Übersetzung für "Group memory" in Deutsch
The
error
address
within
the
group
of
the
memory
cells
can
thereby
no
longer
be
identified.
Hierbei
ist
die
Fehleradresse
innerhalb
der
Gruppe
von
Speicherzellen
nicht
mehr
zu
ermitteln.
EuroPat v2
Thereafter,
the
next
block
is
again
initially
written
into
third
memory
group
9.
Anschließend
wird
der
nächste
Block
wieder
zunächst
in
die
dritte
Speichergruppe
9
eingelesen.
EuroPat v2
Each
memory
group
is
associated
with
one
of
the
program
steps.
Jede
Speichergruppe
ist
einem
der
Programmschritte
zugeordnet.
EuroPat v2
It
is
also
disadvantageous
that
a
separate
parallel
test
device
is
needed
for
each
group
of
memory
cells.
Weiterhin
ist
es
nachteilig,
daß
für
jede
Gruppe
von
Speicherzellen
eine
eigene
Paralleltesteinrichtung
benötigt
wird.
EuroPat v2
In
this
example,
position
10
within
the
group
of
memory
cells
is
now
assumed
to
be
non-functional.
In
diesem
Beispiel
nun
soll
die
Position
10
innerhalb
der
Gruppe
der
Speicherzellen
funktionsunfähig
sein.
EuroPat v2
In
the
case
that
changing
phase
differentials
of
the
two
clock
pulse
signals
and/or
varying
repetition
rates
of
the
clock
pulse
signals
are
to
be
expected,
it
is
practical
that
the
first
transmitting
bus
or
the
first
address
bus
be
connected
via
a
first
group
of
buffer
memories
to
the
first
group
of
the
memory
cells
and
the
second
transmitting
bus
or
the
second
address
bus
be
connected
via
a
second
group
of
buffer
memories
to
the
second
group
of
memory
cells,
that
the
first
group
of
buffer
memories
or
the
second
group
of
buffer
memories
are
controlled
with
a
first,
or
respectively,
second
memory
signal
which
coincides
with
pulse
edges
of
the
first,
or
respectively,
second
clock
pulse
signal
and
the
sequence
of
the
first
and
second
write
commands
is
generated
after
the
appearance
of
the
first
or
second
memory
signals
and
simultaneously
with
a
preset
binary
value
of
the
second
or
first
clock
pulse
signal.
Falls
sich
ändernde
Phasendifferenzen
der
beiden
Taktsignale
und/oder
unterschiedliche
Folgefrequenzen
der
Taktsignale
zu
erwarten
sind,
ist
es
zweckmäßig,
daß
der
erste
Sendebus
bzw.
der
erste
Adressenbus
über
eine
erste
Gruppe
von
Pufferspeichern
an
die
erste
Gruppe
der
Speicherzellen
und
der
zweite
Sendebus
bzw.
der
zweite
Adressenbus
über
eine
zweite
Gruppe
von
Pufferspeichern
an
die
zweite
Gruppe
der
Speicherzellen
angeschlossen
sind,
daß
die
erste
Gruppe
der
Pufferspeicher
bzw.
die
zweite
Gruppe
der
Pufferspeicher
mit
einem
ersten
bzw.
zweiten
Speichersignal
gesteuert
wird,
das
mit
Impulsflanken
des
ersten
bzw.
zweiten
Taktsignals
koinzidiert
und
daß
die
Folge
der
ersten
bzw.
zweiten
Schreibbefehle
nach
dem
Auftreten
der
ersten
bzw.
zweiten
Speichersignale
und
gleichzeitig
mit
einem
vorgegebenen
Binärwert
des
zweiten
bzw.
ersten
Taktsignals
erzeugt
wird.
EuroPat v2
Another
group
of
such
memory
matrices
employs
so-called
"floating-gate"
transistors
which
comprise
a
gate
electrode
which
has
no
electrical
connection
to
the
outside.
Eine
weiter
Gruppe
derartiger
Speichermatrizen
benutzt
die
sogenannten
Floating-Gate-Transistoren
die,
wie
der
Name
bereits
sagt,
eine
Gateelektrode
aufweisen,
die
nach
außen
keine
elektrische
Verbindung
hat.
