Übersetzung für "Inversion layer" in Deutsch

An inversion layer (253) is induced on the semiconductor surface.
An der Halbleiteroberfläche wird eine Inversionsschicht (253) induziert.
EuroPat v2
N(y) is the location-dependent dopant concentration in the inversion layer.
N(y) ist die ortsabhängige Dotierstoffkonzentration in der Inversionsschicht.
EuroPat v2
The copper sulphide surface built up as an inversion layer therefore acts as a semipermeable wall.
Die als Inversionsschicht aufgebaute Kupfersulfidoberfläche wirkt also wie eine semipermeable Wand.
EuroPat v2
Both an epitaxial emitter as well as an inversion layer or a heterojunction emitter are possible.
Sowohl ein epitaktischer Emitter als auch ein Inversionsschicht- oder ein Heteroübergang-Emitter sind möglich.
EuroPat v2
A very typical example is the night-time inversion layer which breaks open in the morning.
Ein Beispiel ist die nächtliche Inversion, die in den Morgenstunden aufgehoben wird.
ParaCrawl v7.1
A very typical example is the night-time inversion layer which collapses in the morning.
Ein Beispiel ist die nächtliche Inversion, die in den Morgenstunden aufgehoben wird.
ParaCrawl v7.1
In the embodiments, however, only MIS inversion layer solar cells and cells with doped pn-junction are described.
In den Ausführungsbeispielen werden jedoch nur MIS Inversionsschicht-Solarzellen und Zellen mit dotiertem pn-Übergang beschrieben.
EuroPat v2
In the embodiments, however, only MIS inversion layer solar cells and cells with doped pn-unction are described.
In den Ausführungsbeispielen werden jedoch nur MIS Inversionsschicht-Solarzellen und Zellen mit dotiertem pn-Übergang beschrieben.
EuroPat v2
A well-conducting inversion layer (228) is induced on the semiconductor surface because of the positive insulator charges.
An der Halbleiteroberfläche wird aufgrund der positiven Isolatorladungen eine gut leitende Inversionsschicht (228) induziert.
EuroPat v2
In this way the accumulation or inversion layer 21 is completely interrupted and an ohmic connection between the two MIS-FETs is prevented.
Damit wird die Inversionsschicht 21 vollständig unterbrochen und eine ohmsche Verbindung zwischen den beiden MIS-FET verhindert.
EuroPat v2
A current flow between the two conductive regions across this inversion layer can be controlled by applying the control voltage.
Ein Stromfluß zwischen den beiden leitfähigen Gebieten über diese Inversionsschicht ist durch Anlegen der Steuerspannung steuerbar.
EuroPat v2
Furthermore, the barrier current flows mainly through the PN diode instead of the inversion-layer of the MOS structure.
Außerdem fließt der Sperrstrom hauptsächlich durch die PN-Diode statt durch die Inversionsschicht der MOS-Struktur.
EuroPat v2
If the p-n junction biased in the cut-off direction is, in addition, poorly constructed at the surface in the vicinity of the channel zone, i.e., of the inversion layer, then excessive multiplication can also occur in the vicinity of the substrate surface and cause a steep rise of the current through the field effect transistor.
Bildet man den in Sperrichtung vorgespannten pn-Übergang zusätzlich an der Oberfläche im Bereich der Kanalzone, das heißt der Inversionsschicht, ungünstig aus, so kann es auch im Bereich der Substratoberfläche zu einer übermäßigen Multiplikation kommen, die einen Steilanstieg des Stroms durch den Feldeffekttransistor verursacht.
EuroPat v2
In the vicinity of the corners of the zone 14, the doping between the zone 15 and the substrate 1 is so high that no inversion layer can develop there if a control voltage is applied.
Im Bereich der Ecken der Zone 14 ist die Dotierung zwischen der Zone 15 und dem Substrat 1 so groß, daß sich bei Anlegen einer Steuerspannung dort keine Inversionsschicht ausbilden kann.
EuroPat v2
The measure­ment of the vertical burden of a pollu­tant is, of course, the measurement of how much of it is present in the column of air between the ground and the inversion layer.
Das Maß für die vertikale Belastung der Atmosphäre mit einem Schad­stoff ist natürlich durch seine Konzen­tration in der Luftsäule zwischen Boden und Inversionsschicht gegeben.
EUbookshop v2
