Translation of "Injection gate" in German
Thus,
the
axis
of
the
injection
gate
10
is
parallel
to
the
jointing
plane.
Damit
liegt
die
Achse
der
Einspritzöffnung
10
parallel
zur
Teilungsebene.
EuroPat v2
This
injection
gate
10
is
aligned
with
its
axis
perpendicular
to
the
specific
wall
of
the
moulding
7.
Diese
Einspritzöffnung
10
ist
mit
ihrer
Achse
senkrecht
zu
der
betreffenden
Wand
des
Formteils
7
ausgerichtet.
EuroPat v2
Within
this
partition
wall
9
there
is
provided
in
each
case
an
injection
gate
10
having
a
cross-section
of
approximately
1
to
2
mm.
Innerhalb
dieser
Zwischenwand
9
ist
jeweils
eine
Einspritzöffnung
10
mit
einem
Querschnitt
von
etwa
1
bis
2
mm
ausgebildet.
EuroPat v2
For
example,
metal-oxide-semiconductor
field
effect
transistors
(MOSFETs),
bipolar
transistors,
IEGTs
(“injection
enhancement
gate
transistors”)
and
GTOs
(“gate
turn-off
thyristors”)
can
be
used
with
devices
for
the
detection
of
a
change
in
the
voltage
across
a
power
semiconductor
switch,
control
circuits
and
devices
for
the
supply
of
electrical
energy.
Zum
Beispiel
können
MetallOxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
(MOSFETs),
Bipolartransistoren,
IEGTs
("injection
enhancement
gate
transistors")
und
GTOs
("gate
turn-off
thyristors")
mit
den
Vorrichtungen
zur
Detektion
eines
Verlaufs
einer
Spannung
über
einem
Leistungshalbleiterschalter,
den
Steuerschaltungen
und
den
Vorrichtungen
zur
Bereitstellung
von
elektrischer
Energie
verwendet
werden.
EuroPat v2
By
way
of
example,
metal
oxide
semiconductor
field
effect
transistors
(MOSFETs),
bipolar
transistors,
IEGTs
(“injection
enhancement
gate
transistors”)
and
GTOs
(“gate
turn-off
thyristors”)
can
be
used
with
the
devices
for
producing
a
dynamic
reference
signal,
the
control
circuits
and
the
devices
according
to
the
invention
for
providing
electrical
energy.
Zum
Beispiel
können
MetallOxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
(MOSFETs),
Bipolartransistoren,
IEGTs
("injection
enhancement
gate
transistors")
und
GTOs
("gate
turn-off
thyristors")
mit
den
Vorrichtungen
zum
Erzeugen
eines
dynamischen
Referenzsignals,
die
Steuerschaltungen
und
die
erfindungsgemäßen
Vorrichtungen
zur
Bereitstellung
von
elektrischer
Energie
verwendet
werden.
EuroPat v2
The
sprue
runners
18
are
aligned
with
the
injection
gates
10.
Die
Anspritzkanäle
18
sind
auf
die
Einspritzöffnungen
10
ausgerichtet.
EuroPat v2
After
another
rotation
of
the
rotary
molding
part,
injection
gating
is
attached
to
the
injection-molded
part
assembled
in
that
manner.
Nach
einer
weiteren
Drehung
des
drehbaren
Formteils
wird
eine
Anspritzung
an
das
so
zusammengesetzte
Spritzteil
angebracht.
EuroPat v2
The
central
problem
in
making
a
composite
component
by
back-injection
technology
consists
in
the
positionally
accurate
fixing
of
the
cut-out
elements
to
be
gate-injected
with
plastic.
Das
Kernproblem
der
Realisierung
eines
Verbundbauteils
in
Hinterspritztechnologie
besteht
in
der
positionsgenauen
Fixierung
der
freigeschnittenen
Elemente
zur
Anspritzung
mit
Kunststoff.
EuroPat v2
By
variation
of
the
components
and
the
type
of
injection
(separate
gates
or
sprue
and
runner
system),
it
is
also
possible
for
a
wide
variety
of
color
combinations
to
be
realized.
Durch
eine
Variation
der
Komponenten
und
der
Art
der
Anspritzung
(separate
Angüsse
oder
Angusspinne)
können
auch
verschiedenste
Farbkombinationen
realisiert
werden.
EuroPat v2
SUMMARY
Therefore,
the
object
is
to
provide
an
injection
molding
machine
of
the
type
mentioned
at
the
outset,
which
is
of
a
low
construction
height,
easily
constructed,
and
by
which
partial
pre-molds
can
be
connected
to
each
other
even
in
a
position-corrected
fashion
or
by
which
the
first
partial
pre-mold
can
be
provided
with
an
injection
gating
representing
the
second
partial
pre-mold.
Es
besteht
daher
die
Aufgabe,
eine
Spritzgießmaschine
der
eingangs
genannt
Art
zu
schaffen,
die
eine
geringe
Bauhöhe
aufweist,
die
konstruktiv
einfach
realisierbar
ist
und
mit
der
Teil-Spritzlinge
auch
lagekorrigiert
miteinander
verbunden
werden
können
oder
mit
der
erste
Teil-Spritzlinge
mit
einer
Anspritzung
als
zweiten
Teil-Spritzling
versehen
werden
können.
EuroPat v2
By
attaching
a
positive
voltage
between
source
and
gate,
additional
electrons
are
injected
into
the
gate
area.
Durch
Anlegen
einer
positiven
Spannung
zwischen
Source
und
Gate
werden
in
der
Simulation
Elektronen
in
den
Gatebereich
injiziert.
ParaCrawl v7.1