Translation of "Gate oxide" in German
One
also
designates
the
thinner
areas
as
gate
oxide,
and
the
thicker
areas
as
field
oxide
areas.
Man
bezeichnet
die
dünneren
Bereiche
auch
als
Gateoxid,
die
dickeren
als
Feldoxidbereiche.
EuroPat v2
The
gate
oxide
layer
25
is
removed
in
the
region
of
the
base
zone
28,
31.
Im
Bereich
der
Basiszone
28,
31
wird
die
Gateoxidschicht
25
entfernt.
EuroPat v2
The
contaminated
gate
oxide
or
mask
surface
is
removed
in
a
short
etching
step.
In
einem
kurzen
Ätzschritt
wird
die
verunreinigte
Gateoxid-
bzw.
Maskenoberfläche
entfernt.
EuroPat v2
This
eliminates
the
need
for
a
gate
electrode
and
gate
oxide.
Dadurch
kann
das
Erfordernis
einer
Gate-Elektrode
und
des
Gateoxids
beseitigt
werden.
EuroPat v2
This
increase
in
the
electric
field
strength
leads
to
a
reduction
in
the
reliability
of
the
gate
oxide.
Diese
Erhöhung
der
elektrischen
Feldstärke
führt
zu
einer
Reduktion
der
Zuverlässigkeit
des
Gateoxids.
EuroPat v2
Thermally
grown
silicon
dioxide
is
preferentially
used
as
the
gate
oxide
14
.
Als
Gateoxid
14
wird
bevorzugt
thermisch
aufgewachsenes
Siliziumdioxid
verwendet.
EuroPat v2
The
gate
electrodes
5
are
insulated
from
the
semiconductor
body
1
by
a
thin
gate
oxide
7
.
Die
Gateelektroden
5
sind
durch
ein
dünnes
Gateoxid
7
vom
Halbleiterkörper
1
isoliert.
EuroPat v2
Thermally
grown
silicon
dioxide
is
preferably
used
as
the
gate
oxide.
Als
Gateoxid
wird
bevorzugt
thermisch
aufgewachsenes
Siliziumdioxid
verwendet.
EuroPat v2
The
surface
of
the
sides
is
provided
with
gate
oxide.
Die
Oberfläche
der
Flanken
ist
mit
Gateoxid
versehen.
EuroPat v2
A
gate
electrode
is
provided
which
covers
the
opposite
surface
of
the
gate
oxide.
Es
ist
eine
Gateelektrode
vorgesehen,
die
die
gegenüberliegenden
Oberflächen
des
Gateoxids
bedeckt.
EuroPat v2
A
second
gate
oxide
217
is
formed
on
uncovered
silicon
areas
by
thermal
oxidation.
Durch
thermische
Oxidation
wird
ein
zweites
Gateoxid
217
an
freiliegenden
Siliziumflächen
gebildet.
EuroPat v2
The
second
gate
oxide
217
is
formed
to
a
layer
thickness
of
5
nm.
Das
zweite
Gateoxid
217
wird
in
einer
Schichtdicke
von
5
nm
gebildet.
EuroPat v2
The
quality
of
the
gate
oxide
is
essentially
characterized
by
the
defect
density
and
the
breakdown
field
strength.
Die
Gateoxidqualität
ist
im
wesentlichen
durch
die
Defektdichte
und
die
Durchbruchfeldstärke
charakterisiert.
EuroPat v2
In
particular,
electrostatic
charges
that
could
lead
to
punctures
in
the
gate
oxide
are
avoided.
Insbesondere
werden
elektrostatische
Aufladungen
vermieden,
die
zu
Durchbrüchen
im
Gateoxid
führen
könnten.
EuroPat v2
The
gate
oxide
12
is
formed
to
a
thickness
of,
for
example,
5
nm.
Das
Gateoxid
12
wird
in
einer
Dicke
von
zum
Beispiel
5
nm
gebildet.
EuroPat v2
The
gate
electrode
is
separated
from
the
silicon
substrate
1
by
means
of
a
gate
oxide
layer
4.
Dabei
ist
die
Gate-Elektrode
3
vom
Siliziumsubstrat
1
durch
die
Gateoxidschicht
4
getrennt.
EuroPat v2
This
preserves
the
quality
of
the
gate
oxide
and
avoids
possible
sources
of
degradation.
Dadurch
wird
die
Güte
der
Gateoxidqualität
bewahrt
und
eine
mögliche
Degradationsursache
vermieden.
EuroPat v2