Übersetzung für "Saturation voltage" in Deutsch
For
the
purpose
of
programming,
a
saturation
voltage
must
be
applied
to
the
MOS
transistor
to
be
programmed.
Zur
Programmierung
muß
an
den
zu
programmierenden
MOS-Transistor
eine
Sättigungsspannung
angelegt
werden.
EuroPat v2
The
current
dependency
of
the
saturation
voltage
of
the
transistor
T1
is
not
shown
in
the
embodiment
of
FIG.
Die
Stromabhängigkeit
der
Sättigungsspannung
des
Transistors
T1
ist
im
Ausführungsbeispiel
gemäß
Fig.
EuroPat v2
The
higher
the
chip
temperature,
the
higher
the
saturation
voltage
is
too.
Je
höher
die
Chip-Temperatur
ist,
umso
höher
ist
auch
die
Sättigungsspannung.
EuroPat v2
If
necessary,
the
saturation
voltage
of
the
cascode
transistors
34
or
35
may
also
be
subtracted
therefrom.
Gegebenfalls
ist
davon
noch
die
Sättigungsspannung
der
Kaskodetransistoren
34
oder
35
abzuziehen.
EuroPat v2
The
collector-emitter
saturation
voltage
of
third
transistor
3
is
negligible
at
the
end
of
the
reverse
charging
process
of
first
capacitor
11.
Die
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
des
dritten
Transistors
3
ist
am
Ende
des
Umladevorganges
des
ersten
Kondensators
vernachlässigbar.
EuroPat v2
The
voltage
across
the
firing
line
ZL
then
falls
to
the
low
saturation
voltage
of
the
current
source
IQ2.
Die
Spannung
an
der
Zündleitung
ZL
sinkt
dann
auf
die
niedrige
Sättigungsspannung
der
Stromquelle
IQ2
ab.
EuroPat v2
With
increasing
current,
this
drop
in
voltage,
also
called
saturation
voltage
or
forward
voltage
UF,
becomes
greater.
Mit
zunehmendem
Strom
wird
dieser
Spannungsabfall,
auch
Sättigungsspannung
oder
Flußspannung
U
F
genannt,
größer.
EuroPat v2
Only
the
saturation
voltage
of
this
transistor
is
obtained
as
the
residual
voltage
at
the
collector-emitter
path
of
the
output
transistor
T2.
Als
Restspannung
an
der
Kollektor-Emitterstrecke
des
Ausgangstransistors
T
2
ergibt
sich
lediglich
die
Sättigungsspannung
dieses
Transistors.
EuroPat v2
On
the
other
hand,
a
corresponding
forward
voltage
for
the
photodiode,
which
lies
below
the
saturation
voltage,
has
to
be
adjusted.
Allerdings
muss
eine
entsprechende
Vorwärtsspannung
der
Photodiode,
die
unterhalb
der
Sättigungsspannung
liegt,
eingeregelt
werden.
EuroPat v2
Advantageously,
the
respective
current
saturation
voltage
of
the
reference
transistor
measured
under
the
same
ambient
conditions
is
used
as
the
initial
value
here.
Hierbei
wird
vorteilhafterweise
als
Initialwert
die
jeweils
aktuell
unter
denselben
Umgebungsbedingungen
gemessene
Sättigungsspannung
des
Referenztransistors
verwendet.
EuroPat v2
When
an
operational
amplifier
is
used,
the
limitation
value
is
dependent
on
the
saturation
voltage
of
the
onboard
output
transistors.
Bei
Verwendung
eines
Operationsverstärkers
ist
der
Wert
der
Begrenzung
abhängig
von
der
Sättigungsspannung
der
enthaltenen
Ausgangstransistoren.
EuroPat v2
Since
the
current
transformer
6
is
operated
in
saturation,
the
secondary
voltage
USEK
has
a
shape
in
accordance
with
FIG.
Da
der
Stromwandler
6
in
Sättigung
betrieben
wird,
hat
die
Sekundärspannung
U
SEK
einen
Verlauf
gemäß
Fig.
