Übersetzung für "Accelerating voltage" in Deutsch

This is realized by step-by-step increase in the accelerating voltage Uc.
Dies wird durch schrittweises Erhöhen der Beschleunigungsspannung Uc realisiert.
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Otherwise, experimental optimization, in particular of the accelerating voltage A, is advantageous.
Ansonsten ist eine experimentelle Optimierung insbesondere der Beschleunigungsspannung A vorteilhaft.
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Otherwise, an experimental optimization (in particular of the accelerating voltage B) is advantageous.
Ansonsten ist eine experimentelle Optimierung (insbesondere der Beschleunigungsspannung B) vorteilhaft.
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In particular, with increasing accelerating voltage, metallic components can also be examined.
Insbesondere können mit steigender Beschleunigungsspannung auch metallische Bauteile untersucht werden.
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With an increasing accelerating voltage, relatively large volumes of components can be examined.
Mit steigender Beschleunigungsspannung können größere Volumina der Bauteile untersucht werden.
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Depending on the desired accelerating voltage, X-ray tubes or linear accelerators can be used as the radiation source.
Als Strahlungsquelle können je nach gewünschter Beschleunigungsspannung Röntgenröhren oder Linearbeschleuniger eingesetzt werden.
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These light sources can be operated in continuous wave at 30 kV accelerating voltage with 5.4 mA.
Diese Lichtquellen können im Dauerstrich bei 30 kV Beschleunigungsspannung mit 5,4 mA betrieben werden.
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This takes place in its simplest form by controlling the emission current of an electron beam gun at constant accelerating voltage.
Dies erfolgt am einfachsten über die Steuerung des Emissionsstroms einer Elektronenstrahlkanone bei konstanter Beschleunigungsspannung.
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For transmission electron microscopy (TEM), a Philips CM200 FEG (200 kV accelerating voltage) was used.
Für Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) wurde ein Philips CM200 FEG (200kV Beschleunigungsspannung) verwendet.
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As apparent from these publications the low density tantalum is formed under certain conditions in thin layers in the sputtering of tantalum, and the sputtering voltage, i.e. the accelerating voltage of the argon ions and the partial pressure of argon, have been found to be essential parameters.
Wie aus diesen Veröffentlichungen hervorgeht, entsteht das "low density" - Tantal unter bestimmten Bedingungen beim Aufstäuben (Sputtern) von Tantal in dünnen Schichten, wobei sich als wesentlicher Parameter die Sputter-Spannung, d.h. die Beschleunigungsspannung der Argonionen, herausgestellt hat.
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A layer of highly resistive low density tantalum arises on sputtering under certain conditions, the most important parameter being the low accelerating voltage of the argon ions.
Eine Schicht aus hochohmigem Tantal geringer Dichte entsteht beim Aufstäuben unter bestimmten Bedingungen, wobei der wichtigste Parameter die niedrige Beschleunigungsspannung der Argonionen ist.
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For this purpose the surface is bombarded with argon ions with a relatively low accelerating voltage, whereby the uppermost layer is removed.
Zu diesem Zweck wird die Oberfläche mit Argonionen unter einer verhältnismässig geringen Beschleunigungsspannung beschossen, wodurch die oberste Schicht abgetragen wird.
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10-2 mbar and the substrate temperature to about 20° C. In larger direct current apparatuses as well with dependent DC plasma the accelerating voltage may also be of the order of magnitude of 100 to 200 V and the gas pressure may be reduced to 1.10-3 mbar and the substrate temperature increased to 200° C.
Auch bei grösseren Gleichstromanlagen mit unselbständigem DC-Plasma kann die Beschleunigungsspannung in der Grössenordnung von 100 bis 200 V liegen, wobei der Gasdruck bis auf 1.103 mbar verringert und die Substrattemperatur auf 200°C erhöht werden kann.
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In order to prevent the electrons and ions from being differently influenced in magnetic fields, the deflector means 8 and 9 operate with electric fields yielding at the same accelerating voltage U the same amount of deflection (but in different directions) for ions and electrons.
