Übersetzung für "On-state resistance" in Deutsch
In
DC/DC
converter
applications,
the
low
on-state
resistance
reduces
conduction
losses
at
high
loads.
In
DC/DC-Wandlern
ermöglicht
der
geringe
Durchlasswiderstand
reduzierte
Leitungsverluste
bei
hohen
Lasten.
ParaCrawl v7.1
Moreover,
this
comes
without
negative
effects
on
the
on-state
resistance
RDS(on)
.
Dies
geschieht
ohne
negative
Effekte
auf
den
Durchlasswiderstand
RDS(on)
.
ParaCrawl v7.1
One
example
for
the
monitoring
of
the
contact
quality
is
the
measurement
of
the
on-state
d.c.
resistance
over
respectively
only
one
bond
wire
connection.
Ein
Beispiel
zur
Kontrolle
der
Kontaktqualität
ist
das
Ausmessen
des
Durchlaßwiderstandes
nur
über
jeweils
eine
Bonddrahtverbindung.
EuroPat v2
In
the
case
of
asymmetrical
structures
with
constant
doping
of
the
higher-resistance
layer,
this
leads
to
components
with
very
large
thickness
and
correspondingly
high
on-state
resistance.
Bei
asymmetrischen
Strukturen
mit
konstanter
Dotierung
der
höherohmigen
Schicht
führt
dies
zu
Bauelementen
mit
sehr
grosser
Dicke
und
entsprechend
hohem
Durchlasswiderstand.
EuroPat v2
Owing
to
the
large
number
of
IGBT
unit
cells,
such
mixed
components
are
free
of
filament
formation
(which
does
not
occur
in
the
IGBT),
but
have,
on
the
other
hand,
a
substantially
lower
on-state
resistance
than
a
pure
IGBT
owing
to
the
MCT
unit
cells.
Solche
Mischbauelemente
sind
wegen
der
grossen
Anzahl
von
IGBT-Einheitszellen
frei
von
Filamentbildung
(die
beim
IGBT
nicht
auftritt),
besitzen
andererseits
aber
wegen
der
MCT-Einheitzellen
einen
wesentlich
geringeren
Durchlasswiderstand
als
ein
reiner
IGBT.
EuroPat v2
A
disadvantage
of
such
a
configuration
is
that
the
on-state
resistance
Ron
of
the
drain-to-source
load
path
increases
with
increasing
dielectric
strength
of
the
semiconductor
component,
since
the
thickness
of
the
epitaxial
layer
necessarily
increases.
Nachteil
einer
derartigen
Anordnung
ist,
daß
der
Durchlaßwiderstand
R
on
der
Drain-Source-Laststrecke
mit
zunehmender
Spannungsfestigkeit
des
Halbleiterbauelementes
zunimmt,
da
die
Dicke
der
Epitaxieschicht
zunehmen
muß.
EuroPat v2
On
one
hand,
this
produces
the
advantage
of
a
low
on-state
dc
resistance,
while,
on
the
other
hand,
it
yields
the
disadvantage
of
recovery,
charge
which
is
felt
in
what
is
referred
to
as
a
"tail"
current
during
shut-off.
Das
bringt
einerseits
den
Vorteil
eines
niedrigen
Durchlaßwiderstandes,
andererseits
aber
den
Nachteil
einer
Sperrverzögerungsladung,
die
sich
beim
Abschalten
in
einem
sogenannten
"Tail-Strom"
bemerkbar
macht.
EuroPat v2
SUMMARY
OF
THE
INVENTION
It
is
an
object
of
the
invention
to
specify
a
controllable
power
semiconductor
component
having
low
on-state
dc
resistance
in
which
a
tail
current
that
is
nearly
temperature-independent
occurs
upon
shut-off.
Der
Erfindung
liegt
nun
die
Aufgabe
zugrunde,
ein
steuerbares
Leistungshalbleiterbauelement
mit
niedrigem
Durchlaßwiderstand
und
hoher
Durchbruchsspannung
anzugeben,
bei
dem
beim
Ausschalten
ein
Tail-Strom
auftritt,
der
nahezu
temperaturunabhängig
ist.
EuroPat v2
The
plurality
and
thickness
of
the
bond
wires
is
based
on
the
on-state
d.c.
resistance
of
the
semiconductor
switch
and
on
the
available
bond
area
on
the
conductor
frame.
Die
Anzahl
und
Dicke
der
Bonddrähte
richtet
sich
nach
dem
Durchlaßwiderstand
des
Halbleiterschalters
und
der
verfügbaren
Bondfläche
auf
den
Leiterrahmen.
EuroPat v2
SUMMARY
OF
THE
INVENTION
It
is
an
object
of
the
invention
to
specify
a
controllable
power
semiconductor
component
having
low
on-state
do
resistance
in
which
a
tail
current
that
is
nearly
temperature-independent
occurs
upon
shut-off.
Der
Erfindung
liegt
nun
die
Aufgabe
zugrunde,
ein
steuerbares
Leistungshalbleiterbauelement
mit
niedrigem
Durchlaßwiderstand
und
hoher
Durchbruchsspannung
anzugeben,
bei
dem
beim
Ausschalten
ein
Tail-Strom
auftritt,
der
nahezu
temperaturunabhängig
ist.
EuroPat v2
An
advantage
is
achieved
that
the
controllable
power
semiconductor
component
has
a
temperature-independent
tail
current,
despite
a
low
on-state
dc
resistance
and
a
high
blocking
voltage.
