this way, a nonvolatile two-transistor semiconductor memory cell with improved charge retention properties is obtained which can be fabricated in a particularly simple manner.
Auf diese Weise erhält man eine nichtflüchtige Zweitransistor-Halbleiterspeicherzelle mit verbesserten Ladungshalteeigenschaften, die auf besonders einfache Art und Weise hergestellt werden kann.
EuroPat v2
Said charge retention properties are usually limited by (anomalous) loss of charge resulting from leakage phenomena.
Diese Ladungshalteeigenschaften sind üblicherweise durch (anomalen) Ladungsverlust begrenzt, der sich auf Grund von Leckphänomenen ergibt.
EuroPat v2
In particular by virtue of the different configuration of the charge storage layer in the memory transistor and the selection transistor control layer in the selection transistor for the independent optimization of the associated threshold voltages, it is possible to realize an improvement in the charge retention properties in the memory transistor without impairing the electrical properties of the memory cell.
Insbesondere durch die unterschiedlichen metallischen Materialien der Ladungsspeicherschicht im Speichertransistor und der Auswahltransistor-Steuerschicht im Auswahltransistor zur unabhängigen Optimierung der zugehörigen Schwellwertspannungen, kann ohne Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften der Speicherzelle eine Verbesserung der Ladungshalteeigenschaften im Speichertransistor realisiert werden.
EuroPat v2
As is described in detail below, this adaptation of the threshold voltage in the memory transistor ST yields the possibility of optimizing the charge retention properties.
Wie später im Einzelnen beschrieben wird, ergibt sich durch diese Anpassung der Schwellenwertspannung im Speichertransistor ST die Möglichkeit, die Ladungshalteeigenschaften zu optimieren.
EuroPat v2
In this way, the charge retention properties in a two-transistor semiconductor memory cell can be significantly improved without influencing the electrical properties or a required evaluation circuit.
Auf diese Weise können die Ladungshalteeigenschaften in einer Zweitransistor-Halbleiterspeicherzelle ohne Beeinflussung der elektrischen Eigenschaften oder einer notwendigen Auswerteschaltung wesentlich verbessert werden.
EuroPat v2
In the same way, the invention is not restricted to silicon semiconductor materials, but rather encompasses all further semiconductor materials which can be used to alter a threshold voltage in a targeted manner in order to improve the charge retention properties.
In gleicher Weise ist die Erfindung nicht auf Silizium-Halbleitermaterialien beschränkt, sondern umfasst alle weiteren Halbleitermaterialien, mit denen gezielt eine Schwellwertspannung zur Verbesserung der Ladungshalteeigenschaften verändert werden kann.
EuroPat v2
As a result, it is possible to reduce the electric fields responsible for tunnelling in the memory transistor, thereby producing an improved charge retention property, the electrical properties of the cell remaining unchanged with regard to external circuitry since this threshold shift is compensated for again in the selection transistor AT.
Dadurch können die für das Tunneln verantwortlichen elektrischen Felder im Speichertransistor verringert werden, wodurch sich eine verbesserte Ladungshalteeigenschaft ergibt, wobei hinsichtlich einer Außenbeschaltung die elektrischen Eigenschaften der Zelle unverändert bleiben, da im Auswahltransistor AT diese Schwellwertverschiebung wieder kompensiert wird.
EuroPat v2
This minimum thickness is necessary in order to ensure the required charge retention in the floating-gate layer 4 s, making large-scale integration more difficult.
Diese Mindestdicke ist notwendig, um die benötigte Ladungshaltung in der Floating-Gate-Schicht 4s zu gewährleisten, wodurch eine Hochintegration erschwert wird.
EuroPat v2

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i charge you charged in who are in charge being in charge
charge retention we charge