EuroPat v2
In
a
corresponding
manner,
the
second
inputs
of
the
multiplex
circuits
are
in
each
case
connected
with
the
second
group
of
successive
memory
outputs
Q8-Q15,
etc.,
so
that,
finally,
the
16th
inputs
of
the
multiplex
circuits
are
connected
with
the
last
group
Q120-Q127
of
the
output
lines
of
the
memory.
In
entsprechender
weise
sind
die
jeweils
zweiten
Eingänge
der
Multiplexschaltungen
mit
der
zweiten
Gruppe
von
aufeinanderfolgenden
Speicherausgängen
Q8
bis
Q15
verbunden
usw.,
so
daß
schließlich
die
16.
Eingänge
der
Multiplexschaltungen
mit
der
letzten
Gruppe
Q120
bis
Q127
der
Ausgangsleitungen
des
Speichers
verbunden
sind.
EuroPat v2
In
the
integrated
semiconductor
configuration
produced
in
this
way,
the
first
electrodes
of
a
group
of
memory
cells
are
each
designed
as
electrode
plates
and
are
located
at
a
distance
one
above
the
other
as
well
as
parallel
to
a
main
surface
area
of
the
semiconductor
memory
configuration.
Bei
der
so
hergestellten
integrierten
Halbleiteranordnung
sind
die
ersten
Elektroden
einer
Gruppe
von
Speicherzellen
jeweils
als
Elektrodenplatten
ausgebildet
und
liegen
beabstandet
übereinander
sowie
parallel
zu
einer
Hauptfläche
der
Halbleiterspeicheranordnung.
EuroPat v2
However,
in
this
first
embodiment
the
present
invention
makes
it
possible
to
find
the
position
of
a
complete
group
of
M
memory
cells
MC,
of
which
at
least
one
memory
cell
MC
is
defective.
Die
vorliegende
Erfindung
ermöglicht
es
jedoch
in
ihrer
ersten
Ausführungsform,
die
Position
einer
kompletten
Gruppe
von
M
Speicherzellen
MC
festzustellen,
von
denen
mindestens
eine
Speicherzelle
MC
defekt
ist.
EuroPat v2
The
data
input
and
output
circuit
D1I/O
controls
the
bidirectional
data
traffic
between
the
individual
memory
cells
of
the
memory
group.
Die
Datenein-
und
Ausgangsschaltung
D1I/O
steuert
den
bidirektionalen
Datenverkehr
zwischen
den
einzelnen
Speicherzellen
der
Speichergruppe.
EuroPat v2
As
illustrated,
the
individual
memory
cells
are
combined
into
groups
A,
B,
with
each
group
having
four
memory
cells
1
.
Wie
dargestellt,
sind
die
einzelnen
Speicherzellen
in
Gruppen
A,
B
zu
jeweils
vier
Speicherzellen
1
zusammengefaßt,
wobei
das
dargestellte
Speicherarray
insgesamt
16
identische
Gruppenpaare
mit
Gruppen
A
und
B
aufweist.
EuroPat v2
As
was
already
explained
initially,
a
manufacturer
of
known
semiconductor
memories
heretofore
could
not
use
known
parallel
test
methods
for
permanently
replacing
defective
memory
cells
MC
with
redundant
memory
cells
MCred,
since
the
known
parallel
test
methods
are
not
capable
of
conveying
to
the
manufacturer
any
information
on
the
position
of
the
defective
memory
cells
or
at
least
of
a
group
of
defective
memory
cells.
Wie
bereits
eingangs
erläutert,
kann
bislang
ein
Hersteller
bekannter
Halbleiterspeicher
bekannte
Paralleltestverfahren
nicht
dazu
benutzen,
defekte
Speicherzellen
MC
dauerhaft
durch
redundante
Speicherzellen
MCred
zu
ersetzen,
da
ihm
die
bekannten
Paralleltestverfahren
keine
Informationen
über
die
Position
der
defekten
Speicherzellen
oder
wenigstens
einer
Gruppe
defekter
Speicherzellen
vermitteln
können.
