Translation of "Trench depth" in German
The
trench
depth
of
about
40
?m
correspondends
to
the
future
conductor
thickness.
Die
Grabentiefe
von
etwa
40
um
entspricht
der
späteren
Leiterzugdicke.
EuroPat v2
In
this
way,
the
replicability
of
the
trench
depth
is
improved.
Auf
diese
Weise
wird
die
Reproduzierbarkeit
der
Grabentiefe
verbessert.
EuroPat v2
This
markup
is
the
benchmark
by
which
digs
a
trench
depth
required.
Dieses
Markup
ist
der
Maßstab,
an
dem
gräbt
eine
Grabentiefe
erforderlich.
ParaCrawl v7.1
In
this
case,
wide
means
that
the
trench
width
becomes
several
times
the
trench
depth.
Breit
ausgeführt
bedeutet
dabei,
daß
die
Trenchbreite
ein
Mehrfaches
der
Trenchtiefe
annimmt.
EuroPat v2
This
is
in
the
Mariana
Trench
at
a
depth
of
over
10,000
metres.
Diese
befindet
sich
im
Marianengraben
in
Ã1?4ber
10.000
m
Tiefe.
ParaCrawl v7.1
Layer
2
should
preferably
be
about
twice
as
thick
as
the
desired
trench
depth
in
the
silicon.
Sie
sollte
vorzugsweise
etwa
doppelt
so
dick
sein
wie
die
gewünschte
Grabentiefe
im
Silicium.
EuroPat v2
Two
opposite
parts
(sides)
of
the
trench
wall
are
implanted
down
to
the
same
trench
depth.
Es
werden
zwei
gegenüberliegende
Teile
(Seiten)
der
Grabenwand
bis
zur
selben
Grabentiefe
implantiert.
EuroPat v2
When
marking
tight,
dripped
a
trench
to
a
depth
of
30
cm.
Wenn
enge
Markierung,
tropfte
ein
Graben
bis
zu
einer
Tiefe
von
30
cm.
ParaCrawl v7.1
In
addition,
other
structural
parameters
such
as
trench
depth
or
sidewall
inclination
are
also
of
major
importance.
Daneben
sind
noch
weitere
Strukturparameter
wie
z.
B.
Grabentiefe
oder
Seitenwandschräge
von
großer
Wichtigkeit.
EuroPat v2
Around
the
perimeter
of
the
basement
digging
a
trench
to
a
depth
of
0.4
m.
Um
den
Umfang
des
Untergeschosses
eines
Grabens
bis
zu
einer
Tiefe
von
0,4
m
zu
graben.
ParaCrawl v7.1
You
should
prepare
a
trench
the
depth
of
which
varies
from
40
to
50
centimeters.
Sie
sollten
einen
Graben
vorbereiten,
dessen
Tiefe
zwischen
40
und
50
cm
variiert.
ParaCrawl v7.1
As
the
photoresist
is
etched
with
the
same,
or
even
higher
speed
than
the
silicon,
the
thick
photoresist
mask
5
is
to
be
made
with
a
layer
thickness
of
at
least
7
to
9
?m
for
the
etching
of
a
silicon
trench
having
a
depth
of
4
?m.
Weil
der
Photoresist
gleich
schnell
oder
sogar
noch
schneller
als
Silicium
geätzt
wird,
muß
die
Resistmaske
5
in
einer
Schichtdicke
von
mindestens
7
bis
9
µm
für
das
Ätzen
eines
Siliciumgrabens
mit
einer
Tiefe
von
4
µm
hergestellt
werden.
EuroPat v2
Because
the
walls
of
the
V-trenches
have
a
54.7-degree
inclination
along
the
entire
(111-)
crystal
surfaces,
the
trench
depth
can
be
determined
simply
by
the
width
of
the
openings
of
the
lithography
mask.
Ihre
Tiefe
kann,
da
sich
die
Wände
der
V-Nuten
entlang
der
(111-)Kristallflächen
im
Silizium
stets
unter
54,7
Grad
Neigung
ausbilden,
in
einfacher
Weise
durch
die
Öffnungsbreite
der
Lithografiemaske
bestimmt
werden.
EuroPat v2
Although
this
increases
the
channel
resistance
of
the
internal
MOSFET,
a
smaller
forward
voltage
is
achieved
for
the
overall
component
with
a
trench
depth
that
is
only
slightly
larger
than
the
penetration
depth
of
the
P
bulk
region
than
with
narrow
and
very
deep
structures.
Obwohl
sich
damit
der
Kanalwiderstand
des
internen
MOSFET
erhöht,
wird
bereits
mit
einer
Trenchtiefe,
die
nur
wenig
größer
als
die
Eindringtiefe
des
p-
Bulkgebietes
ist,
eine
geringere
Flußspannung
für
das
Gesamtbauelement,
als
mit
schmalen
und
sehr
tiefen
Strukturen
erreicht.
