Übersetzung für "Accelerating voltage" in Deutsch
This
is
realized
by
step-by-step
increase
in
the
accelerating
voltage
Uc.
Dies
wird
durch
schrittweises
Erhöhen
der
Beschleunigungsspannung
Uc
realisiert.
EuroPat v2
Otherwise,
experimental
optimization,
in
particular
of
the
accelerating
voltage
A,
is
advantageous.
Ansonsten
ist
eine
experimentelle
Optimierung
insbesondere
der
Beschleunigungsspannung
A
vorteilhaft.
EuroPat v2
Otherwise,
an
experimental
optimization
(in
particular
of
the
accelerating
voltage
B)
is
advantageous.
Ansonsten
ist
eine
experimentelle
Optimierung
(insbesondere
der
Beschleunigungsspannung
B)
vorteilhaft.
EuroPat v2
In
particular,
with
increasing
accelerating
voltage,
metallic
components
can
also
be
examined.
Insbesondere
können
mit
steigender
Beschleunigungsspannung
auch
metallische
Bauteile
untersucht
werden.
EuroPat v2
With
an
increasing
accelerating
voltage,
relatively
large
volumes
of
components
can
be
examined.
Mit
steigender
Beschleunigungsspannung
können
größere
Volumina
der
Bauteile
untersucht
werden.
EuroPat v2
Depending
on
the
desired
accelerating
voltage,
X-ray
tubes
or
linear
accelerators
can
be
used
as
the
radiation
source.
Als
Strahlungsquelle
können
je
nach
gewünschter
Beschleunigungsspannung
Röntgenröhren
oder
Linearbeschleuniger
eingesetzt
werden.
EuroPat v2
These
light
sources
can
be
operated
in
continuous
wave
at
30
kV
accelerating
voltage
with
5.4
mA.
Diese
Lichtquellen
können
im
Dauerstrich
bei
30
kV
Beschleunigungsspannung
mit
5,4
mA
betrieben
werden.
EuroPat v2
This
takes
place
in
its
simplest
form
by
controlling
the
emission
current
of
an
electron
beam
gun
at
constant
accelerating
voltage.
Dies
erfolgt
am
einfachsten
über
die
Steuerung
des
Emissionsstroms
einer
Elektronenstrahlkanone
bei
konstanter
Beschleunigungsspannung.
EuroPat v2
For
transmission
electron
microscopy
(TEM),
a
Philips
CM200
FEG
(200
kV
accelerating
voltage)
was
used.
Für
Transmissionselektronenmikroskopie
(TEM)
wurde
ein
Philips
CM200
FEG
(200kV
Beschleunigungsspannung)
verwendet.
EuroPat v2
As
apparent
from
these
publications
the
low
density
tantalum
is
formed
under
certain
conditions
in
thin
layers
in
the
sputtering
of
tantalum,
and
the
sputtering
voltage,
i.e.
the
accelerating
voltage
of
the
argon
ions
and
the
partial
pressure
of
argon,
have
been
found
to
be
essential
parameters.
Wie
aus
diesen
Veröffentlichungen
hervorgeht,
entsteht
das
"low
density"
-
Tantal
unter
bestimmten
Bedingungen
beim
Aufstäuben
(Sputtern)
von
Tantal
in
dünnen
Schichten,
wobei
sich
als
wesentlicher
Parameter
die
Sputter-Spannung,
d.h.
die
Beschleunigungsspannung
der
Argonionen,
herausgestellt
hat.
EuroPat v2
A
layer
of
highly
resistive
low
density
tantalum
arises
on
sputtering
under
certain
conditions,
the
most
important
parameter
being
the
low
accelerating
voltage
of
the
argon
ions.
Eine
Schicht
aus
hochohmigem
Tantal
geringer
Dichte
entsteht
beim
Aufstäuben
unter
bestimmten
Bedingungen,
wobei
der
wichtigste
Parameter
die
niedrige
Beschleunigungsspannung
der
Argonionen
ist.
EuroPat v2
For
this
purpose
the
surface
is
bombarded
with
argon
ions
with
a
relatively
low
accelerating
voltage,
whereby
the
uppermost
layer
is
removed.
Zu
diesem
Zweck
wird
die
Oberfläche
mit
Argonionen
unter
einer
verhältnismässig
geringen
Beschleunigungsspannung
beschossen,
wodurch
die
oberste
Schicht
abgetragen
wird.
EuroPat v2
10-2
mbar
and
the
substrate
temperature
to
about
20°
C.
In
larger
direct
current
apparatuses
as
well
with
dependent
DC
plasma
the
accelerating
voltage
may
also
be
of
the
order
of
magnitude
of
100
to
200
V
and
the
gas
pressure
may
be
reduced
to
1.10-3
mbar
and
the
substrate
temperature
increased
to
200°
C.
Auch
bei
grösseren
Gleichstromanlagen
mit
unselbständigem
DC-Plasma
kann
die
Beschleunigungsspannung
in
der
Grössenordnung
von
100
bis
200
V
liegen,
wobei
der
Gasdruck
bis
auf
1.103
mbar
verringert
und
die
Substrattemperatur
auf
200°C
erhöht
werden
kann.
EuroPat v2
In
order
to
prevent
the
electrons
and
ions
from
being
differently
influenced
in
magnetic
fields,
the
deflector
means
8
and
9
operate
with
electric
fields
yielding
at
the
same
accelerating
voltage
U
the
same
amount
of
deflection
(but
in
different
directions)
for
ions
and
electrons.
