Übersetzung für "Gate length" in Deutsch

The effective gate length E can be measured and can be monitored for individual transistors.
Diese effektive Kanallänge E ist meßbar und kann für einzelne Transistoren überwacht werden.
EuroPat v2
This size is typically dictated by the minimum feasible gate length of an MOS transistor.
Diese ist üblicherweise mit der minimal herstellbaren Gatelänge eines MOS-Transistors gegeben.
EuroPat v2
The gate-length can be set in 16 steps.
Die Gate-Länge kann in 16 Schritten eingestellt werden.
ParaCrawl v7.1
The gate length is determined by the pulse width of the clock.
Die Gate-Länge wird durch die Pulsbreite des Taktsignals bestimmt.
ParaCrawl v7.1
The requirement for higher integration density in integrated circuits signifies a reduction in gate length, in particular for field effect transistors.
Die Forderung nach hoher Integrationsdichte bei integrierten Schaltungen bedeutet für Feldeffekttransistoren insbesondere eine Reduktion der Gatelänge.
EuroPat v2
In the AD-Mode the gate length is being ignored and allows for very short, percussive envelopes.
Im AD-Modus wird die Gate-Länge ignoriert und erlaubt so sehr kurze, perkussive Hüllkurven.
ParaCrawl v7.1
In addition that source-drain spacing also limits the possible reduction in the effective gate length of a conventional field effect transistor.
Dieser Source-Drain-Abstand beschränkt darüber hinaus auch die mögliche Reduzierung der effektiven Gatelänge eines herkömmlichen Feldeffekttransistors.
EuroPat v2
The area of the gate, width×length, approximately corresponds to the area enclosed by the broken line 37A in FIG.
Die Fläche des Gate, Breite x Länge, entspricht ungefähr der von der unterbrochenen Linie 37A in Fig.
EuroPat v2
The distance between the source and the drain electrode S and D, respectively, is 8 ?m and the gate length in the direction of the current is 1 ?m.
Der Abstand zwischen der Source- und der Drainelektrode S beziehungsweise D beträgt 8 µm, die Gatelänge in Stromrichtung 1 µm.
EuroPat v2
This embodiment is therefore advantageous for manufacturing CMOS circuits having transistors with short gate length that can be operated at reduced supply voltage.
Diese Ausführungsform ist daher zur Herstellung von CMOS-Schaltungen mit Transistoren mit kurzer Gatelänge, die bei reduzierter Versorgungsspannung betrieben werden können, vorteilhaft einsetzbar.
EuroPat v2
When, for example in the method step with which the passivation layer was structured, a photolithographically defined opening 9 of this passivation layer was determined in the region of the gate to be manufactured 500 nm in the direction of source toward drain and when the spaces 11 at the low end have an expanse of 150 nm, then a gate length of 200 nm derives.
War z. B. in dem Verfahrensschritt, mit dem die Passivierungsschicht 8 strukturiert wurde, eine fotolithographisch definierte Öffnung 9 dieser Passivierungsschicht im Bereich des herzustellenden Gate von 500 nm in Richtung von Source nach Drain vorgegeben und haben die Spacer 11 am Fußpunkt eine Ausdehnung von 150 nm, so ergibt sich eine Gatelänge von 200 nm.
EuroPat v2
In this case, it is immaterial whether a resistance measurement, the sensing of individual contacts or the determination of an effective gate length is involved.
Dabei ist es unerheblich, ob es sich hierbei um eine Widerstandsmessung, um das Erfassen von Einzelkontakten, oder die Bestimmung einer effektiven Kanallänge handelt.
EuroPat v2
Since moreover the charge carrier type of the field plate polysilicon matches that of the well located beneath it, virtual flat band conditions always prevail at the semiconductor surface, which guarantees reliable isolation between adjacent active regions, at least whenever the isolation length is no shorter than the minimum allowed gate length of the complementary MOSFETs.
