Übersetzung für "Injection gate" in Deutsch

Thus, the axis of the injection gate 10 is parallel to the jointing plane.
Damit liegt die Achse der Einspritzöffnung 10 parallel zur Teilungsebene.
EuroPat v2

This injection gate 10 is aligned with its axis perpendicular to the specific wall of the moulding 7.
Diese Einspritzöffnung 10 ist mit ihrer Achse senkrecht zu der betreffenden Wand des Formteils 7 ausgerichtet.
EuroPat v2

Within this partition wall 9 there is provided in each case an injection gate 10 having a cross-section of approximately 1 to 2 mm.
Innerhalb dieser Zwischenwand 9 ist jeweils eine Einspritzöffnung 10 mit einem Querschnitt von etwa 1 bis 2 mm ausgebildet.
EuroPat v2

For example, metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs), bipolar transistors, IEGTs (“injection enhancement gate transistors”) and GTOs (“gate turn-off thyristors”) can be used with devices for the detection of a change in the voltage across a power semiconductor switch, control circuits and devices for the supply of electrical energy.
Zum Beispiel können MetallOxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFETs), Bipolartransistoren, IEGTs ("injection enhancement gate transistors") und GTOs ("gate turn-off thyristors") mit den Vorrichtungen zur Detektion eines Verlaufs einer Spannung über einem Leistungshalbleiterschalter, den Steuerschaltungen und den Vorrichtungen zur Bereitstellung von elektrischer Energie verwendet werden.
EuroPat v2

By way of example, metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs), bipolar transistors, IEGTs (“injection enhancement gate transistors”) and GTOs (“gate turn-off thyristors”) can be used with the devices for producing a dynamic reference signal, the control circuits and the devices according to the invention for providing electrical energy.
Zum Beispiel können MetallOxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFETs), Bipolartransistoren, IEGTs ("injection enhancement gate transistors") und GTOs ("gate turn-off thyristors") mit den Vorrichtungen zum Erzeugen eines dynamischen Referenzsignals, die Steuerschaltungen und die erfindungsgemäßen Vorrichtungen zur Bereitstellung von elektrischer Energie verwendet werden.
EuroPat v2

The sprue runners 18 are aligned with the injection gates 10.
Die Anspritzkanäle 18 sind auf die Einspritzöffnungen 10 ausgerichtet.
EuroPat v2

After another rotation of the rotary molding part, injection gating is attached to the injection-molded part assembled in that manner.
Nach einer weiteren Drehung des drehbaren Formteils wird eine Anspritzung an das so zusammengesetzte Spritzteil angebracht.
EuroPat v2

The central problem in making a composite component by back-injection technology consists in the positionally accurate fixing of the cut-out elements to be gate-injected with plastic.
Das Kernproblem der Realisierung eines Verbundbauteils in Hinterspritztechnologie besteht in der positionsgenauen Fixierung der freigeschnittenen Elemente zur Anspritzung mit Kunststoff.
EuroPat v2

By variation of the components and the type of injection (separate gates or sprue and runner system), it is also possible for a wide variety of color combinations to be realized.
Durch eine Variation der Komponenten und der Art der Anspritzung (separate Angüsse oder Angusspinne) können auch verschiedenste Farbkombinationen realisiert werden.
EuroPat v2

SUMMARY Therefore, the object is to provide an injection molding machine of the type mentioned at the outset, which is of a low construction height, easily constructed, and by which partial pre-molds can be connected to each other even in a position-corrected fashion or by which the first partial pre-mold can be provided with an injection gating representing the second partial pre-mold.
Es besteht daher die Aufgabe, eine Spritzgießmaschine der eingangs genannt Art zu schaffen, die eine geringe Bauhöhe aufweist, die konstruktiv einfach realisierbar ist und mit der Teil-Spritzlinge auch lagekorrigiert miteinander verbunden werden können oder mit der erste Teil-Spritzlinge mit einer Anspritzung als zweiten Teil-Spritzling versehen werden können.
EuroPat v2

By attaching a positive voltage between source and gate, additional electrons are injected into the gate area.
Durch Anlegen einer positiven Spannung zwischen Source und Gate werden in der Simulation Elektronen in den Gatebereich injiziert.
ParaCrawl v7.1