Übersetzung für "Band gap energy" in Deutsch

The specific goals involve development of materials with low band gap energy and donor-acceptor systems.
Konkrete Ziele sind die Entwicklung von Materialien mit verbesserter Bandlücke und optimierten Donor-Akzeptor-Systemen.
ParaCrawl v7.1
This material must furthermore have a greater band or energy gap than the semiconductor substrate and a resistivity between 105 and 1011 ohm cm.
Dieses Material muß außerdem einen größeren Bandabstand als das Halbleitersubstrat und einen spezifischen Widerstand zwischen 10 5 und 10 11 Ohm cm haben.
EuroPat v2
By treatment with hydrogen to saturate free valences and by addition of carbon to produce an optical window layer with a band gap energy of approximately 3 eV, the surface recombination speed on the side of the thin surface zone facing the light incidence can be very substantially reduced.
Durch Hydrieren mit Wasserstoff zur Absättigung von freien Valenzen, Zugabe von Kohlenstoff zur Erzeugung eines optischen Fensters mit einem Bandabstand von ca. 3 eV läßt sich die Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit an der dem Lichteinfall zugewandten Seite der dünnen Oberflächenzone besonders gut herabsetzen.
EuroPat v2
Based on its band gap energy of at least 3 eV, the photocatalytic material interacts only with light whose wavelength is shorter than 400 nm.
Aufgrund seiner Bandlückenenergie von wenigstens 3 eV wechselwirkt das fotokatalytische Material nur mit Licht, dessen Wellenlänge kleiner als 400 nm ist.
EuroPat v2
However, an interaction with low-energy, longer-wave photons is not possible at this band gap energy.
Bei dieser Bandlückenenergie, d.h. Band-Gap-Energie, ist jedoch eine Wechselwirkung mit niederenergetischen, langwelligeren Photonen nicht möglich.
EuroPat v2
A top layer that forms the surface and is formed exclusively by or at least to a high percentage from the photothermally modifiable material has a band gap energy preferably equaling at least 3.2 eV.
Eine die Oberfläche bildende Oberschicht, die von oder zumindest zu einem großen Teil aus dem fotothermisch veränderbarem Material gebildet ist, weist eine Band-Gap-Energie auf, die vorzugsweise wenigstens 3.2 eV beträgt.
EuroPat v2
The energy that is necessary to excite electrons from the valence band into the conduction band is called the band gap energy.
Als Band-Gap-Energie wird die Energie bezeichnet, die erforderlich ist, um Elektronen aus dem Valenzband in das Leitungsband anzuregen.
EuroPat v2
The peak of the emitted spectrum is preferably at a wavelength of 387 nm, corresponding to a band gap energy of 3.2 eV, or at a shorter wavelength.
Vorzugsweise liegt der Peak des ausgestrahlten Spektrums bei einer Wellenlänge von 387 nm, entsprechend einer Band-Gap-Energie von 3.2 eV, oder einer kürzeren Wellenlänger.
EuroPat v2
This tuning layer 3 has a potential well structure that is composed of a sequence of extremely thin layers having alternately higher and lower band gap energy.
Diese Abstimmschicht 3 besitzt eine Potentialtopf-Struktur, die aus einer Folge von sehr dünnen Schichten mit abwechselnd größerer und kleinerer Bandlückenenergie besteht.
EuroPat v2
According to the invention, the band gap energy of the barrier layer can now be changed almost arbitrarily by changing the aluminium and gallium proportion in the material of the barrier layers.
Erfindungsgemäß kann nun die Bandlückenenergie der Barrierenschicht durch Veränderung des Aluminium- und Galliumanteils im Material der Barrierenschichten beinahe beliebig verändert werden.
EuroPat v2
Accordingly, the inorganic core of the nanoparticles may comprise an alloy of at least two semiconductors, wherein the core has a homogeneous composition and is characterized by a “band-gap energy” which is nonlinear to the molar ratio of the two semiconductors.
Demnach kann der anorganische Kern der Nanopartikel eine Legierung aus mindestens zwei Halbleitern umfassen, wobei der Kern eine homogene Zusammensetzung aufweist und durch eine "Band-Gap-Energie" charakterisiert ist, die nicht-linear zu dem molaren Verhältnis der zwei Halbleiter ist.
