Translation of "Junctional zone" in German

Objective: We recently identified distinct patterns of abnormal fundus autofluorescence (FAF) in the junctional zone of geographic atrophy (GA) (BJO 2005;89:874-8).
Ziel: Wir haben neulich ein Klassifikationssystem für verschiedene Muster abnormaler Fundus-Autofluoreszenz (FAF) im Randbereich geographischer Atrophien (GA) entwickelt (BJO 2005;89:874-8).
ParaCrawl v7.1

Results: Phenotypic types based on AF patterns in the junctional zone of GA included focal, diffuse, band and patchy homogenous pattern of abnormal AF while the enlargement or the development of new GA was confined to areas with elevated AF at baseline.
Ergebnisse: Die phänotypische Klassifikation umfaßt u.a. fokale, diffuse, bandförmige und flächig erhöhte AF im Randbereich, wobei eine Vergrößerung oder die Entstehung neuer GA zumeist auf Areale mit vorher vermehrter AF begrenzt war.
ParaCrawl v7.1

This zone 7 corresponds to about the space charge zone of thyristor 1 can expand starting from the pn junction between the zones 5 and 6 into zone 7.
Diese Zone 7 bewirkt, daß sich die Raumladungszone des Thyristors 1 ausgehend vom pn-Übergang zwischen den Zonen 5 und 6 bis in die Zone 7 ausbreiten kann.
EuroPat v2

The electrons and holes that contribute to the electric current are, however, only those which are formed in a zone beneath the p-n junction, which zone is limited by the diffusion length of the charge carriers, which is of the order of approximately 50 ?m, so that charge carriers produced at a relatively great depth in the wafer especially by light in the infrared region do not contribute to the tappable electric current.
Es tragen aber nur solche Elektronen und Löcher zum elektrischen Strom bei, die in einer Zone unterhalb des pn-Überganges gebildet werden, die durch die Diffusionslänge der Ladungsträger in der Grössenordnung von etwa 50 um begrenzt wird, so dass insbesondere durch Lichtanteile im infraroten Bereich in grösserer Tiefe des Scheibchens erzeugte Ladungsträger nicht mehr zum abgreifbaren elektrischen Strom beitragen.
EuroPat v2

The pn junction between the zone 9 and the p-base layer 2 is bridged by a conductive coating 13.
Der PN-Übergang zwischen der Zone 9 und der P-Basisschicht 2 wird durch eine leitende Belegung 13 überbrückt.
EuroPat v2

Since the region 20 is connected to the cathode portion 5a, there occurs an emitter short circuit SKa which can be controlled by way of the terminal G and which, given the existence of the channel 26, bridges the pn junction between the zone 1b and the p-base layer 2.
Da das Gebiet 20 mit dem Kathodenteil 5a verbunden ist, ergibt sich ein über G steuerbarer Emitterkurzschluß SKa, der bei vorhandenem Inversionskanal 26 den PN-Übergang zwischen der Zone 1 b und der P-Basisschicht 2 überbrückt.
EuroPat v2

With this polarity, the first thyristor section is biased in the flipping direction and the pn-junction between zones 3 and 4 is cut off.
Mit dieser Polarität ist der erste Teilthyristor in Kipprichtung vorgespannt und der pn-Übergang zwischen den Zonen 3 und 4 sperrt.
EuroPat v2

At the same time, zone 2 emits negative charge carriers which move toward the pn-junction between zones 3 and 4.
Gleichzeitig emittiert die Zone 2 negative Ladungsträger, die sich zum pn-Übergang zwischen den Zonen 3 und 4 bewegen.
EuroPat v2

The auxiliary zone 10 is likewise inoperative, since the pn-junction between the zone 10 and the zone 4 is blocked.
Die Hilfszone 10 ist ebenso außer Funktion, da der pn-Übergang zwischen dieser und der Zone 4 gesperrt ist.
EuroPat v2

It is evident that the second thyristor section will now be biased in the flipping direction, i.e. the pn-junction between the zones 7 and 4 will be blocked.
Es ist ersichtlich, daß nunmehr der zweite Teilthyristor in Kipprichtung vorgespannt ist, das heißt, der pn-Übergang zwischen den Zonen 7 und 4 ist gesperrt.
EuroPat v2