Um
die
sehr
unterschiedliche
Beeinflussung
von
Elektronen
und
Ionen
in
magnetischen
Feldern
zu
vermeiden,
arbeiten
die
Ablenkeinrichtungen
8
und
9
mit
elektrischen
Feldern,
die
bei
gleicher
Beschleunigungsspannung
U
für
Ionen
und
Elektronen
denselben
Betrag
der
Ablenkung
(aber
in
verschiedener
Richtung)
ergeben.
EuroPat v2
This
is
particularly
true
when
the
primary
beam
is
generated
with
a
relatively
low
accelerating
voltage
of,
for
example,
1
kV.
Das
ist
insbesondere
dann
der
Fall,
wenn
der
Primärstrahl
mit
einer
relativ
niedrigen
Beschleunigungsspannung
von
zum
Beispiel
1
kV
erzeugt
wird.
EuroPat v2
The
need
in
this
case
arises
for
adapting
its
power
to
various
working
procedures
and
materials,
for
example
by
varying
the
accelerating
voltage
and
the
beam
current.
Hierbei
besteht
die
Notwendigkeit,
den
Elektronenstrahl
an
unterschiedliche
Bearbeitungsvorgänge
und
Materialbeschaffenheiten
in
seiner
Leistung
anzupassen,
beispielsweise
durch
Änderung
der
Beschleunigungsspannung
und
des
Strahlstroms.
EuroPat v2
The
anode
current
Ia,
which
is
dependent
on
the
light
intensity
E
and
the
accelerating
voltage
Uc,
is
converted
into
output
voltage
Ua
by
a
current-voltage
converter.
Der
von
der
Lichtintensität
E
und
der
Beschleunigungsspannung
Uc
abhängige
Anodenstrom
Ia
wird
durch
einen
Strom-Spannungswandler
in
die
Ausgangsspannung
Ua
umgewandelt.
EuroPat v2
Next,
ion
implantation
of
impurities
of
the
conductivity
type
of
the
base
region
of
the
bipolar
transistor
is
performed
at
such
an
accelerating
voltage
that
the
ions
penetrate
the
thin
oxide
layer
9
but
are
slowed
down
below
this
exposed
portion
of
the
thin
oxide
layer
9
already
at
the
surface
of
the
semiconductor
body.
Es
erfolgt
nun
eine
Ionenimplantation
von
Verunreinigungen
des
Leitungstyps
der
Basiszone
des
Bipolartransistors
bei
einer
solchen
Beschleunigungsspannung,
daß
die
Dünnoxidschicht
9
zwar
durchdrungen
wird,
die
Ionen
aber
unter
diesem
freiliegenden
Teil
der
Dünnoxidschicht
9
bereits
an
der
Oberfläche
des
Halbleiterkörpers
abgebremst
werden.
EuroPat v2
This
known
particle
beam
generating
system
is
designed
such
that
it
permits
an
optimum
beam
value
or
brightness
and
an
optimum
centering
for
a
specific
accelerating
voltage.
Dieses
bekannte
korpuskularstrahlerzeugende
System
ist
sp
ausgebildet,
daß
es
einen
optimalen
Richtstrahlwert
und
eine
optimale
Zentrierung
für
eine
bestimmte
Beschleunigungsspannung
ermöglicht.
EuroPat v2
If
arsenic
is
implanted
through
an
insulating
layer
made
of
SiO2,
a
comparatively
very
small
insulating-layer
thickness
between
30
and
60
nm
must
be
chosen
at
an
accelerating
voltage
of
200
kV,
the
method
according
to
the
invention
requires
that,
after
the
implantation
of
the
base
dopant,
the
thickness
of
all
those
portions
of
the
insulating
layer
through
which
no
implantation
of
such
ions
with
a
relatively
great
ionic
radius
takes
place
should
be
increased.
Da
einerseits,
insbesondere
bei
der
Implantation
von
Arsen
durch
eine
aus
Si0
2
bestehende
Isolierschicht
eine
vergleichsweise
sehr
geringe
Isolierschichtdicke
zwischen
30
und
60
nm
bei
200
KV
Beschleunigungsspannung
zu
wählen
ist,
sind
bei
dem
Verfahren
nach
der
Erfindung
nach
der
Implantation
der
Basisdotierung
alle
diejenigen
Bereiche
der
Isolierschicht,
durch
die
keine
Implantation
solcher
Ionen
mit
relativ
großen
tonenradius
erfolgt,
zu
verstärken.
EuroPat v2
If
simply
charged
lithium
ions
are
used
in
the
ion
beam,
the
tangent
of
the
deflection
angle
a
of
the
ion
beam
at
the
same
accelerating
voltage
is
smaller
by
the
factor
##EQU2##
than
for
electrons.
Werden
im
Ionenstrahl
einfach
geladene
Lithiumionen
verwendet,
so_ist
der
Tangens
des
Ablenkwinkels
a
des
Ionenstrahls
bei
gleicher
durchlaufener
Beschleunigungsspannung
um
den
Faktor
EPMATHMARKEREP
kleiner
als
für
Elektronen.
EuroPat v2
The
electron
beam
model
was
a
cylindrical
beam
of
0.5
mm
diameter
having
a
homogeneous
current
density
distribution
of
an
accelerating
voltage
of
150
kV
and
a
beam
current
intensity
of
100
mA.
Als
Elektronenstrahl
wurde
modellmäßig
ein
zylindrischer
Strahl
mit
0,5
mm
Durchmesser
und
homogener
Stromdichteverteilung
unter
Berücksichtigung
einer
Beschleunigungsspannung
von
150
kV
und
einer
Strahlstromstärke
von
100
mA
angenommen.
EuroPat v2