Translation of "Hole current" in German
Switch
to
editing
mode
to
edit
the
current
hole.
Schaltet
in
den
Bearbeitungsmodus,
um
die
aktuelle
Bahn
zu
bearbeiten.
KDE4 v2
Reset
the
current
hole
to
its
starting
position,
so
that
you
can
start
over.
Setzt
die
Bahn
in
die
Ausgangsposition
zurück,
damit
Sie
neu
beginnen
können.
KDE4 v2
Go
to
a
random
hole
from
the
current
course.
Geht
zu
einer
zufällig
ausgewählten
Bahn
des
Platzes.
KDE4 v2
The
hole
current
injected
into
the
photoconductor
101
is
thus
reduced.
Dadurch
wird
der
in
den
Photoleiter
101
injizierte
Löcherstrom
reduziert.
EuroPat v2
The
reverse
hole
current
I1
is
typically
absorbed
by
the
source
electrodes
10
of
the
outermost
cells.
Der
Löcherrückstrom
I1
wird
typischerweise
von
den
Sourceelektroden
10
der
äußersten
Zellen
abgesaugt.
EuroPat v2
In
addition,
the
fraction
of
the
hole
current
in
the
total
current
is
more
than
10%.
Zudem
beträgt
der
Anteil
des
Löcherstroms
am
Gesamtstrom
mehr
als
10%.
EuroPat v2
A
large
lateral
expanse
of
the
axuiliary
emitter
1
always
results
in
a
large
lateral
hole
current.
Eine
große
laterale
Ausdehnung
des
Hilfsemitters
1
hat
immer
einen
großen
lateralen
Löcherstrom
zur
Folge.
EuroPat v2
The
electric
current
does
not
flow
in
the
contact
hole
with
uniform
current
density
from
the
aluminum
into
the
diffused
region.
Der
elektrische
Strom
fließt
im
Kontaktloch
nicht
mit
homogener
Stromdichte
vom
Aluminium
in
den
diffundierten
Bereich.
EuroPat v2
This
increases
the
resistance,
the
SOI
bypass
resistance,
that
has
to
be
overcome
for
hole
current
56
.
Dadurch
wird
der
zu
überwindende
Widerstand,
der
SOI-Bypass-Widerstand,
für
den
Löcherstrom
56
erhöht.
EuroPat v2
Stability
is
obtained
when
the
effect
of
the
electron
current
prevails
over
that
of
the
hole
current.
Stabilität
wird
dann
erzielt,
wenn
die
Wirkung
des
Elektronenstroms
die
des
Löcherstroms
überwiegt.
EuroPat v2
The
entire
hole
current
from
this
area
must
flow
away
laterally
through
the
p
trigger
or
control
base
zone
6
to
the
first
shorting
holes
11
of
the
main
emitter
2.
Der
gesamte
Löcherstrom
aus
diesem
Gebiet
muß
lateral
durch
die
Steuerbasiszone
6
zu
den
ersten
Shortungakanälen
11
des
Hauptemitters
2
abfließen.
EuroPat v2
The
non-linear
element
D1
first
effects
that
majority
charge
carriers
that
represent
a
hole
current
can
be
carried
off
to
ground
Vss
in
low-impedance
fashion
and,
second,
prevents
that
the
base
charge
of
the
parasitic
lateral
bipolar
transistor
B1
can
be
built-up
at
the
base
BL
via
a
substrate
contact
(not
shown).
Das
nichtlineare
Element
D1
bewirkt
einerseits,
daß
Majoritätsladungsträger,
die
einen
Löcherstrom
darstellen,
niederohmig
nach
Masse
V
SS
abgeführt
werden
können
und
es
verhindert
andererseits,
daß
die
Basisladung
des
parasitären
lateralen
Bipolartransistors
B1
über
einen
nicht
eingezeichneten
Substratkontakt
an
der
Basis
B
L
aufgebaut
werden
kann.
EuroPat v2
It
has
been
discovered
during
investigations
of
the
breakdown
behavior
that,
at
the
beginning
of
the
avalanche
multiplication
of
the
channel
current,
the
hole
current
flowing
off
to
the
substrate
effects
a
voltage
drop.
Bei
Untersuchungen
des
Durchbruchverhaltens
wurde
festgestellt,
daß
bei
Einsetzen
der
Lawinenmultiplikation
vom
Kanalstrom
der
zum
Substrat
abfließende
Löcherstrom
einen
Spannungsabfall
bewirkt.
EuroPat v2
Because
of
the
essentially
horizontally
extending
reverse
hole
current
I1
in
the
edge
region
RB
of
the
semiconductor
component,
there
can
be
a
voltage
drop
across
the
diode
D1
between
the
base
zone
8
and
source
zone
9
in
the
outer
cells
of
the
cell
array.
Aufgrund
des
im
wesentlichen
horizontal
verlaufenden
Löcherrückstromes
I1
im
Randbereich
RB
des
Halbleiterbauelementes
kann
es
zu
einem
Spannungsabfall
an
der
Diode
D1
zwischen
Basiszone
8
und
Sourcezone
9
in
den
äußeren
Zellen
des
Zellenfeldes
kommen.
EuroPat v2
By
providing
the
shaded
source
zone
regions
9'
according
to
the
invention,
which
are
disposed
above
the
current
path
of
the
reverse
hole
current
I1,
the
diode
D1
is
prevented
from
switching
through,
and
so
also
is
the
parasitic
transistor
T1.
Mittels
der
erfindungsgemäßen
abgeschatteten
Sourcezonenbereiche
9',
die
oberhalb
des
Strompfades
des
Löcherrückstromes
I1
angeordnet
sind,
wird
das
Durchschalten
dieser
Diode
D1
und
damit
des
parasitären
Transistors
T1
unterbunden.
EuroPat v2
The
entire
reverse
hole
current
I1
can
thus
be
absorbed
by
the
corresponding
source
electrodes
10,
as
a
result
of
which
the
voltage
endurance
of
the
entire
semiconductor
component
is
also
maintained
in
the
edge
region
RB.
Der
gesamte
Löcherrückstrom
I1
kann
so
von
den
entsprechenden
Sourceelektroden
10
abgesaugt
werden,
wodurch
die
Spannungsfestigkeit
des
gesamten
Halbleiterbauelementes
auch
im
Randbereich
RB
erhalten
bleibt.
EuroPat v2