The auxiliary zone emits positive charge carriers into the zone 4, since the pn-junction between zone 10 and zone 4 is now poled in the forward direction.
Diese emittiert positive Ladungsträger in die Zone 4, da nun der pn-Übergang zwischen der Zone 10 und der Zone 4 in Durchlaßrichtung gepolt ist.
EuroPat v2

The pn-junction between the zones 7 and 4 is therefore biased in the flow direction and the second thyristor section is fired.
Damit wird der pn-Übergang zwischen den Zonen 7 und 4 in Durchlaßrichtung vorgespannt und der zweite Teilthyristor zündet.
EuroPat v2

Accordingly, the blocked p-n junction between zones 6 and 8 is biased in the conducting direction and the thyristor can fire.
Damit wird der zwischen den Zonen 6 und 8 liegende, gesperrte pn-Übergang in Durchlaßrichtung vorgespannt und der Thyristor kann zünden.
EuroPat v2

The thyristor 1 is fired by biasing the p-n junction between zones 8 and 9 in the forward conducting direction.
Der Thyristor 1 kann gezündet werden, indem der pn-Übergang zwischen den Zonen 8 und 9 in Durchlaßrichtung vorgespannt wird.
EuroPat v2

In the embodiment, the junction 9 is a p+ p junction whose p+ zone 10, like the semiconductor zone 4, is covered by an antireflection coating 11.
Im Ausführungsbeispiel ist der Übergang 9 ein p + p-Übergang, dessen ein Halbleiterzone 10 ebenso wie die Halbleiterzone 4 von einer Antireflexschicht (11) bedeckt ist.
EuroPat v2

The pn-junctions between the zones 9 and the zone 7 are referenced 13, the pn-junctions between the zones 10 and the zone 7 are referenced 12, and the pn-junction between the zones 1 and 7 is referenced 8.
Die pn-Übergänge zwischen den Zonen 9 und der Zone 7 sind mit 13, die pn-Übergänge zwischen den Zonen 10 und der Zone 7 sind mit 12 und pn-Ubergang zwischen den Zonen 1 und 7 ist mit 8 bezeichnet.
EuroPat v2

By embedding the pn-junction in two zones 2a, 2b containing aluminum, the absorption of the emitted radiation is greatly reduced.
Durch die Einbettung des pn-Übergangs in zwei aluminiumhaltige Zonen wird die Absorption der emittierten Strahlung stark reduziert.
EuroPat v2

The invention concerns a tube-pouch wrap with an opening accessory for piece-goods, comprising an envelope comprised of a planar, foldable wrapping material and a fin wherein two edge-strips of the wrapping material are connected together by a peelable cold-seal at their inner sides within a junction zone.
Die Erfindung betrifft eine Schlauchbeutelpackung mit Öffnungshilfe für stückiges Packungsgut mit einer Hülle, die aus einem flächigen, faltbaren Verpackungsmaterial gebildet ist und die eine Flosse aufweist, in der zwei streifenförmige Randbereiche des Verpackungsmaterials an ihren Innenseiten innerhalb eines Verbindungsbereichs durch eine peelfähige Kaltsiegelung miteinander verbunden sind.
EuroPat v2

A reduction of the emitter efficiency of the emitter structure can be achieved in the case of an n-junction drift zone by increasing the dopant concentration in front of the pn-junction formed by drift zone and emitter structure.
Eine Reduktion der Emittereffizienz der Emitterstruktur kann im Fall eines n-dotierten Driftbereichs durch eine Erhöhung der Dotierstoffkonzentration vor dem durch Driftbereich und Emitterstruktur gebildeten pn-Übergang erzielt werden.
EuroPat v2

In the circuit structure of the invention, the main current through the bipolar power component flows via the pn-junction drift zone/emitter structure to the first contact or through the drift zone to the second contact dependent on a control signal.
In der erfindungsgemäßen Schaltungsstruktur fließt der Hauptstrom durch das bipolare Leistungsbauelement in Abhängigkeit eines Steuersignals über den pn-Übergang Driftbereich/Emitterstruktur zu dem ersten Kontakt oder durch den Driftbereich zu dem zweiten Kontakt.
EuroPat v2

If a blocking bias or blocking voltage is applied to the transistor via the source terminal S and the drain terminal D, then a space charge zone builds up at the p-n junctions between the zones 9 and 14.
Wird an den Transistor über den Sourceanschluß S und den Drainanschluß D eine Sperrspannung angelegt, so baut sich an den pn-Übergängen zwischen den Zonen 9 und 14 eine Raumladungszone auf.
EuroPat v2