In order to ensure that an inversion layer is able to form at the surface of the injector zone 8 at the gate voltages of interest, even if the voltage Ui is small, the injector zone 8 is relatively weakly doped at least at the surface, like the channel zone 5, for instance.
Damit sich an der Oberfläche der Injektorzone 8 bei den in Frage kommenden Gatespannungen auch bei niedriger Spannung U i eine Inversionsschicht ausbilden kann, ist diese mindestens an der Oberfläche relativ schwach, z. B. so wie die Kanalzone 5 dotiert.
EuroPat v2
Method according to claim 1, wherein the glow discharge process for the formation of the inversion layer occurs in an evacuated space that is first set at a pressure p?10-6 mbar (104 Pa) and that the space is subsequently flooded with hydrogen for attaining a pressure of 0.5 mbar (50 PA) in order to execute the glow discharge process.
Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Glimmentladung zur Bildung der Inversionsschicht in einem evakuierten Raum erfolgt, der zunächst auf einen Druck p mit p?10 -6 mbar (10 -4 Pa) eingestellt wird, und daß der Raum anschließend mit Wasserstoff zur Erzielung eines Drucks von 0,5 mbar (50 Pa) geflutet wird, um die Glimmentladung durchzuführen.
EuroPat v2
Unlike the front surface in inversion-layer solar cells, where a strong inversion is necessarily present in the semiconductor due to corresponding insulator charges, it is irrelevant in the proposal according to the invention whether accumulation, depletion or inversion takes place.
Im Gegensatz zur Vorderseite bei Inversionsschicht-Solarzellen, in denen notwendigerweise eine starke Inversion im Halbleiter durch entsprechende Isolatorladungen vorliegen muß, ist es nach dem erfindungsgemäßen Vorschlag unwesentlich, ob eine Anreicherung, Verarmung oder Inversion vorherrscht.
EuroPat v2
A substantial advantage of the principles of the invention is that even when inversion takes place (in the case of silicon nitride to p-silicon), the array functions optimally and the minority charge carriers do not flow predominantly along the conductive inversion layer to the ohmic contact areas and recombine there.
Wesentlicher Vorteil der erfindungsgemäßen Lehre ist nämlich darin zu sehen, daß auch bei Vorliegen von Inversion (im Falle von Siliziumnitrid auf p-Silizium) die Anordnung optimal funktioniert und die Minoritätsladungsträger nicht vorwiegend entlang der leitfähigen Inversionsschicht zu den Ohm'schen Kontaktbereichen fließen und dort rekombinieren.
EuroPat v2
An inversion layer formed by the work function difference of metal (20) and semiconductor (12) on the semiconductor surface is provided with the reference number (22).
Mit dem Bezugszeichen (22) ist eine durch die Austrittsarbeitsdifferenz von Metall (20) und Halbleiter (12) an der Halbleiteroberfläche gebildete Inversionsschicht versehen.
EuroPat v2
The insulator layer must for example contain positive charges in the case of p silicon, in order to induce an inversion layer in the silicon along which the minority charge carriers (in the case of p-silicon electrons) can reach the MIS contacts.
Die Isolatorschicht muß z.B. bei p-Silizium positive Ladungen enthalten, um im Silizium eine Inversionsschicht zu influenzieren, entlang der die Minoritätsladungsträger (bei p-Si Elektronen) zu den MIS-Kontakten gelangen können.
EuroPat v2
It should be further mentioned that instead of the inversion layer (253), an n+ layer can be incorporated in a p-semiconductor substrate, where the contacts to n+ can be of the MIS type or ohmic contacts.
Es sei noch erwähnt, daß anstelle der Inversionsschicht (253) auch eine n?-Schicht bei einem p-Halbleitersubstrat eingebracht werden kann, wobei die Kontakte zum n?vom MIS-Typ oder als Ohmsche Kontakte ausgebildet sein können.
EuroPat v2
However, the contact zone 13 serves to electrically decouple the auxiliary FET C from the IGFET A, since without the contact zone 13, a continuous inversion layer could develop at the surface 4.
Sie dient jedoch dazu, den Hilfs-FET C vom IGFET A elektrisch zu entkoppeln, da sich ohne die Kontaktzone 13 an der Oberfläche 4 eine durchgehende Inversionsschicht ausbilden könnte.
EuroPat v2

Ähnliche Begriffe

layer upon layer inversion layer layer on layer
the inverse inversely a layer of in layers
inversement a layer