Translation of "Depletion zone" in German
The
cobalt
depletion
zone
resides
in
the
body
and
not
in
the
interphase.
Dabei
ist
die
Cobalt-verarmte
Zone
im
Grundkörper
und
nicht
in
der
Übergangszone
angesiedelt.
EuroPat v2
A
depletion
zone
can
be
produced
practically
in
the
entire
bulk
material.
Eine
Verarmungszone
kann
praktisch
im
gesamten
Bulkmaterial
erzeugt
werden.
EuroPat v2
A
depletion
zone
is
thereby
produced
within
the
substrate.
Dadurch
wird
eine
Verarmungszone
innerhalb
des
Substrates
erzeugt.
EuroPat v2
The
depletion
zone
is
often
referred
to
as
the
volume
charge
zone
or
blocking
layer.
Die
Verarmungszone
wird
oft
auch
als
Raumladungszone
oder
Sperrschicht
bezeichnet.
EuroPat v2
The
vertical
extent
of
said
depletion
zone
can
be
set
inter
alia
by
a
control
voltage.
Die
vertikale
Ausdehnung
dieser
Verarmungszone
kann
unter
anderem
durch
eine
Steuerspannung
eingestellt
werden.
EuroPat v2
This
heavy
doping
produces
an
extremely
narrow
depletion
zone
similar
to
that
in
the
Zener
diode.
Diese
starke
Dotierung
bewirkt
wie
bei
der
Z-
Diode
eine
extrem
schmale
Raumladungszone.
ParaCrawl v7.1
On
the
other
hand,
the
silicon
layer
has
to
be
sufficiently
thick
for
avoiding
a
continuous
depletion
zone
in
the
substrate
area.
Andererseits
muß
die
Siliziumschicht
dick
genug
sein,
um
im
Substratgebiet
eine
durchgehende
Verarmungszone
zu
vermeiden.
EuroPat v2
In
one
advantageous
embodiment
of
the
invention,
the
absorption
region
becomes
the
depletion
zone
when
the
reverse
voltage
is
present.
Bei
einer
vorteilhaften
Ausbildungsform
der
Erfindung
wird
der
Absorptionsbereich
bei
Anliegen
der
Sperrspannung
zur
Verarmungszone.
EuroPat v2
Therefore,
this
part
of
the
bulk
material
is
also
utilized
as
an
absorption
region
and
becomes
the
depletion
zone.
Auch
dieser
Teil
des
Bulkmaterials
wird
somit
als
Absorptionsbereich
genutzt
und
wird
zur
Verarmungszone.
EuroPat v2
The
extent
of
the
depletion
zone
in
the
substrate
is
principally
influenced
by
the
doping
within
the
substrate.
Die
Ausdehnung
der
Verarmungszone
im
Substrat
wird
hauptsächlich
beeinflusst
durch
die
Dotierung
innerhalb
des
Substrats.
EuroPat v2
In
specific
embodiments,
the
channel
region
can
also
be
bounded
by
a
further
depletion
zone
in
the
vertical
direction.
Bei
speziellen
Ausführungsformen
kann
das
Kanalgebiet
auch
durch
eine
weitere
Verarmungszone
in
vertikaler
Richtung
begrenzt
werden.
EuroPat v2
Tests
have
shown
that
the
reduction
of
the
depletion
zone
in
front
of
the
measuring
face
can
be
achieved
by
a
so-called
recessing
distance,
through
which
the
measuring
face
of
the
measuring
electrode
is
set
back
behind
the
ground-off
face.
Versuche
haben
ergeben,
daß
sich
eine
Verringerung
der
Verarmungszone
vor
der
Meßfläche
durch
eine
sog.
Recessionsstrecke
erreichen
läßt,
um
die
die
Meßfläche
der
Meßelektrode
hinter
der
Abschliff-Fläche
zurückversetzt
ist.
EuroPat v2
If
therefore
the
beam
impinges
exactly
in
the
center
of
the
square
gold
covering
layer
exactly
superimposed
on
the
depletion
zone
and
the
substrate,
this
preferably
being
made
possible
by
suitable
adjustment
in
the
initial
position
of
the
machines
3
and
4,
the
four
current
fractions
will
be
equal
in
magnitude
to
each
other.
Wenn
der
Strahl
also
genau
in
der
Mitte
der
mit
der
Verarmungszone
und
dem
Substrat
deckungsgleichen,
quadratischen
Gold-Deckschicht
auftrifft,
was
vorzugsweise
durch
entsprechende
Justierung
der
Anordnung
in
der
Ausgangsposition
der
Maschinen
3
und
4
der
Fall
ist,
sind
die
vier
Teilströme
untereinander
gleich
groß.
EuroPat v2
This
semiconductor
region
accommodates,
in
an
active
area
of
the
component
in
the
blocking
state,
a
depletion
zone
with
a
vertical
(i.e.
extending
substantially
perpendicular
to
the
surface
of
the
semiconductor
region)
extension
dependent
upon
the
blocking
voltage,
and
is
thus
provided
as
the
drift
region.
Dieses
Halbleitergebiet
nimmt
in
einem
unipolar
aktiven
Bereich
des
Bauelements
im
Sperrzustand
eine
Verarmungszone
mit
einer
von
der
Sperrspannung
abhängigen
vertikalen,
d.h.
im
wesentlichen
senkrecht
zur
Oberfläche
des
Halbleitergebiets
verlaufenden,
Ausdehnung
auf
und
ist
damit
als
Driftgebiet
vorgesehen.