Der
mit
dem
Anmeldungsgegenstand
erzielte
Vorteil
liegt
im
wesentlichen
darin,
daß
das
steuerbare
Leistungshalbleiterbauelement
trotz
eines
niedrigen
Durchlaßwiderstandes
und
einer
hohen
Sperrspannung
beim
Abschalten
einen
temperaturunabhängigen
Tail-Strom
aufweist.
EuroPat v2
With
the
IPLU300N04S4-R7
of
Infineon,
40
V
MOSFETs
of
the
latest
generation
of
TO-leadless
packages
are
applied
which
have
been
designed
particularly
for
lowest
on-state
resistance
(84
µOhm),
highest
ampacity
(300
A
DC)
and
best
cooling
(0.35
K/W).
Mit
dem
IPLU300N04S4-R7
von
Infineon
kommen
40
V
MOSFETs
der
neuesten
Generation
im
TO-Leadless
Gehäuse
zum
Einsatz,
die
speziell
für
niedrigsten
Durchlasswiderstand
(84
µOhm),
höchste
Stromtragfähigkeit
(300
A
DC)
und
beste
Kühlung
(0,35
K/W)
konzipiert
sind.
ParaCrawl v7.1
Moreover
the
OptiMOS
FD
offers
up
to
45
percent
on-state
resistance
(RDS(on))
as
well
as
up
to
65
percent
Figure
of
Merit
(FOM)
reduction
compared
to
alternative
devices
leading
to
highest
efficiency
and
power
density.
Darüber
hinaus
verringern
die
OptiMOS
FD-Komponenten
den
Durchlasswiderstand
(RDS(on))
um
bis
zu
45
Prozent
und
die
Figure
of
Merit
(FOM)
um
bis
zu
65
Prozent
im
Vergleich
zu
alternativen
Bauelementen.
ParaCrawl v7.1
This
new
product
family
combines
the
state-of-the-art
on-state
resistance
(RDS(on))
of
a
trench
MOSFET
with
the
wide
Safe
Operating
Area
of
a
planar
MOSFET.
Die
neue
Produktfamilie
kombiniert
den
bestmöglichen
Durchlasswiderstand
(RDS(on))
eines
Trench-MOSFETs
mit
dem
breiten
sicheren
Arbeitsbereich
(Safe
Operating
Area,
SOA)
eines
planaren
MOSFETs.
ParaCrawl v7.1
Minimum
switching
losses
can
be
achieved
by
such
a
low
on-state
resistance,
and
hence
a
continuous
power
dissipation
can
also
be
minimized.
Mit
einem
so
geringen
Durchlasswiderstand
können
minimale
Schaltverluste
erreicht
werden
und
demnach
auch
eine
dauerhafte
Verlustleistung
gering
gehalten
werden.
EuroPat v2
If
semiconductor
switching
elements
having
such
a
low
on-state
resistance
are
now
used,
however,
then
it
is
advantageous
that
the
first
driver
module
and
the
second
driver
module
are
each
configured
to
have
a
current
switch-off
device,
which
devices
are
configured
to
allow
a
maximum
current
only
for
a
certain
period
of
an
allowance
time
period,
and
to
switch
off
the
current
when
the
allowance
time
period
is
exceeded.
Setzt
man
nun
aber
Halbleiterschaltelemente
mit
einem
derartig
geringen
Durchlasswiderstand
ein,
so
ist
es
von
Vorteil,
dass
das
erste
und
das
zweite
Treibermodul
mit
je
einer
Stromabschaltvorrichtung
ausgestaltet
ist,
welche
dafür
ausgelegt
sind
einen
maximalen
Strom
nur
eine
bestimmte
Dauer
einer
Zulässigkeitszeitdauer
zuzulassen
und
bei
Überschreitung
der
Zulässigkeitszeitdauer
den
Strom
abzuschalten.
EuroPat v2
The
‘on’
state
resistance
of
an
OFET
is
greater
than
that
of
crystalline
field
effect
transistors
and
may
be
compensated,
for
example,
by
the
formation
of
an
enlarged
areal
extent
of
the
OFET,
which
may
extend
effectively
as
far
as
the
surface
of
the
carrier
film
used.
Der
im
Vergleich
zu
kristallinen
Feldeffekttransistoren
erhöhte
Durchlasswiderstand
eines
OFET
kann
durch
die
Ausbildung
einer
vergrößerten
Flächenausdehnung
des
OFET
kompensiert
werden,
welche
im
Wesentlichen
bis
auf
die
Fläche
der
verwendeten
Trägerfolie
anwachsen
kann.
EuroPat v2
The
diode
6
only
works
in
one
direction
in
the
forward
direction,
so
that
at
one
time
a
very
high
resistance
(off-state
resistance)
and
at
another
time
only
the
on-state
resistance
of
the
diode
is
present
in
addition
to
the
ohmic
resistance
in
the
plugs
3,
4
.
Die
Diode
6
arbeitet
nur
in
einer
Richtung
in
Durchlassrichtung,
so
dass
einmal
ein
sehr
hoher
Widerstand
(Sperrwiderstand)
und
einmal
nur
der
Durchlasswiderstand
der
Diode
zusätzlich
zu
dem
ohmschen
Widerstand
in
den
Steckern
3,
4
vorliegt.
EuroPat v2