EuroPat v2
The semifinished product according to claim 1, wherein the substrate layer has a band gap with an energy of less than 1.5 eV.
Halbzeug nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Substratschicht (20) eine Bandlücke mit einer Energie kleiner als 1.5 eV aufweist.
EuroPat v2
The wavelength of the light can be at least greater than or equal to the band gap energy of the absorption layers of the semiconductor diodes.
Auch versteht es sich, dass die Wellenlänge des Lichts wenigstens größer oder gleich der Bandlückenenergie der Absorptionsschichten der Halbleiterdioden ist.
EuroPat v2
As a result, the fifth subcell has a band gap energy between the overlying first subcell and the underlying second subcell.
Hierdurch weist die fünfte Teilzelle eine Bandlückenenergie zwischen der darüber liegenden ersten Teilzelle und der darunterliegenden zweiten Teilzelle auf.
EuroPat v2
To achieve the highest efficiencies, the semiconductor materials and the band gap energy thereof must be matched to one another, so that each solar subcell, electrically connected in series, generates the same current if possible.
Um höchste Effizienzen zu erreichen, müssen die Halbleitermaterialien und deren Bandlückenenergie an einander angepasst werden, so dass vorzugsweise jede der elektrisch in Serie verschalteten Teilsolarzellen möglichst den gleichen Strom generiert.
EuroPat v2
Multi-junction solar cell 10 also has a third subcell SC 3 with a layer S 3 with a third lattice constant a3 and a third band gap energy Eg3.
Auch weist die Mehrfachsolarzelle 10 eine dritte Teilzelle SC3 mit einer Schicht S3 mit einer dritten Gitterkonstanten a3 und einer dritten Bandlückenenergie Eg3 auf.
EuroPat v2
The boundary layers are material having a higher energy band gap than the energy band gap of the storage layer, so that the charge carriers trapped in the storage layer remain localized there.
Die Begrenzungsschichten sind Material einer höheren Energiebandlücke als die Energiebandlücke der Speicherschicht, so dass die Ladungsträger, die in der Speicherschicht eingefangen sind, dort lokalisiert bleiben.
EuroPat v2
In this structure, the presence of IPE is not restricted to photons below the band gap energy of silicon.
In dieser Struktur ist die Anwesenheit von IPE nicht auf Photonen unterhalb der Bandlückenenergie des Siliziums beschränkt.
EuroPat v2
Provided that the photon energy is larger than the band gap energy, electrons can get excited from the valence band to the conduction band, leaving an electron vacancy (i.e.
Unter der Voraussetzung, dass die Photonenenergie größer ist als die Energie der Bandlücke, können Elektronen vom Valenzband in das Leitungsband angeregt werden.
ParaCrawl v7.1
The wavelength of the emitted light varies primarily due to the choice of semiconductor materials used, because the band gap energy varies with the semiconductor.
Die Wellenlänge des ausgestrahlten Lichtes unterscheidet sich hauptsächlich wegen der Wahl der benutzten Halbleitermaterialien, weil die Bandabstand Energie mit dem Halbleiter schwankt.
ParaCrawl v7.1
But according to a University of Basel news release, graphene lacks the so-called band gap, an energy range in a solid where no electron states can exist.
Laut einer Medienmitteilung der Universität Basel fehlt Graphen jedoch die sogenannte Bandlücke. Dabei handelt es sich um einen Energiebereich, in dem keine Elektronenzustände vorkommen können.
ParaCrawl v7.1
One approach for this is to choose even better band-gap energies for the two absorber materials in the tandem cell.
Ein Ansatz dafür ist die noch bessere Wahl der Bandlückenenergien der beiden Absorbermaterialien in der Tandem-Zelle.
ParaCrawl v7.1
Taking into account the epitaxially producible compositions of the quaternary quantum film material and the band gap energies resulting therefrom, the maximum achievable emission wavelength of GaSb-based type I lasers can hence be significantly increased.
Unter Berücksichtigung der epitaktisch herstellbaren Zusammensetzungen des quaternären Quantenfilmmaterials und der sich daraus ergebenden Bandlückenenergien lässt sich somit die maximal erreichbare Emissionswellenlänge von GaSb-basierenden Typ-I-Lasern deutlich steigern.
EuroPat v2

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