EuroPat v2
One
particular
advantage
of
the
larger
lateral
extension
of
the
junction
termination
as
compared
to
the
vertical
extension
of
the
depletion
zone
consists
in
the
fact
that
the
breakdown
voltage
of
the
semiconductor
component
is
much
less
sensitive
to
fluctuations
in
doping
or
in
general
to
the
charge
carrier
concentration
in
the
junction
termination.
Ein
besonderer
Vorteil
der
größeren
lateralen
Ausdehnung
des
Randabschlusses
gegenüber
der
vertikalen
Ausdehnung
der
Verarmungszone
besteht
darin,
daß
die
Durchbruchsspannung
des
Halbleiterbauelements
deutlich
unempfindlicher
gegenüber
Schwankungen
in
der
Dotierung
oder
allgemein
der
Ladungsträgerkonzentration
in
dem
Randabschluß
ist.
EuroPat v2
The
cobalt
depletion
at
the
surface
of
the
body
may
be
realized,
as
described
above,
by
a
metallurgical
sintering
method,
whereby
the
depth
of
the
depletion
zone
into
the
body
will
be
5
?m
to
50
?m
and
will
lie
in
a
preferred
embodiment
in
the
range
of
10
?m
to
20
?m.
Die
Co-Verarmung
an
der
Oberfläche
des
Grundkörpers
kann,
wie
erwähnt,
durch
ein
metallurgisches
Sinterverfahren
realisiert
werden,
wobei
die
Tiefe
der
verarmten
Zone
im
Grundkörper
im
Bereich
von
5
bis
50µm,
in
bevorzugter
Weise
im
Bereich
von
10
bis
20µm,
liegt.
EuroPat v2
By
adjusting
the
vertical
extension
and/or
the
doping
profile
of
the
junction
termination,
the
extension
of
the
depletion
zone
of
the
p-n
junction
formed
by
junction
termination
and
drift
region,
and
thus
the
expansion
of
the
electric
field
at
the
surface,
can
be
further
adapted
in
order
to
increase
even
further
the
breakdown
resistance
and
adjustment
tolerance
of
the
semiconductor
component.
Durch
Einstellen
der
vertikalen
Ausdehnung
und/oder
des
Dotierprofils
des
Randabschlusses
kann
die
Ausdehnung
der
Verarmungszone
des
mit
Randabschluß
und
Driftgebiet
gebildeten
p-n-Übergangs
und
damit
die
Aufweitung
des
elektrischen
Feldes
an
der
Oberfläche
weiter
angepaßt
werden,
um
die
Durchbruchsfestigkeit
und
die
Einstelltoleranz
des
Halbleiterbauelements
noch
weiter
zu
erhöhen.
EuroPat v2
The
vertical
extension--i.e.
oriented
substantially
perpendicular
to
surface
20
of
semiconductor
area
2--of
depletion
zone
21
is
dependent
on
a
blocking
voltage
applied
in
active
area
3
by
means
of
electrodes
(not
shown).
Die
vertikale,
das
heißt
im
wesentlichen
senkrecht
zur
Oberfläche
20
des
Halbleitergebietes
2
gerichtete,
Ausdehnung
der
Verarmungszone
21
ist
abhängig
von
einer
im
aktiven
Bereich
3
über
nicht
dargestellte
Elektroden
angelegten
Sperrspannung.
EuroPat v2
The
blocking
layer
of
Schottky
diode
structure
33
that
forms
beneath
contact
25
in
semiconductor
region
2
when
a
blocking
voltage
is
applied
constitutes
depletion
zone
21
in
the
active
region
of
the
semiconductor
component.
Die
sich
unterhalb
des
Kontakts
25
in
dem
Halbleitergebiet
2
bei
Anlegen
einer
Sperrspannung
ausbildende
Sperrschicht
der
Schottky-Dioden-Struktur
33
bildet
die
Verarmungszone
21
im
aktiven
Bereich
des
Halbleiterbauelements.
EuroPat v2
In
this
way,
the
depletion
zone
of
the
transistor
is
enlarged
in
the
epitaxial
layer
and
the
electric
fields
are
reduced
at
the
same
potential
differences.
Auf
diese
Weise
vergrößert
sich
die
Verarmungszone
des
Transistors
in
der
Epitaxieschicht
und
es
verringern
sich
die
elektrischen
Felder
bei
gleichen
Potentialdifferenzen.
EuroPat v2
Under
these
conditions,
if
a
defect
generates
electron/hole
pairs
inside
the
depletion
zone,
the
holes
are
pushed
into
the
bulk
of
the
substrate
by
the
electrical
field
and
the
electrons
are
drawn
to
the
semiconductor/solution
interface
where
they
can
react
with
the
positive
ions
in
the
solution
at
the
interface.
Wird
nun
unter
diesen
Bedingungen
eine
Fehlstelle
Elektronen-Lochpaare
innerhalb
der
Verarmungszone
erzeugt,
werden
die
Löcher
durch
das
elektrische
Feld
in
das
Halbleitermaterial
hine
i
ngestoßen,
während
die
Elektronen
zur
Grenzfläche
zwischen
dem
Halbleiter
und
der
Lösung
gezogen
werden,
wo
sie
mit
den
positiven
Ionen
in
der
Lösung
an
der
Grenzfläche
reagieren
können.
EuroPat v2