EuroPat v2
The
implantation
angle
in
combination
with
the
width
of
the
trench
determines
to
what
trench
depth
the
trench
wall
is
doped,
and
thus
what
channel
length
(non-implanted
middle
region
of
the
trench
wall)
remains.
Durch
den
Implantationswinkel
in
Kombination
mit
der
Breite
des
Grabens
ergibt
sich,
bis
zu
welcher
Grabentiefe
die
Grabenwand
dotiert
wird,
und
damit,
welche
Kanallänge
(nicht-implantierter
mittlerer
Bereich
der
Grabenwand)
verbleibt.
EuroPat v2
Although
the
etching
method
is
more
involved
and
requires
an
etching
template
and
lithographic
steps,
it
has
the
advantage
of
a
more
accurate
and
more
uniform
definition
of
the
trench
depth.
Obwohl
das
Ätzverfahren
aufwendiger
ist
und
zudem
eine
Ätzmaske
und
Lithografieschritte
benötigt
werden,
hat
es
den
Vorteil
einer
genaueren
und
gleichmäßigeren
Definition
der
Grabentiefe.
EuroPat v2
By
dry
etching,
the
layer
sequence
is
provided
with
at
least
one
mesa
trench
whose
depth
is
at
least
great
enough
that
the
active
zone
of
the
layer
sequence
is
severed.
Die
Schichtenfolge
wird
mittels
Trockenätzen
mit
wenigstens
einem
Mesagraben
versehen,
dessen
Tiefe
mindestens
so
groß
ist,
daß
die
aktive
Zone
der
Schichtenfolge
durchtrennt
wird.
EuroPat v2
The
use
of
a
hard
mask
has
the
advantage
that
the
first
trench
and/or
the
second
trench
can
be
formed
with
a
large
trench
depth.
Die
Verwendung
einer
Hartmaske
hat
den
Vorteil,
daß
der
erste
Graben
beziehungsweise
der
zweite
Graben
mit
einer
großen
Grabentiefe
gebildet
werden
kann.
EuroPat v2
The
etching
for
forming
the
first
trench
5
and
the
second
trench
7
is
carried
out
anisotropically,
for
example,
in
order
to
form
a
trench
having
a
high
aspect
ratio
(trench
depth
to
trench
diameter).
Die
Ätzung
zur
Bildung
des
ersten
Grabens
5
und
des
zweiten
Grabens
7
wird
beispielsweise
anisotrop
durchgeführt,
um
einen
Graben
mit
hohem
Aspektverhältnis
(Grabentiefe
zu
Grabendurchmesser)
zu
bilden.
EuroPat v2
Process
as
defined
in
claim
1,
wherein
the
spin-on
deposition
of
the
photoresist
is
performed
so
that
said
photoresist
is
directly
spun
on
the
grating
structure
and
wherein
said
minimum
depth
of
material
removal
corresponds
to
the
grating
trench
depth
(a).
Verfahren
nach
Anspruch
1,
dadurch
gekennzeichnet,
daß
der
Photolack
direkt
auf
die
Gitterstruktur
des
Halbleiterwafers
aufgeschleudert
wird,
und
daß
der
mittels
Ätzverfahren
auf
der
xz-Ebene
vorzunehmende
Materialabtrag
gleicher
Tiefe
eine
Mindesttiefe
aufweist,
die
der
Gittergrabentiefe
(a)
entspricht.
EuroPat v2
Process
as
defined
in
claim
1,
further
comprising
providing
additional
semiconductor
layers
on
the
grating
structure,
said
additional
semiconductor
layers
having
a
total
thickness
(b)
above
the
grating
structure,
and
wherein
the
photoresist
is
spun-on
the
additional
semiconductor
layers
and
the
minimum
depth
of
the
material
removal
corresponds
to
a
sum
of
the
total
thickness
(b)
of
the
semiconductor
layers
and
the
grating
trench
depth
(a).
Verfahren
nach
Anspruch
1,
dadurch
gekennzeichnet,
daß
der
Photolack
auf
eine
oberhalb
der
Gitterstruktur
des
Halbleiterwafers
aufgebrachte
Halbleiterschichtenfolge
der
Gesamtdicke
(b)
aufgeschleudert
wird,
und
daß
der
mittels
Ätzverfahren
auf
der
xz-Ebene
vorzunehmende
Materialabtrag
gleicher
Tiefe
eine
Mindesttiefe
aufweist,
die
aus
der
Summe
der
Dicken
der
Halbleiterschichtenfolge
(b)
und
der
Gittergrabentiefe
(a)
resultiert.
EuroPat v2
A
pyramidal
etched
trench
whose
depth
is
determined
by
the
dimensioning
of
the
membrane
and
amounts
to
a
few
hundred
micrometers
arises
under
the
membrane
as
a
result
of
the
etching
process.
Durch
den
Ätzprozeß
entsteht
eine
pyramidenförmige
Ätzgrube
unter
der
Membran,
deren
Tiefe
durch
die
Dimensionierung
der
Membran
determiniert
ist
und
einige
hundert
Mikometer
beträgt.
EuroPat v2