EuroPat v2
Thereby,
its
function
is
such
that
the
transistors
with
higher
gain
is
first
through-connected
and
then
remains
conductive
via
the
base
current
impressed
by
means
of
the
base
winding
until
the
transformer
becomes
saturated
and
the
collector
current
of
the
transistor
which
is
quickly
increasing
due
to
the
drop
of
the
inductance
becomes
so
high
that
the
base
control
current
can
no
longer
hold
the
transistor
in
saturation
and
the
voltage
at
the
transformer
reverses
due
to
the
decreasing
magnetic
induction.
Dabei
ist
ihre
Funktion
derart,
daß
zunächst
der
höherverstärkende
Transistor
durchschaltet
und
dann
über
den
durch
die
Basiswicklung
eingeprägten
Basisstrom
solange
leitend
bleibt,
bis
der
Übertrager
in
Sättigung
geht
und
der
nun
durch
das
Absinken
der
Induktivität
rasch
ansteigende
Kollektorstrom
des
Transistors
so
hoch
wird,
daß
der
Basissteuerstrom
den
Transistor
nicht
mehr
in
Sättigung
halten
kann
und
sich
die
Spannung
am
Übertrager
durch
die
abnehmende
magnetische
Induktion
umpolt.
EuroPat v2
This
method
of
connection
does
however
have
the
disadvantage
that
the
voltage
source
must
supply
at
least
the
flow
voltage
of
the
two
diodes,
the
saturation
voltage
of
the
transistor
T1
and
the
base-emitter
voltage
of
the
transistor
T2.
Diese
Schaltungsweise
hat
jedoch
den
Nachteil,
daß
die
Spannungsquelle
mindestens
die
Flußspannung
der
beiden
Dioden,
die
Sättigungsspannung
des
Transistors
T
1
und
die
Basis-Emitter-Spannung
des
Transistors
T
2
liefern
muß.
EuroPat v2
When
using
a
battery
with
a
rated
voltage
of
9
V
this
voltage
may
drop
to
a
lowest
value
of
approximately
6.2
V,
if
the
forward
voltage
of
the
infra-red
diodes
D1
and
D2
amounts
to
2.7
V
and
the
saturation
voltage
of
the
transistor
T2
amounts
to
800
mV.
Bei
Verwendung
einer
Batterie
mit
einer
Nennspannung
von
9
V
darf
diese
Spannung
auf
einen
untersten
Wert
von
ca.
6,2
V
absinken,
wenn
die
Durchlaßspannung
der
Infrarot-Dioden
D
1
und
D
2
2,7V
und
die
Sättigungsspannung
des
Transistors
T
2
800
mV
beträgt.
EuroPat v2
When
transistor
56
comes
out
of
saturation,
the
base
voltage
of
transistor
58
will
rise,
thus
turning
on
transistor
58
which,
in
turn,
will
lower
the
base
voltage
of
transistor
48.
Sobald
der
Transistor
56
aus
der
Sättigung
kommt,
steigt
die
Spannung
an
der
Basis
des
Transistors
58
an
und
bringt
den
Transistor
58
in
den
leitenden
Zustand.
EuroPat v2
The
transistor
with
the
higher
gain,
in
this
case
the
transistor
T1,
becomes
conductive
and
remains
conductive
via
the
basic
current
impressed
by
means
of
the
base
winding
BW
and
a
resistor
R2
until
the
transformer
becomes
saturated
and
the
collector
current
of
the
transistor
T2,
which
quickly
rises
due
to
the
drop
of
the
inductance,
becomes
so
high
that
the
base
control
current
can
no
longer
keep
the
transistor
T1
in
saturation
and
the
voltage
at
the
transformer
reverses
due
to
the
descreasing
magnetic
induction.
