Translation of "Bias circuit" in German
In
detail,
the
interconnection
of
the
reference
bias
circuit
is
as
follows.
Im
einzelnen
ist
die
Verschaltung
der
Referenzvorspannungsschaltung
wie
folgt
vorzunehmen.
EuroPat v2
Moreover,
a
bias
circuit
for
the
gate
electrode
of
the
first
operating
transistor
AT
1
is
provided.
Weiterhin
ist
eine
Biasingschaltung
für
die
Gate-Elektrode
des
ersten
Arbeitstransistors
AT1
vorgesehen.
EuroPat v2
In
order
to
link
the
driver
stage
TR
to
a
reference
node
BK
in
potential
terms,
a
bias
circuit
BS
is
provided.
Um
die
Treiberstufe
TR
potentialmäßig
an
den
Bezugsknoten
BK
anzubinden,
ist
eine
Bias-Schaltung
BS
vorgesehen.
EuroPat v2
Furthermore,
it
is
preferred
for
a
bias
circuit
for
the
gate
electrode
of
the
first
operating
transistor
to
be
provided.
Weiterhin
ist
es
bevorzugt,
wenn
eine
Biasingschaltung
für
die
Gate-Elektrode
des
ersten
Arbeitstransistors
vorgesehen
ist.
EuroPat v2
A
second
terminal
of
the
fifth
p-channel
field
effect
transistor
P5
is
connected
to
a
first
terminal
of
the
fourth
p-channel
field
effect
transistor
P4
and
a
second
terminal
of
the
fourth
p-channel
field
effect
transistor
P4,
a
second
terminal
and
a
gate
terminal
of
the
fourth
n-channel
field
effect
transistor
N4
are
connected
to
the
gate
terminal
of
the
third
n-channel
field
effect
transistor
N3
and
in
common
form
the
output
of
the
reference
bias
circuit.
Ein
zweiter
Anschluß
des
fünften
p-Kanal-Feldeffektransistors
P5
ist
mit
einem
ersten
Anschluß
des
vierten
p-Kanal-Feldeffekttransistors
P4
verschaltet
und
ein
zweiter
Anschluß
des
vierten
p-Kanal-Feldeffekttransistors
P4,
ein
zweiter
Anschluß
und
ein
Gateanschluß
des
vierten
n-Kanal-Feldeffekttransistors
N4
ist
mit
dem
Gateanschluß
des
dritten
n-Kanal-Feldeffekttransistors
N3
verbunden
und
bilden
gemeinsam
den
Ausgang
der
Referenzvorspannungsschaltung.
EuroPat v2
The
bias
circuit
comprises
a
capacitance
C33
which
keeps
the
bias
voltage
on
the
gate
of
the
FET
T31
substantially
constant
relative
to
the
terminal
connected
to
the
input
21
and
which
is
periodically
charged
via
the
FET
T34
as
follows.
Die
Vorspannungsschaltung
umfaßt
eine
Kapazität
C33,
die
die
Vorspannung
am
Gate
des
FET
T31
weitgehend
konstant
gegenüber
dem
mit
dem
Eingang
21
verbundenen
Anschluß
hält
und
die
über
den
FET
T34
periodisch
auf
folgende
Weise
nachgeladen
wird.
EuroPat v2
Via
the
FET
T33,
also
comprising
a
bias
circuit
of
the
described
construction,
this
voltage
is
applied
to
the
lead
15
for
the
positive
supply
voltage
which,
therefore,
is
also
substantially
equal
to
three
times
the
switching
voltage
between
the
inputs
21
and
23.
Diese
Spannung
wird
über
den
FET
T33,
der
ebenfalls
eine
Vorspannungsschaltung
mit
dem
beschriebenen
Aufbau
aufweist,
der
Leitung
15
für
die
positive
Versorgungsspannung
zugeführt,
die
somit
ebenfalls
weitgehend
gleich
dem
Dreifachen
der
Schaltspannung
zwischen
den
Eingängen
21
und
23
ist.
EuroPat v2
This
can
be
assumed
since
the
compression
amplifier
and
the
reference
bias
circuit
are
situated
on
the
same
chip
and,
thus,
the
scatter
of
the
resistance
coatings
and
transistor
constants
is
slight.