Da außerdem der Ladungsträgertyp des Feldplatten-Polysiliziums dem der darunter liegenden Wanne entspricht, herrschen an der Halbleiteroberfläche immer nahezu Flachbandbedingungen, was eine sichere Isolation zwischen benachbarten aktiven Bereichen garantiert, mindestens dann, wenn die Isolationslänge nicht kürzer ist als die kleinste zugelassene Gatelänge der komplementären MOSFETs.
EuroPat v2
Simply as a result of the reduction in the dimensions of previously known transistor structures, for example reduction in the gate length of a field-effect transistor to about 100 nanometers, the resistance is drastically increased due to lithographic and physical effects (“narrow line effects”), in particular if conventional siliciding of gate electrodes is used for contact-connecting the latter, since the small amount of material is reduced even further here.
Durch die bloße Reduzierung der Dimensionen der bisher bekannten Transistor-Strukturen, beispielsweise Reduktion der Gate-Länge eines Feldeffekttransistors auf etwa 100 Nanometer, wird der Widerstand durch lithografische und physikalische Effekte ("narrow line effects") drastisch erhöht, insbesondere sofern man herkömmliche Silizidierung von Gate-Elektroden zur Kontaktierung derselben heranzieht, da hier das wenige Material noch weiter reduziert wird.
EuroPat v2
It is therefore an object of the present invention to provide a method for producing a semiconductor component and a semiconductor element on a III-V compound semiconductor substrate, which possesses advantageous properties, and is stable in the long term, even at a small gate length.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und ein Halbleiterelement auf einen III-V-Verbindungshalbleitersubstrat anzugeben, welches auch bei kleiner Gatelänge günstige und langzeitstabile Eigenschaften besitzt.
EuroPat v2
Regardless of the spacing between cathode contact (8) and gate (7), the length of the n-type regions (5c) can thereby be reduced to such an extent that latching-up of the component is virtually impossible.
Die Länge der n-Bereiche (5c) lässt sich dadurch unabhängig vom Abstand zwischen Kathodenkontakt (8) und Gate (7) soweit verkleinern, dass ein Einrasten des Bauelements praktisch un­möglich ist.
EuroPat v2
A1, from which A2, B2 and C2 were divided out, defined in claim 1 as well as in the "statement of invention" an active matrix panel comprising thin film transistors (TFTs) in which the TFTs of the gate or source drive line circuits are complementary and have a gate length shorter than that of the TFTs of the picture element matrix (cf. A1 as published, page 3, lines 46 to 52).
In der Anmeldung A1, aus der A2, B2 und C2 ausgeschieden wurden, werde sowohl in Anspruch 1 als auch in der Darstellung des Erfindungsgedankens in der Beschreibungseinleitung Folgendes definiert: eine Aktivmatrixtafel, umfassend Dünnfilmtransistoren (TFTs), wobei die TFTs der Gate- und der Source-Leitungs-Treiberschaltung komplementär sind und eine Gate-Länge haben, die kürzer als diejenige der TFTs der Bildelementenmatrix ist (vgl. A1 in der veröffentlichten Fassung, S. 3, Zeilen 46 bis 52).
ParaCrawl v7.1
Note Number, Velocity, Gate Length (on Note Events, Aftertouch, etc..)
Notennummern, Velocity, Gate-Länge (von Noten-Events, Aftertouch, etc..) zugewiesen werden können.
ParaCrawl v7.1
In Edit Mode, the buttons select and modify various parameters such as gate length, clock division, swing, delay and probability, as indicated by the labels beneath the bottom row of buttons.
Im Edit-Modus wählen und ändern die Taster verschiedene Parameter wie Gate-Länge, Taktteilung, Swing, Verzögerung und Wahrscheinlichkeit, wie die Beschriftungen unterhalb der unteren Tastenreihe zeigen.
ParaCrawl v7.1

Ähnliche Begriffe

length a length of gate-to-gate a gate
at the gate Gate gate in gates
at length