Translation of "Semiconductor array" in German
In
a
further
embodiment
not
shown,
a
microlens
array
is
arranged
in
front
of
the
semiconductor
array
104
.
In
einer
nicht
dargestellten
weiteren
Ausführungsform
wird
dem
Halbleiterarray
104
ein
Mikrolinsenarray
vorgeordnet.
EuroPat v2
The
recording
medium
4
can,
as
illustrated
above,
be
a
semiconductor
array.
Das
Aufnahmemedium
4
kann,
wie
obig
dargestellt,
ein
Halbleiterarray
sein.
EuroPat v2
The
density
of
the
individual
emitter
elements
on
the
semiconductor
array
preferably
varies.
Die
Dichte
der
Einzelemitterelemente
auf
dem
Halbleiterarray
ist
bevorzugt
unterschiedlich.
EuroPat v2
In
a
further
embodiment
of
the
semiconductor
array
of
the
invention,
a
different
interference
current
path
is
closed
internally
in
the
array.
In
einer
weiteren
Ausführungsform
der
erfindungsgemäßen
Halbleiteranordnung
wird
ein
anderer
Störstrompfad
intern
in
der
Anordnung
geschlossen.
EuroPat v2
This
problem
is
solved
in
accordance
with
the
present
invention
by
creating
a
semiconductor
array
having
the
features
of
claim
1
.
Dieses
Problem
wird
erfindungsgemäß
durch
die
Schaffung
einer
Halbleiteranordnung
mit
den
Merkmalen
des
Patentanspruchs
1
gelöst.
EuroPat v2
It
is
also
conceivable
to
arrange
the
semiconductor
array
104
movable
with
respect
to
the
imaging
optics
108,
114
.
Weiterhin
ist
denkbar,
das
Halbleiterarray
104
gegenüber
der
Abbildungsoptik
108,
114
verschieblich
anzuordnen.
EuroPat v2
The
arrangement
of
the
pattern
elements
in
the
illumination
pattern
preferably
corresponds
to
the
arrangement
of
the
individual
emitter
elements
on
the
semiconductor
array.
Die
Anordnung
der
Musterelemente
in
dem
Beleuchtungsmuster
entspricht
bevorzugt
der
Anordnung
der
Einzelemitterelemente
auf
dem
Halbleiterarray.
EuroPat v2
Imaging
objective
and
semiconductor
array
are
preferably
arranged
mutually
movable
to
image
different
subsets
of
individual
emitter
elements.
Abbildungsobjektiv
und
Halbleiterarray
sind
vorzugsweise
zueinander
verschieblich
angeordnet,
um
unterschiedliche
Teilmengen
von
Einzelemitterelementen
abzubilden.
EuroPat v2
The
structure
of
the
illumination
pattern
is
thus
directly
determined
by
the
arrangement
of
the
individual
emitter
elements
on
the
semiconductor
array.
Die
Struktur
des
Beleuchtungsmusters
ist
damit
direkt
durch
die
Anordnung
der
Einzelemitter
auf
dem
Halbleiterarray
vorgegeben.
EuroPat v2
The
semiconductor
array
preferably
comprises
a
large
number
of
at
least
a
thousand,
ten
thousand,
or
a
hundred
thousand
individual
emitter
elements.
Das
Halbleiterarray
weist
bevorzugt
eine
große
Anzahl
von
mindestens
tausend,
zehntausend
oder
hunderttausend
Einzelemitterelementen
auf.
EuroPat v2
A
situation
of
this
type
is
shown
in
FIGS.
1a
and
1b,
which
each
show
a
diagrammatic
cross-sectional
view
of
a
MOS
semiconductor
array,
where
in
each
case
two
circuit
paths
7a
and
7b
are
mounted
on
a
field
oxide
layer
2
generated
in
a
semiconductor
element
1
and
comprise
aluminum.
Eine
solche
Situation
zeigen
die
Figuren
1a
und
1b,
die
jeweils
eine
schematische
Querschnittsansicht
einer
MOS-Halbleiteranordnung
zeigen,
wonach
jeweils
zwei
Leitbahnen
7a
und
7b
auf
einer
in
einem
Halbleiterkörper
1
erzeugten
Feldoxidschicht
2
aufgebaut
sind
und
aus
Aluminium
bestehen.
EuroPat v2
The
object
of
the
invention
is
to
provide
a
method
for
manufacture
of
an
integrated
MOS
semiconductor
array
for
the
low-frequency
range
in
which
the
aforementioned
parasitic
capacitances
and
surface
leakage
currents
no
longer
occur.
Die
Aufgabe
der
Erfindung
besteht
daher
darin,
ein
Verfahren
zur
Herstellung
einer
integrierten
MOS-Halbleiteranordnung
für
den
Niederfrequenzbereich
anzugeben,
bei
dem
die
oben
erwähnten
parasitären
Kapazitäten
und
Oberflächenleckströme
nicht
mehr
auftreten.
EuroPat v2
The
result
is
a
substantial
increase
in
circuit
gain,
so
that
production
costs
for
the
semiconductor
array
are
reduced
considerably.
Hierdurch
erhöht
sich
wesentlich
die
Schaltungsausbeute,
so
daß
sich
die
Fertigungskosten
für
die
Halbleiteranordnung
beträchtlich
verringern.
EuroPat v2
The
HMDS-charged
carrier
gas
flows
through
a
recipient
in
which
germination
proper
of
the
semiconductor
array
passivated
with
the
protective
layer
takes
place
takes
place.
Das
mit
HMDS
beladene
Trägergas
strömt
durch
einen
Rezipienten,
in
dem
die
eigentliche
Bekeimung
der
mit
der
Schutzschicht
passivierten
Halbleiteranordnung
erfolgt.
EuroPat v2
German
Published,
Non-Prosecuted
Application
DE-OS
No.
26
54
419
discloses
circuit
configurations
for
voltage
limitation
on
electric
conductors,
in
which
a
controllable
path
of
a
semiconductor
array,
in
particular
the
collector-to-emitter
path
of
a
transistor,
is
disposed
between
the
conductor
to
be
protected
and
reference
potential.
Aus
der
DE-OS
26
54
419
sind
Schaltungsanordnungen
zur
Spannungsbegrenzung
auf
elektrischen
Leitern
bekannt,
bei
denen
eine
steuerbare
Strecke
einer
Halbleiteranordnung,
insbesondere
die
Kollektor-Emitter-Strecke
eines
Transistors
zwischen
dem
zu
schützenden
Leiter
und
dem
Bezugspotential
angeordnet
ist.
EuroPat v2
A
semiconductor
array
in
a
CMOS
technology
is
described
in
which
the
gate
electrodes
are
of
p+
-doped
polysilicon
in
the
case
of
p-channel
transistors
and
of
n+
-doped
polysilicon
in
the
case
of
n-channel
transistors.
Es
wird
eine
Halbleiteranordnung
in
einer
CMOS-Technologie
beschrieben,
bei
der
die
Gate-Elektroden
bei
p-Kanal-Transistoren
aus
p?-dotiertem
Polysilizium
und
bei
n-Kanal-Transistoren
aus
n?-dotiertem
Polysilizium
bestehen.
EuroPat v2