Der
höherverstärkende
Transistor,
in
diesem
Falle
der
Transistor
T1,
schaltet
durch
und
bleibt
über
den
durch
die
Basiswicklung
BW
und
einen
Widerstand
R2
eingeprägten
Basisstrom
so
lange
leitend,
bis
der
Übertrager
in
die
Sättigung
geht
und
der
nun
durch
das
Absinken
der
Induktivität
rasch
ansteigende
Kollektorstrom
des
Transistors
T2
so
hoch
wird,
daß
der
Basissteuerstrom
den
Transistor
T1
nicht
mehr
in
der
Sättigung
halten
kann
und
sich
die
Spannung
am
Übertrager
durch
die
abnehmende
magnetische
Induktion
umpolt.
EuroPat v2
By
providing
base
barrier
resistances
instead
of
emitter
barrier
resistances,
an
additional
power
loss
at
the
emitter
barrier
resistances
as
well
as
an
increase
of
the
collector-emitter
residual
voltage
and
saturation
voltage
can
advantageously
be
avoided
simultaneously.
Durch
Anbringen
von
Basisvorwiderständen
anstelle
von
Emittervorwiderständen
kann
in
vorteilhafterweise
gleichzeitig
eine
zusätzliche
Verlustleistung
an
den
Emittervorwiderständen
sowie
eine
Erhöhung
der
Kollektor-Emitter-Restspannung
und
der
Sättigungsspannung
vermieden
werden.
EuroPat v2
It
is
found
to
be
a
disadvantage
as
compared
to
the
single-ended
output
transistor,
that
the
saturation
voltage
of
about
0.9
V
is
higher
by
the
amount
of
a
base-emitter
voltage.
Als
Nachteil
ergibt
sich
gegenüber
der
einfachen
Emitterschaltung
eines
Eintakt-Endstufentransistors
eine
um
eine
Basis-Emitterspannung
höhere
Sättigungsspannung
von
etwa
0,9V.
Damit
sind
aber
beispielsweise
TTL-Schaltungen
nicht
mehr
sicher
ansteuerbar,
weil
dazu
Spannungen
erforderlich
sind,
welche
kleiner
als
0,4
V
sind.
EuroPat v2
This
has
the
further
advantage
over
the
above-explained
Darlington
configuration
including
the
load
transistor
T2
and
a
further
transistor
connected
in
series,
that
the
residual
voltage
is
smaller
because
in
a
Darlington
configuration,
the
residual
voltage
is
equal
to
the
sum
of
the
base-emitter
voltage
of
the
output
transistor
and
the
saturation
voltage
of
the
input
transistor
of
the
Darlington
stage.
Dies
hat
gegenüber
einer
eingangs
erläuterten
Darlington-Konfiguration
aus
dem
Lasttransistor
T
2
und
einem
weiteren
vorgeschalteten
Transistor
den
Vorteil,
daß
die
Restspannung
kleiner
ist,
weil
bei
einer
Darlington-Konfiguration
die
Restspannung
gleich
der
Summe
aus
der
Basis-Emitterspannung
des
Endstufentransistors
und
der
Sättigungsspannung
des
Eingangstransistors
der
Darlington-Stufe
ist.
EuroPat v2
By
using
the
base
barrier
resistances
for
current
stabilization,
the
voltage
drop
along
the
base
barrier
resistances
occurs
not
at
the
collector-emitter
saturation
voltage,
but
only
at
the
control
voltage
between
base
and
emitter
connection.
Durch
die
Verwendung
der
Basisvorwiderstände
zur
Stromstabilisierung
tritt
der
Spannungsabfall
über
den
Basisvorwiderständen
nicht
in
der
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
auf,
sondern
lediglich
in
der
Steuerspannung
zwischen
Basis
und
Ermitteranschluß.
EuroPat v2
It
is
followed
by
the
ohmic
range
where
the
charging
voltage
remains
constant
despite
a
further
increase
in
the
corona
voltage
(saturation
range).
Danach
beginnt
der
ohm'sche
Bereich,
in
welchem
die
Aufladungsspannung
konstant
bleibt,
unabhängig
von
der
weiter
ansteigenden
Spannung
der
Korona
(Sättigungsbereich).
EuroPat v2