Dies
kann
angenommen
werden,
da
sich
der
Kompressionsverstärker
und
die
Referenzvorspannungsschaltung
auf
demselben
Chip
befinden
und
so
die
Streuung
der
Widerstandsbeläge
und
Transistorskonstanten
gering
ist.
EuroPat v2
In
accordance
with
a
first
embodiment
of
a
bias-voltage
generating
circuit,
there
is
provided
a
voltage
divider
which
is
connected
to
the
supply
voltage,
advantageously
to
the
controlled
supply
voltage.
Eine
erste
Ausführungsform
für
eine
Vorspannungserzeugungsschaltung
wird
mit
einem
Spannungsteiler,
der
mit
der
Versorgungsspannung,
vorteilhafterweise
mit
der
geregelten
Versorgungsspannung,
verbunden
ist,
realisiert.
EuroPat v2
The
gate
potentials
Vbn
and
Vbp
can
be
picked
up
directly
at
the
gates
of
the
corresponding
p-channel
and
n-channel
current
mirror
of
this
bias
circuit.
Die
Gatepotentiale
Vbn
und
Vbp
können
direkt
an
den
Gates
der
entsprechenden
p-Kanal
und
n-Kanal-Stromspiegel
dieser
Biasschaltung
abgenommen
werden.
EuroPat v2
If
the
direct
voltage
level
at
the
base
lead
of
the
oscillator
transistor
T1
is
kept
at
a
fixed
potential
by
a
bias
circuit,
then
it
suffices
if
the
reference
potential
UREF
is
likewise
fixed.
Wenn
der
Gleichspannungspegel
am
Basisanschluß
des
Oszillatortransistors
T1
durch
eine
Bias-Schaltung
auf
einem
festen
Potential
gehalten
wird,
genügt
es,
wenn
das
Referenzpotential
UREF
ebenfalls
fest
ist.
EuroPat v2
In
a
further
preferred
embodiment
of
the
invention,
the
drain
terminals
of
the
switching
means
are
connected
to
a
bias
voltage
generating
circuit.
In
einer
weiteren,
bevorzugten
Ausführungsform
der
Erfindung
sind
die
Drain-Anschlüsse
der
Schaltmittel
an
eine
Vorspannungserzeugungsschaltung
angeschlossen.
EuroPat v2
The
bias
voltage
generating
circuit
9,
using
the
signals
delivered
to
it,
generates
four
bias
voltages
U
1,
U
2,
U
3
and
U
4
for
the
four
electrodes
disposed
beneath
the
seismic
mass
of
the
rotation
rate
sensor.
Die
Vorspannungserzeugungsschaltung
9
erzeugt
unter
Verwendung
der
ihr
zugeführten
Signale
vier
Vorspannungen
U
1,
U
2,
U
3
und
U
4
für
die
unterhalb
der
seismischen
Masse
des
Drehratensensors
angeordneten
vier
Elektroden.
EuroPat v2
In
this
case,
it
is
in
particular
preferred
for
the
bias
circuit
to
have
at
least
two
cascaded
field
effect
transistors,
whose
gate
electrodes
are
connected
to
the
gate
electrodes
of
the
first
and
second
operating
transistors,
respectively.
Dabei
ist
es
insbesondere
bevorzugt,
wenn
die
Biasingschaltung
zumindest
zwei
kaskadierte
Feldeffekttransistoren
aufweist,
deren
Gate-Elektroden
mit
den
Gate-Elektroden
der
ersten
bzw.
zweiten
Arbeitstransistoren
verbunden
sind.
EuroPat v2
Since
the
operating
transistor
AT
1
has
a
generally
higher
threshold,
because
of
the
bias
circuit,
this
implementation
is
expediently
also
used
for
the
control
transistor
ST
2
.
Da
der
Betriebstransistors
AT1
wegen
der
Biasingschaltung
eine
allgemein
höhere
Schwelle
hat,
wird
auch
für
den
Steuertransistors
ST2
zweckmäßigerweise
diese
Implantation
verwendet.
EuroPat v2