Um die sehr unterschiedliche Beeinflussung von Elektronen und Ionen in magnetischen Feldern zu vermeiden, arbeiten die Ablenkeinrichtungen 8 und 9 mit elektrischen Feldern, die bei gleicher Beschleunigungsspannung U für Ionen und Elektronen denselben Betrag der Ablenkung (aber in verschiedener Richtung) ergeben.
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This is particularly true when the primary beam is generated with a relatively low accelerating voltage of, for example, 1 kV.
Das ist insbesondere dann der Fall, wenn der Primärstrahl mit einer relativ niedrigen Beschleunigungsspannung von zum Beispiel 1 kV erzeugt wird.
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The need in this case arises for adapting its power to various working procedures and materials, for example by varying the accelerating voltage and the beam current.
Hierbei besteht die Notwendigkeit, den Elektronenstrahl an unterschiedliche Bearbeitungsvorgänge und Materialbeschaffenheiten in seiner Leistung anzupassen, beispielsweise durch Änderung der Beschleunigungsspannung und des Strahlstroms.
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The anode current Ia, which is dependent on the light intensity E and the accelerating voltage Uc, is converted into output voltage Ua by a current-voltage converter.
Der von der Lichtintensität E und der Beschleunigungsspannung Uc abhängige Anodenstrom Ia wird durch einen Strom-Spannungswandler in die Ausgangsspannung Ua umgewandelt.
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Next, ion implantation of impurities of the conductivity type of the base region of the bipolar transistor is performed at such an accelerating voltage that the ions penetrate the thin oxide layer 9 but are slowed down below this exposed portion of the thin oxide layer 9 already at the surface of the semiconductor body.
Es erfolgt nun eine Ionenimplantation von Verunreinigungen des Leitungstyps der Basiszone des Bipolartransistors bei einer solchen Beschleunigungsspannung, daß die Dünnoxidschicht 9 zwar durchdrungen wird, die Ionen aber unter diesem freiliegenden Teil der Dünnoxidschicht 9 bereits an der Oberfläche des Halbleiterkörpers abgebremst werden.
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This known particle beam generating system is designed such that it permits an optimum beam value or brightness and an optimum centering for a specific accelerating voltage.
Dieses bekannte korpuskularstrahlerzeugende System ist sp ausgebildet, daß es einen optimalen Richtstrahlwert und eine optimale Zentrierung für eine bestimmte Beschleunigungsspannung ermöglicht.
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If arsenic is implanted through an insulating layer made of SiO2, a comparatively very small insulating-layer thickness between 30 and 60 nm must be chosen at an accelerating voltage of 200 kV, the method according to the invention requires that, after the implantation of the base dopant, the thickness of all those portions of the insulating layer through which no implantation of such ions with a relatively great ionic radius takes place should be increased.
Da einerseits, insbesondere bei der Implantation von Arsen durch eine aus Si0 2 bestehende Isolierschicht eine vergleichsweise sehr geringe Isolierschichtdicke zwischen 30 und 60 nm bei 200 KV Beschleunigungsspannung zu wählen ist, sind bei dem Verfahren nach der Erfindung nach der Implantation der Basisdotierung alle diejenigen Bereiche der Isolierschicht, durch die keine Implantation solcher Ionen mit relativ großen tonenradius erfolgt, zu verstärken.
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If simply charged lithium ions are used in the ion beam, the tangent of the deflection angle a of the ion beam at the same accelerating voltage is smaller by the factor ##EQU2## than for electrons.
Werden im Ionenstrahl einfach geladene Lithiumionen verwendet, so_ist der Tangens des Ablenkwinkels a des Ionenstrahls bei gleicher durchlaufener Beschleunigungsspannung um den Faktor EPMATHMARKEREP kleiner als für Elektronen.
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The electron beam model was a cylindrical beam of 0.5 mm diameter having a homogeneous current density distribution of an accelerating voltage of 150 kV and a beam current intensity of 100 mA.
Als Elektronenstrahl wurde modellmäßig ein zylindrischer Strahl mit 0,5 mm Durchmesser und homogener Stromdichteverteilung unter Berücksichtigung einer Beschleunigungsspannung von 150 kV und einer Strahlstromstärke von 100 mA angenommen.
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