Übersetzung für "Wide band gap" in Deutsch

These results suggest that these 2 inch ZnO wafers are suitable for wide band gap device applications.
Diese Ergebnisse deuten darauf hin, dass diese 2-Zoll-ZnO-Wafer für Anwendungen mit breiten Bandspalt-Geräten geeignet sind.
ParaCrawl v7.1
The ABO3 layer is a semi-conductor with a wide band gap or an insulator with a small band gap.
Die ABO 3 -Schicht ist ein Halbleiter mit einer breiten Bandlücke oder ein Isolator mit schmaler Bandlücke.
EuroPat v2
It is possible to achieve the same coefficient of thermal expansion in a simple manner if the electrically conductive ceramic mount and the semiconductor component are formed from the same basic material, preferably from wide band gap semiconductor material.
Auf einfache Weise kann die Realisierung eines gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten realisiert werden, wenn der elektrisch leitende keramische Träger und das Halbleiterbauteil aus dem gleichen Grundmaterial, vorzugsweise aus Wide-Bandgap-Halbleitermaterial, ausgebildet sind.
EuroPat v2
In the medium term, the adoption of power components based on the wide-band gap materials SiC and GaN (silicon carbide, gallium nitride) opens up further potential.
Mittelfristig eröffnet die Verbreitung von Leistungsbauelementen basierend auf den Wide-Band-Gap Materialien SiC und GaN (Siliziumkarbid, Galliumnitrid) weiteres Potenzial.
ParaCrawl v7.1
This technology can be used to embed power semiconductor modules for MOSFETs, IGBTs or Wide Band Gap semiconductors into the resin matrix of a PCB.
Mit dieser Technologie lassen sich Leistungshalbleitermodule für MOSFETs, IGBTs oder Wide Band Gap-Halbleiter in die Harzmatrix einer Leiterplatte einbetten.
ParaCrawl v7.1
The market will need to increase manufacturing capacity driven by higher demand for LEDs and wide band gap devices for power management.
Der Markt wird aufgrund höherer Nachfrage nach LEDs und Wide-Band-Gap Bauelementen für Power Management weitere Produktionskapazitäten benötigen.
ParaCrawl v7.1
The wide band gap semiconductor material, such as SiC, is distinguished by the capability to be operated at considerably higher temperatures than silicon.
Das Wide-Bandgap-Halbleitermaterial, wie beispielsweise SiC, zeichnet sich durch die Möglichkeit aus, bei wesentlich höheren Temperaturen als Silizium betrieben werden zu können.
EuroPat v2
To improve the long-term stability of the electroluminescent phosphor particles, which are sometimes sensitive to moisture, they may be surrounded with a thin layer of a wide band-gap inert material, and hence take the form of encapsulated particles, examples being doped zinc sulfide particles enveloped with aluminum oxide and having an average diameter in the range from 30 ?m to 40 ?m.
Zur Verbesserung der Langzeitstabilität der bisweilen feuchtigkeitsempfindlichen Elektrolumineszenzphosphorteilchen können diese von einer dünnen Schicht eines inerten Materials großer Bandlücke umgeben sein und somit als gekapselte Partikel vorliegen, beispielsweise als mit Aluminiumoxid umhüllte dotierte Zinksulfidpartikel mit einem mittleren Durchmesser im Bereich von 30 µm bis 40 µm.
EuroPat v2
It is particularly preferred if the band gap of the wide band gap material is 3.5 eV or more, where band gap is taken to mean the energy difference between HOMO and LUMO.
Es ist besonders bevorzugt, wenn die Bandlücke des wide band gap Materials 3.5 eV oder mehr beträgt, wobei unter Bandlücke der energetische Abstand zwischen HOMO und LUMO verstanden wird.
EuroPat v2
These or other “wide band gap” materials in principle also have the advantage of generation of higher photovoltages with compensation of overvoltages.
Solche oder andere "Wide Bandgap"-Materialien haben grundsätzlich auch den Vorteil einer Erzeugung höherer Photospannungen unter Kompensation von Überspannungen.
EuroPat v2
Advantageously, the radiation detector according to the invention represents a beam sensor, which uses the photoconductive properties of wide band gap semiconductors.
Vorteilhafterweise stellt der erfindungsgemäße Strahlungsdetektor einen Strahlensensor dar, der die photoleitenden Eigenschaften von "wide bandgap" Halbleitern nutzt.
EuroPat v2
Over and above this it has proved advantageous to integrate snubber capacitors for fast commutation, in particular for wide band gap semiconductors, into the phase module.
Es hat sich darüber hinaus als vorteilhaft erwiesen, Snubber Kondensatoren für die schnelle Kommutierung, insbesondere für Wide Band Gap Halbleiter, in das Phasenmodul zu integrieren.
EuroPat v2
The first matrix material can be an Ultra Wide Band Gap (UGH) material, which has a band gap that is large in comparison to the other matrix materials.
Das erste Matrixmaterial kann ein Ultra Wide Band Gap (UGH)-Material sein, welches eine im Vergleich zu den übrigen Matrixmaterialien große Bandlücke aufweist.
EuroPat v2
Application include Sensors and Detectors, silicon carbide (SiC) and Wide Band Gap (WBG) devices.
Die Anwendung beinhaltet Sensoren und Detektoren, Siliziumkarbid (SiC) und Wide Bandgap (WBG) Geräte.
CCAligned v1
Management sees near- to mid-term potential for MOCVD equipment from a continuing penetration of wide band gap GaN- and SiC-based power devices.
Der Vorstand sieht kurz- bis mittelfristiges Potenzial für MOCVD-Anlagen durch die kontinuierliche Verbreitung von Wide-Band-Gap GaN- und SiC-basierten Leistungsbauelementen.
ParaCrawl v7.1
Therefore, AIXTRON is committed to investing specifically in research and development projects to retain or to expand the Company's leading technology position in MOCVD equipment for applications such as lasers, specialty-LEDs and for the production of wide band gap materials for Power Electronics.
Deshalb investiert AIXTRON gezielt in Forschungs- und Entwicklungsprojekte, um die führende technologische Stellung bei MOCVD-Systemen für Anwendungen wie Laser, Spezial-LEDs und die Produktion von Materialien mit großem Bandabstand (Wide-Band-Gap) für Leistungselektronik zu erhalten und weiter auszubauen.
ParaCrawl v7.1
ON Semiconductor can offer a comprehensive portfolio of products and solutions, including insulated gate bipolar transistors (IGBT), high-voltage gate drivers and wide band gap (WBG) developments in Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) that are suitable for next?generation electric vehicles.
Zu den Produkten und Lösungen von ON Semiconductor gehören unter anderem Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT), Hochleistungs-Gate-Treiber und WBG-Entwicklungen (mit breitem Bandabstand) aus Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), die für den Einsatz in der nächsten Generation an Elektrofahrzeugen geeignet sind.
ParaCrawl v7.1

Ähnliche Begriffe

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be widely wide no gaps wide-band
band gap gap