EuroPat v2
The
first
part
of
the
block
is
then
written
by
means
of
second
multiplexer
8
into
the
third
memory
group
9
until
a
data
section
end
signal
occurs.
Der
erste
Teil
des
Blockes
wird
dann
mittels
des
zweiten
Multiplexers
8
in
die
dritte
Speichergruppe
9
eingelesen,
bis
ein
Datenabschnittendsignal
auftritt.
EuroPat v2
Then
multiplexer
8
switches
to
fourth
memory
group
10,
into
which
the
remainder
is
written.
Danach
schaltet
der
Multiplexer
8
auf
die
vierte
Speichergruppe
10
um,
in
die
der
Restanteil
eingelesen
wird.
EuroPat v2
In
the
other
case,
i.e.
if
the
data
section
present
in
memory
group
9
is
not
yet
complete,
it
is
supplemented
by
the
remaining
portions
in
that,
after
the
end
of
the
incomplete
data
section,
demultiplexer
11
switches
from
memory
group
9
to
memory
group
10.
Im
anderen
Falle,
d.h.
wenn
der
in
der
Speichergruppe
9
befindliche
Datenabschnitt
noch
nicht
vollständig
ist,
wird
er
mit
den
restlichen
Anteilen
ergänzt,
indem
mittels
des
Demultiplexers
11
nach
dem
Ende
des
unvollständigen
Datenabschnitts
von
der
Speichergruppe
9
auf
die
Speichergruppe
10
umgeschaltet
wird.
EuroPat v2
Multiplexer
8
is
switched
by
decoder
7
in
such
a
manner
that
blocks
of
the
same
length
are
written
into
memory
group
9
as
shown
in
field
20
and
excess
data
section
portions
are
written
into
memory
group
10
as
shown
in
field
21.
Der
Multiplexer
8
wird
durch
den
Decoder
7
so
geschaltet,
daß
Blöcke
gleicher
Länge
in
die
Speichergruppe
9
eingelesen
werden,
wie
es
im
Feld
20
gezeigt
ist,
und
daß
überschüssige
Anteile
von
Datenabschnitten
in
die
Speichergruppe
10
eingelesen
werden,
wie
es
Feld
21
veranschaulicht.
EuroPat v2
By
means
of
the
first
multiplexer
2
which
includes
a
counter
for
the
number
of
bits
in
the
word
length
corresponding
to
a
block,
the
data
of
a
data
section
are
initially
written
into
the
first
memory
group
3.
Mittels
des
ersten
Multiplexers
2,
der
gleichzeitig
einen
Zähler
für
die
Anzahl
der
Bits
der
einem
Block
entsprechenden
Wortlänge
besitzt,
werden
die
Daten
eines
Datenabschnitts
zunächst
in
die
erste
Speichergruppe
3
eingelesen.
EuroPat v2
In
this
memory
group,
a
number
of
memory
locations
corresponding
to
the
word
length
of
a
block
is
reserved
for
each
block.
In
dieser
Speichergruppe
ist
für
jeden
Block
die
der
Wortlänge
eines
Blockes
entsprechende
Anzahl
von
Speicherplätzen
reserviert.
EuroPat v2
Then
the
blocks
are
transferred,
beginning
with
the
first
block,
via
demultiplexer
5
to
the
transmission
path
or
record
carrier
6,
and
in
cases
in
which
the
existing
word
length
is
less
than
the
maximum
possible
word
length,
a
switch
is
made
to
second
memory
group
4
which
is
filled
u
with
the
excess
portions
of
other
data
sections.
Danach
werden
die
Blökke
beginnend
mit
dem
ersten
Block
über
den
Demultiplexer
5
auf
die
Übertragungsstrecke
6
bzw.
den
Aufzeichnungsträger
ausgegeben
und
in
den
Fällen,
in
denen
die
vorhandene
Wortlänge
kleiner
als
die
maximal
mögliche
ist,
durch
Umschalten
auf
die
zweite
Speichergruppe
4
mit
den
überschüssigen
Anteilen
der
Datenabschnitte
aufgefüllt.
EuroPat v2