Übersetzung für "Semiconductor plate" in Deutsch

The camera is then housed as an integrated overall system on the surface of a semiconductor plate.
Die Kamera ist dann als integriertes Gesamtsystem auf der Fläche einer Halbleiterscheibe untergebracht.
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In the present manufacturing method, this implies a capacitor surface area on the semiconductor plate of approximately one thousandth of a square millimeter.
Beim vorliegenden Herstellungsverfahren bedeutet dies eine Kondensatorfläche auf dem Halbleiterplättchen von ungefähr einem Tausendstel Quadratmillimeter.
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A stationary or constant condition is attained when the thermal equilibrium has been reached between the semiconductor plate and the housing of the LED.
Steht das Halbleiterplättchen dann mit dem LED-Gehäuse in thermischem Gleichgewicht, ist der stationäre Zustand erreicht.
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The current paths 39 are disposed below the magnetic field comparator 3 in an insulation layer 16 applied to the semiconductor plate 22, and are insulated from the magnetic field comparator 3 by the insulating layer 19.
Die Leiterbahnen 39 befinden sich unterhalb des Magnetfeldkomparators 3 auf der auf das Halbleiterplättchen 22 aufgetragenen Isolationsschicht 16 und sind vom Magnetfeldkomparator 3 durch die Isolationsschicht 19 isoliert.
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An alternative embodiment is provided if the LED 11 is mounted, together with a separate heater, which may consist of a diode or a resistor in good thermal contact with the LED, possibly on the same semiconductor plate.
Eine andere Ausführungsform erhält man, wenn die Leuchtdiode 11 zusammen mit einem separaten Heizglied montiert wird, das aus einer Diode oder einem Widerstand besteht, die/der in gutem thermischen Kontakt mit der Leuchtdiode steht, beispielsweise, indem es auf derselben Halbleiterscheibe angeordnet ist.
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The term photovoltaic elements means, for example, solar cells with a semiconductor plate which in principle is of a double layer configuration, namely an upper negatively doped layer (for example silicon with phosphorus atoms) and a lower positively doped layer (boron atoms).
Unter photovoltaischen Elementen versteht man beispielsweise solare Zellen mit im Prinzip doppelschichtiger Halbleiterplatte, nämlich einer oberen negativ dotierten (beispielsweise Silizium mit Phosphor-Atomen) und einer unteren (Bor-Atomen) positiv dotierten Schicht.
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The semiconductor plate 22 includes inter alia two transistors 23 and 24, of which one is connected via the conductive path 21 to the magnetic coil 4, and supplies the premagnetization current Iv (FIG.
Das Halbleiterplättchen 22 enthält unter anderem zwei Transistoren 23, 24, von denen der einer über die Leiterbahn 21 mit der Magnetspule 4 verbunden ist und den Vormagnetisierungsstrom I v (Fig.
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A method according to claim 8, comprising prior to step 8.4 the additional step of applying an oxide layer to the respective first main surface of said first and of said second semiconductor plate.
Verfahren gemäß Anspruch 8 oder 9, das vor dem Schritt 8.4 ferner den Schritt des Aufbringens einer Oxidschicht (210) jeweils auf die ersten Hauptoberflächen der ersten und der zweiten Halbleiterscheibe aufweist.
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For this purpose at least one second semiconductor or glass plate must be connected to the monolithically integrated apparatus by adhesion or joining.
Hierfür muß wenigstens eine zweite Halbleiter- oder Glasscheibe durch Klebetechnik oder Fügetechnik mit der monolithisch integrierten Vorrichtung verbunden werden.
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The production (diffusion) method mentioned in the foregoing, which is preferred for the production of integrated circuits on a semiconductor plate, has the advantageous feature that the diffusion provides components with small layer thicknesses.
Das eingangs genannte, bevorzugt zu verwendende Herstel­lungs-(Diffusions-)Verfahren zur Herstellung von inte­grierten Schaltkreisen auf einem Halbleiterplättchen zeichnet sich dadurch aus, daß bei der Diffusion Bauele­mente mit geringen Schichtdicken entstehen.
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According to the Johnsen-Rahbeck effect, a force of attraction occurs when applying a voltage between a semiconductor plate and a metal plate, due to imcomplete point-like contact, which in turn influences the friction force in a relative movement.
Gemäß dem Johnsen-Rah­beckeffekt tritt beim Anlegen einer Spannung zwischen einer Halbleiterplatte und einer Metallplatte wegen nicht vollständiger, sondern nur punktueller Berührung eine Anziehungskraft auf, welche wiederum die Reibungs­kraft bei einer Relativbewegung beeinflußt.
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Then two metals having very different work functions of electrons are to be used for the two sides of the semiconductor plate, the work functions of electrons being selected so that the photovoltaic MIS contact has rectifying properties while the other MIS contact is non-rectifying.
Für die beiden Seiten der Halbleiterplatte sind dann zwei Metalle mit möglichst unterschiedlicher Elektronen-Austrittsarbeit zu verwenden, die so gewählt sind, daß der photovoltaische MIS-Kontakt gleichrichtende Eigenschaften aufweist, während der zweite MIS-Kontakt sperrschichtfrei ist.
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The semiconductor plate 22 with the magnetic field comparator 3 and the magnetic coil 4 can be provided in a conventional manner with electrical contacts and encapsulated in a housing.
Das Halbleiterplättchen 22 mit dem Magnetfeldkomparator 3 und der Magnetspule 4 kann in konventioneller Weise mit elektrischen Anschlüssen versehen und in ein Gehäuse eingekapselt werden.
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An electric schematic circuit diagram of the integrated circuit formed by the semiconductor plate 22 with a magnetic field comparator 3 and the magnetic coil 4 is shown in FIG.
Die elektrische Prinzipschaltung des durch das Halbleiterplättchen 22 gebildeten integrierten Schaltkreises mit dem Magnetfeldkomparator 3 und der Magnetspule 4 ist in der Fig.
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The heater may be a resistor or a diode, possibly integrated on the same semiconductor plate as the photo-diode.
Das Heizglied kann ein Widerstand oder eine Diode sein, der/die evtl. mit der Fotodiode auf demselben Halbleiterkörper integriert ist.
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Sufficient time is available to adjust to the changes in power loss or the boundary layer temperature, for balancing the heat between the boundary layer and the semiconductor plate or wafer, and the housing of the LED, respectively, when the forward current gradually changes.
Für den Wärmeausgleich zwischen der Sperrschicht und dem Halbleiterplättchen bzw. dem Gehäuse der LED ist ausreichend Zeit vorhanden, um bei allmählicher Änderung des Durchlaßstromes die dabei sich ändernde Verlustleistung bzw. Sperrschichttemperatur auszugleichen.
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In order to impede access further, the chip can be embedded in a very firmly adhering mass whose forcible removal destroys the semiconductor plate or at least the secret data stored therein.
Um einen Zugriff weiter zu erschweren, kann der Chip in eine sehr fest haftende Masse eingebettet werden, bei deren gewaltsamer Entfernung das Halbleiterplättchen zerstört wird oder zumindest die darin gespeicherten geheimen Daten vernichtet werden.
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